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公开(公告)号:CN106352866B
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN201610559524.3
申请日:2016-07-15
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01C19/5747
Abstract: 本发明涉及转速传感器,包括基底、第一驱动结构、第二驱动结构、第一探测结构、第二探测结构、第三探测结构和第四探测结构。该转速传感器包括驱动装置,用于使第一和第二驱动结构从静止位置偏出从而使得它们能被激励成具有基本反相的运动分量的振动。第一和第二探测结构借助耦合结构耦合,使得在第一转速和/或在第二转速的情况下能够探测基本垂直于驱动方向作用到第一探测结构上的第一力作用和作用到第二探测结构上的第二力作用,第一和第二力作用基本反相,第三和第四探测结构借助于耦合结构耦合,使得在第二转速和/或在第三转速的情况下能探测基本垂直于主延伸平面作用到第三探测结构上的第三力作用和作用到第四探测结构上的第四力作用。
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公开(公告)号:CN104412386B
公开(公告)日:2017-11-07
申请号:CN201380025592.6
申请日:2013-04-19
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L27/146 , G01J5/20
CPC classification number: H01L27/14649 , G01J5/20 , G01J2005/0048 , G01J2005/067 , H01L27/14609 , H01L27/14629 , H01L27/14636 , H01L27/1467 , H01L27/14685 , H01L31/028
Abstract: 本发明提出一种红外线传感器装置(100;200;300),其具有半导体衬底(1)、至少一个在半导体衬底(1)中微机械构造的传感器元件(2)、和至少一个在半导体衬底(1)中微机械构造的用于传感器元件(2)的校准元件(3),其中在半导体衬底(1)上在传感器元件(2)和校准元件(3)的区域内布置吸收材料(6),其中在半导体衬底(1)中基本上在传感器元件(2)之下并且基本上在校准元件(3)之下分别构造洞穴(8),其中传感器元件(2)和校准元件(3)借助洞穴(8)来与其余的半导体衬底(1)进行热分离和电分离。因此对于红外线传感器装置实现高灵敏度,实现用于传感器元件的校准功能,并且实现高信噪比。
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公开(公告)号:CN103449351B
公开(公告)日:2016-11-30
申请号:CN201310176764.1
申请日:2013-05-14
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及混合集成部件及其制造方法,所述部件具有MEMS构件(10)、构件(10)的微机械结构(131)的罩(11)及ASIC衬底(20)。微机械结构(131)在SOI晶片(10)的功能层(13)中实现。构件(10)面朝下以功能层(13)装配在ASIC衬底(20)上并且罩在SOI晶片(10)的衬底中实现。衬底(20)包括两侧设有层结构的初始衬底(21)。在MEMS侧的层结构中及衬底(20)的背侧的层结构中实现电路层面(1,2,3,4)。在衬底(20)中构造有ASIC覆镀通孔(29),其从部件(100)背侧出发电接触背侧的层结构的电路层面(3)和/或MEMS侧的层结构的电路层面(1)。
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公开(公告)号:CN111095020B
公开(公告)日:2024-02-27
申请号:CN201880059886.3
申请日:2018-09-07
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种激光雷达组件,包括:激光器单元(2),接收单元(3),和用于产生冷却空气流的冷却设备(4),其中,所述激光器单元(2)、所述接收单元(3)和所述冷却设备(4)以绕着旋转轴线(5)旋转的方式布置,使得由激光雷达组件本身产生用于冷却旋转部件的冷却空气流。
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公开(公告)号:CN113841064A
公开(公告)日:2021-12-24
申请号:CN202080033450.4
申请日:2020-03-25
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor: M·哈塔斯
IPC: G01S7/4861 , G01S17/931 , G01S7/497
Abstract: 一种用于运行光电二极管的方法(200)包括下述方法步骤:将由恒定的第一电压(300)和具有固定的频率的第二电压(301)之和组成的电压施加到所述光电二极管上,并且检测所述光电二极管的输出信号。随后,求取所述输出信号的光谱组成,并且基于所述光谱组成求取光电二极管的增益(302)的非线性项的至少一个系数。然后,将经匹配的第一电压施加到所述光电二极管上,其中,基于所述系数匹配所述第一电压(300)。第一坐标轴(101)示出施加在光电二极管上的电压,第二坐标轴(102)示出光电二极管的增益。第一特性曲线(103)示出在第一温度的情况下的增益。增益(302)具有包含固定的频率ω0的两倍的项。输出信号(302)还能够具有更高阶的频率分量。所求取的系数允许推断出在当前温度的情况下的增益。如此进行第一电压的匹配,使得增益保持恒定。通过如此调节增益,使得其保持恒定,该光电二极管能够提供特别可靠且可比较的测量数据。如此调节的光电二极管可以是汽车的激光雷达系统的一部分。
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公开(公告)号:CN110879077A
公开(公告)日:2020-03-13
申请号:CN201910840489.6
申请日:2019-09-06
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种传感器单元(1),所述传感器单元包括具有冷却肋(2)的壳体(6)以及冷却罩(3),所述冷却罩套到所述冷却肋(2)上并且具有流体入口(4)以及流体出口(5),使得流体能沿着所述冷却肋(2)流动,其中,通过冷却肋(2)和冷却罩(3)的布置在流体入口(4)和流体出口(5)之间在所述壳体(6)上设定预限定的温度梯度。
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公开(公告)号:CN103424107B
公开(公告)日:2019-06-07
申请号:CN201310177524.3
申请日:2013-05-14
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/00134 , B81B3/0018 , B81B2201/025 , B81C1/00246 , B81C1/00333 , G01P15/0802
Abstract: 建议了用于提高微机械惯性传感器的测量灵敏度的措施,所述惯性传感器包括至少一个具有已处理的正面的ASIC构件(10)、一个具有微机械的传感器结构的MEMS构件(20)以及一个罩形晶片(31)。所述MEMS构件(20)的传感器结构包括至少一个振动质量(25)并且延伸在所述MEMS构件(20)的整个厚度上。所述MEMS构件(20)通过支座结构(15)装配在所述ASIC构件(10)的已处理的正面上,并且通过在所述MEMS衬底(20)中以及在所述支座结构的相邻支架(15)中的穿通接触件(22)与所述ASIC构件(10)电连接。所述罩形晶片(31)装配在所述MEMS构件(20)的微机械传感器结构上方。根据本发明,至少在所述振动质量(25)的区域中构造至少一个在所述MEMS衬底(20)中的盲孔(23),所述盲孔用与所述穿通接触件(22)相同的导电材料填充。这种导电的材料具有比所述MEMS衬底材料更高的密度。
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公开(公告)号:CN103449357B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201310174801.5
申请日:2013-05-13
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B3/0075 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/00238 , B81C1/00674 , B81C2203/0109 , H01L2224/16225 , H01L2924/19105
Abstract: 本发明涉及用于实现混合集成部件的措施。部件(100)包括ASIC构件(10)、具有微机械结构(21)的第一MEMS构件(20)和第一罩晶片(30),微机械结构在第一MEMS衬底(10)整个厚度上延伸,第一罩晶片装配在微机械结构(21)上方。微机械结构(21)具有可偏转的结构元件(23)。在微机械结构(21)和构件(10)之间存在间隙。在构件(10)背侧装配第二MEMS构件(40)。第二构件(40)的微机械结构(41)在第二MEMS衬底(40)的整个厚度上延伸并且包括可偏转的结构元件。在该微机械结构(41)和构件(10)之间存在间隙并且在该微机械结构(41)上方装配第二罩晶片(50)。
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公开(公告)号:CN105324634A
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201480026951.4
申请日:2014-05-14
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01C19/5747
CPC classification number: G01C19/5705 , G01C19/5719 , G01C19/574 , G01C19/5747
Abstract: 提出一种具有衬底(1)的用于探测转速的转速传感器(100),所述衬底具有主延伸平面,其中所述转速在或者平行于主延伸平面或者垂直于主延伸平面延伸的方向上持续,其中所述转速传感器包括主要地震质量块对(11,12)和次要地震质量块对(21,22),其中地震质量块的所述主要对具有第一主要质量块(11)和第二主要质量块(12)而地震质量块的所述次要对具有第一次要质量块(21)和第二次要质量块(22),其中第一主要质量块和第二主要质量块能够朝向彼此地沿着平行于转速传感器的主延伸平面延伸的主要偏转方向(P)相对于所述衬底地运动,而第一次要质量块和第二次要质量块能够沿着平行于转速传感器的主延伸平面延伸的次要偏转方向(S)相对于所述衬底地运动,其中一方面第一和第二主要质量块而另一方面第一和第二次要质量块能够或者反平行地或者彼此平行地根据相应的偏转方向运动,其特征在于,所述主偏转方向基本上垂直于次要偏转方向延伸,其中主要地震质量块对和/或次要地震质量块对可以被如此驱动,使得在转速传感器的旋转时科里奥利力引起第一主要质量块和第二主要质量块和/或第一次要质量块和第二次要质量块的偏转。
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公开(公告)号:CN102095893B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201010554560.3
申请日:2010-11-17
Applicant: 罗伯特.博世有限公司
IPC: G01P21/00 , G01P15/125 , G01R33/02
CPC classification number: G01R33/0286 , B81C99/003 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P21/00
Abstract: 本发明涉及确定传感器灵敏度的方法,这传感器包括有基底,地震质量,第一电极装置用于使质量相对于基底沿着测量轴线偏离,和第二电极装置用于使质量相对于基底偏离。方法包括了方法步骤a),在这步骤中将第一偏离电压加在第一电极装置上,第二偏离电压加在第一电极装置上,在质量上,通过第一电极装置作用第一静电力,通过第二电极装置作用第二静电力,并通过质量的弹簧装置施加复位力,其中在第一静电力,第二静电力和复位力之间实现了力的平衡,而且质量占有一个表示了力平衡特征的偏离位置,测量表示了力平衡和偏离位置特征的输出信号,方法步骤b),基于第一和第二偏离电压来计算传感器的灵敏度。本发明还涉及用于该方法的传感器。
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