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公开(公告)号：CN105448374B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510784821.3
申请日：2015-11-16
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅PIN埋层结构同位素电池及其制造方法，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，提高集成度和实用性，本发明的电池所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的SiC衬底、第一N型SiC外延层、P型SiC外延层和第二N型SiC外延层，第二N型SiC外延层上开设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，沟槽底部延伸至P型SiC外延层，若干个台阶的顶部中间位置均开设有凹槽，凹槽内设置N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，N型欧姆接触电极的形状与N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同，N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；相邻台阶之间的沟槽底部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极与P型SiC外延层接触。
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公开(公告)号：CN106024864A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610497847.4
申请日：2016-06-28
Applicant: 长安大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/161 , H01L29/74 , H01L21/332
CPC classification number: H01L29/74 , H01L29/0615 , H01L29/0684 , H01L29/0688 , H01L29/161 , H01L29/66068
Abstract: 本发明公开了一种P沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的第二N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型SiC电流增强层，P型SiC电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层，P型SiC欧姆接触层上部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极的形状与P型SiC欧姆接触层相同，沟槽内设置有N型SiC欧姆接触区，N型SiC欧姆接触区与台阶侧面、沟槽底部和P型SiC欧姆接触层均接触，位于沟槽底部的N型SiC欧姆接触区的上部设置有第一N型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极、第一N型欧姆接触电极和第二N型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层。
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公开(公告)号：CN103872045B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410123317.4
申请日：2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，耗尽型器件栅下保留SiN，器件栅下存在高浓度二维电子气，器件呈现出负阈值电压的耗尽型特性，将增强型器件和耗尽型器件集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。
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公开(公告)号：CN103021492B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201210580215.6
申请日：2012-12-27
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅横向PIN型微型核电池及其制造方法，其核电池包括衬底和设在衬底上的N型SiC外延层，N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区和P型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上设有N型欧姆接触电极，P型SiC欧姆接触掺杂区上设有P型欧姆接触电极；N型SiC外延层上除去N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极的区域设有二氧化硅层；一、提供衬底，二、外延生长N型SiC外延层，三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区，四、形成P型SiC欧姆接触掺杂区，五、形成二氧化硅层，六、形成欧姆接触电极，七、形成肖特基接触电极；本发明设计新颖合理，提高了微型核电池的能量转换效率和封装密度。
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公开(公告)号：CN103872045A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410123317.4
申请日：2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，耗尽型器件栅下保留SiN，器件栅下存在高浓度二维电子气，器件呈现出负阈值电压的耗尽型特性，将增强型器件和耗尽型器件集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103035310A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210579813.1
申请日：2012-12-27
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅横向肖特基结型微型核电池及其制造方法，其核电池包括衬底和设在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设有欧姆接触电极，N型SiC外延层上部设有肖特基接触电极；N型SiC外延层上部除去欧姆接触电极和肖特基接触电极的区域设有二氧化硅层。其制造方法包括步骤：一、一、提供衬底，二、在衬底上外延生长N型SiC外延层，三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区，四、形成二氧化硅层，五、形成欧姆接触电极，六、形成肖特基接触电极。本发明设计新颖合理，有利于提高微型核电池的能量转换效率和封装密度，有利于集成，实用性强，推广应用价值高。
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公开(公告)号：CN108962418B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201810130364.X
申请日：2018-02-08
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 一种Pm‑147碳化硅缓变肖特基同位素电池，包括衬底，衬底下方设置N型欧姆接触电极，衬底上部设置第一N型SiC外延层，第一N型SiC外延层上部设置第二N型SiC外延层，在第二N型SiC外延层的顶部设有若干肖特基电极，在第二N型SiC外延层的顶部除去肖特基电极的区域设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层的上方设有Pm‑147放射性同位素源。本发明的Pm‑147碳化硅肖特基同位素电池采用两层掺杂浓度不同的N型层替代常规的N型，通过在辐照生载流子的扩散区中引入电场，将载流子的扩散运动转变成扩散运动和漂移运动的结合，有利于减少辐照生载流子的复合损耗，从而提升电池的输出功率。
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公开(公告)号：CN110556192B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201810129786.5
申请日：2018-02-08
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种Pm‑147碳化硅缓变PN型同位素电池及其制造方法，该同位素电池的结构自下而上包括N型欧姆接触电极，N型高掺杂SiC衬底，N型SiC外延层，N型SiC外延层，P型SiC外延层，P型SiC欧姆接触掺杂层，在P型SiC欧姆接触掺杂区的顶部中心处设有P型欧姆接触电极，在在P型SiC欧姆接触掺杂区的顶部除去P型欧姆接触电极的区域设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层的上方设有Pm‑147放射性同位素源。本发明设计新颖合理，可以有效解决Pm‑147在材料深处的电离能量沉积的收集问题，有效提高了同位素电池的输出功率、能量转换效率。
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公开(公告)号：CN110491541B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201811271325.8
申请日：2018-10-29
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种H‑3碳化硅同位素电池及其制造方法，包括自下而上包括N型高掺杂SiC衬底，P型SiC欧姆接触掺杂区，在P型SiC欧姆接触掺杂区上部的部分区域设有第一N型SiC外延层，在第一N型SiC外延层的上方设第二N型SiC外延层，在P型SiC欧姆接触掺杂区上部除了第一N型SiC外延层的区域设有P型欧姆接触电极，第二N型SiC外延层上方部分区域设有N型欧姆接触掺杂区，N型欧姆接触掺杂区的上方设有N型欧姆接触电极，第二N型SiC外延层的上方除了N型欧姆接触掺杂区以外的区域设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层的上方设有H‑3放射性同位素源。本发明设计新颖合理，可以有效解决H‑3在表面的辐照生载流子复合损耗问题，有效提高了同位素电池的输出功率、能量转换效率。
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公开(公告)号：CN106014456A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610585497.7
申请日：2016-07-22
Applicant: 长安大学
CPC classification number: E21D11/003 , E21D11/10 , E21D11/105 , E21D11/107 , E21D11/38 , E21D11/383
Abstract: 本发明公开了一种双层衬砌特殊类圆形断面矿山法隧道结构及其施工方法，目的在于，通过类圆形断面与二次衬砌、三次衬砌的双层衬砌构造型式，以及二次衬砌达到强度要求后再拆除内部临时型钢支撑的工序要求，保证了隧道施工过程中变形可控与周边环境安全，实现了特殊要求下的矿山法隧道结构型式，所采用的技术方案为：将常规的隧道断面型式优化为类圆形断面，同时将常规的衬砌结构分为二次衬砌+三次衬砌的复合式结构，并待二次衬砌达到设计强度后再拆除内部临时型钢支撑，使得双层衬砌特殊类圆形断面矿山法隧道结构具有断面轮廓线型圆顺、受力合理、断面布置灵活且内部空间调整幅度大、支护结构体系受力可靠的优点。
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