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公开(公告)号：CN104374810B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410641187.3
申请日：2014-11-14
Applicant: 湖北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明提出了一种基于正交相氧化钼纳米带的氢气敏感元件制备方法，其步骤为：A：水热法制备出正交相三氧化钼纳米带粉末；B：用光刻掩膜法制备叉指电极；C:装配氢气敏感元件:配制氧化钼粉末、无水乙醇混合液，超声处理，将混合液滴加到叉指电极中心部位，退火处理完成。本发明以Na2MoO4·2H2O为原料，采用简单的水热方法制备出了形貌均匀的正交相氧化钼纳米带，使用工艺简单，制备周期短，样品产量高，成本低廉。经超声分散后的纳米带涂覆在叉指电极上，获得了性能优异的氢气敏感元件。室温下，该元件对低浓度氢气表现出高灵敏和快速响应的特点，同时对氢气具有良好的重复性和选择性，可以满足快速检测低浓度氢气的要求。
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公开(公告)号：CN103334083B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310243470.6
申请日：2013-06-19
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种Mg掺杂AlN基稀磁半导体薄膜的制备方法。它采用高纯Al靶和Mg靶交替溅射，系统本底真空度为10-4-10-5Pa，基片为p型Si（100），溅射AlN时工作气体为高纯氩气与氮气混合气体，流量比3:2，工作气压为0.5-5Pa，射频功率为50-200W，衬底温度为300℃，每次溅射10-20min。溅射镁时工作气体为高纯氩气，流量为10-20sccm，工作气压为0.5-5Pa，溅射功率为50-100W，衬底温度为300℃，每次溅射时间2-10s，交替溅射4次氮化铝、3次镁。通过改变Al靶及Mg靶溅射时间比例可得到不同掺杂浓度的AlN基稀磁半导体薄膜。本方法制备工艺简单，薄膜沉积速率高，重复性好。所制备的稀磁半导体薄膜具有较强的铁磁性，且居里温度高于室温。
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公开(公告)号：CN104707589A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510070639.1
申请日：2015-02-11
Applicant: 湖北大学
IPC: B01J23/06
Abstract: 本发明提供了一种二氧化钛-氧化锌复合氧化物及其制备方法，所述二氧化钛-氧化锌复合氧化物颗粒呈蚌形，粒径为5～15微米，且表面分布有相互趋向平行的线形凹陷,线形凹陷与线形凹陷之间间距为100～300纳米。其制备方法步骤包括：(1)将五倍子花粉分散至钛盐前驱体溶液中，搅拌均匀后过滤，清洗后干燥；(2)将步骤(1)所得粉末以1～10℃/min的升温速率升温至400～800℃并保温1～4小时后冷却；(3)将步骤(2)所得粉末加至锌盐溶液中，搅拌均匀后过滤，清洗后干燥；(4)将步骤(4)所得粉末以1～10℃/min的升温速率升温至300～500℃并保温1～4小时后冷却。该复合氧化物具有生物分级结构，形貌可控、制备成本低且光催化效果好。
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公开(公告)号：CN104374810A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410641187.3
申请日：2014-11-14
Applicant: 湖北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明提出了一种基于正交相氧化钼纳米带的氢气敏感元件制备方法，其步骤为：A：水热法制备出正交相三氧化钼纳米带粉末；B：用光刻掩膜法制备叉指电极；C:装配氢气敏感元件:配制氧化钼粉末、无水乙醇混合液，超声处理，将混合液滴加到叉指电极中心部位，退火处理完成。本发明以Na2MoO4·2H2O为原料，采用简单的水热方法制备出了形貌均匀的正交相氧化钼纳米带，使用工艺简单，制备周期短，样品产量高，成本低廉。经超声分散后的纳米带涂覆在叉指电极上，获得了性能优异的氢气敏感元件。室温下，该元件对低浓度氢气表现出高灵敏和快速响应的特点，同时对氢气具有良好的重复性和选择性，可以满足快速检测低浓度氢气的要求。
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公开(公告)号：CN119734857A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411869300.3
申请日：2024-12-17
Applicant: 珠海习坎智能科技有限公司 , 珠海市湖大派诺产业发展研究院 , 湖北大学
IPC: B64U10/14 , B64U20/70 , B64U20/80 , B64U20/87 , B64U50/31 , B64D1/18 , A01M29/16 , H02G1/02 , B64U101/26 , B64U101/31 , B64U101/45
Abstract: 本发明提供一种输电线路无人机自主巡检系统，包括：机体组件和机翼组件，所述机翼组件的数量设置有四个，并且对称分布在机体组件的左右两侧，所述机体组件包括机身、前支撑杆、中支撑杆、后支撑杆、太阳能板、照明灯、摄像机、蓄电池、充电调节器、控制主板、警示灯、次声波发生器、扩音器、荧光桶、进料管、进料阀、高压喷头和微型电动喷枪，所述机身的截面呈流线型，所述机身的顶部固定连接有前支撑杆、中支撑杆和后支撑杆。通过设置机身、前支撑杆、中支撑杆、后支撑杆和太阳能板，机身呈流线型，顶部太阳能板呈弧形，极大地减少飞行过程中的风阻的同时，也能提供提升力，从而减少飞行中电力消耗，提高无人机的续航能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115991892A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310062076.6
申请日：2023-01-19
Applicant: 湖北大学
IPC: C08J9/42 , C08J9/26 , C08L83/04 , C08L79/02 , C08L65/00 , C08L25/18 , G01N27/12 , G01L9/06 , G01L1/18
Abstract: 本发明提出了一种基于复合型柔性材料的湿度压力传感器及其制备方法，该复合型柔性材料是以明胶颗粒为填充粒子，首先通过成膜‑溶解‑浸出的方法得到多孔结构的聚二甲基硅氧烷（PDMS）柔性基底，将聚(3,4‑亚乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT:PSS）及聚苯胺（PANI）作为导电材料引入PDMS多孔结构中，获得复合型多孔的PEDOT:PSS/PANI/PDMS的柔性材料，并基于该柔性材料制备得到一种湿度压力传感器，该柔性材料制备工艺简单，无需半导体生产工艺，成本低；该传感器可实现两个物理量湿度和压力的检测，不需要设计多种敏感结构或测试单元，且灵敏度高、响应速度快。
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公开(公告)号：CN108043433B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201711305957.7
申请日：2017-12-11
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明涉及一种四氧化三锡/磷酸银复合材料光催化剂及其制备方法。其为花状Sn3O4负载Ag3PO4纳米球的结构，由花状Sn3O4表面上原位生长Ag3PO4纳米球而成。其制备方法为，将柠檬酸三钠溶于氯化亚锡溶液中，将碱溶液加入其中，搅拌后移至高压反应釜中，水热反应，自然冷却至室温，得到Sn3O4材料，将Sn3O4材料超声分散在去离子水中,将银盐溶液与Sn3O4分散液混合，将磷酸盐溶液逐滴缓慢加入银盐溶液与Sn3O4分散液混合溶液中，反应后在60～80℃干燥6～12h即得。本发明步骤简单，容易控制，产品具有良好的可见光催化效果，且稳定性好。
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公开(公告)号：CN108584865A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810512799.0
申请日：2018-05-25
Applicant: 湖北大学
CPC classification number: B81B7/04 , B81B2201/02 , B81C1/00031
Abstract: 本发明涉及一种基于超长氧化钼纳米线阵列排列的操控方法及其离子检测器的制作方法，包括：超长氧化钼纳米线的制备、电极的制备、介电泳对超长纳米线的排列等步骤，离子检测器的制作还包括微通道的设计与制备以及器件组装的步骤。所述方法既解决了纳米线长短不一交乱排列在电极间的冗杂问题，也提高并优化了纳米线在微电极上组装的稳定性。同时结合微通道等新型芯片实验室来对不同离子进行一个敏感型探测。本发明既可应用在微通道中形成有效阵列检测不同离子浓度，也可用于在氢气敏感元件的制备之中，能够有效提高氢气传感的性能。
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公开(公告)号：CN108043433A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711305957.7
申请日：2017-12-11
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明涉及一种四氧化三锡/磷酸银复合材料光催化剂及其制备方法。其为花状Sn3O4负载Ag3PO4纳米球的结构，由花状Sn3O4表面上原位生长Ag3PO4纳米球而成。其制备方法为，将柠檬酸三钠溶于氯化亚锡溶液中，将碱溶液加入其中，搅拌后移至高压反应釜中，水热反应，自然冷却至室温，得到Sn3O4材料，将Sn3O4材料超声分散在去离子水中,将银盐溶液与Sn3O4分散液混合，将磷酸盐溶液逐滴缓慢加入银盐溶液与Sn3O4分散液混合溶液中，反应后在60～80℃干燥6～12h即得。本发明步骤简单，容易控制，产品具有良好的可见光催化效果，且稳定性好。
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公开(公告)号：CN101775584A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010028942.2
申请日：2010-01-08
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种具有同质缓冲层的c轴倾斜AlN薄膜的制备方法，它采用磁控溅射的方法在以Si、Mo、Pt、Au或其组合为衬底上，生成非晶AlN薄膜缓冲层，再以调节衬底与靶材中心偏离角度的方式，生长倾斜角度不同的c轴取向AlN薄膜。本发明能够克服AlN薄膜与Si、GaAs等衬底之间较大的晶格失配以及c轴倾斜角度控制性较差的问题。将该方法生长的AlN薄膜作为压电谐振传感器的压电层时，可减小声波在液体中的能量损耗，有助于提高传感器的品质因数和灵敏度。
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