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公开(公告)号：CN105448374A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510784821.3
申请日：2015-11-16
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
CPC classification number: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅PIN埋层结构同位素电池及其制造方法，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，提高集成度和实用性，本发明的电池所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的SiC衬底、第一N型SiC外延层、P型SiC外延层和第二N型SiC外延层，第二N型SiC外延层上开设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，沟槽底部延伸至P型SiC外延层，若干个台阶的顶部中间位置均开设有凹槽，凹槽内设置N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，N型欧姆接触电极的形状与N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同，N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；相邻台阶之间的沟槽底部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极与P型SiC外延层接触。
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公开(公告)号：CN116862984B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202310839460.2
申请日：2023-07-10
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供了一种相机的空间位姿估计方法，属于相机位姿估计技术领域，包括：将相机拍摄的图像的特征点与相机拍摄的图像的像素点所对应的真实世界的点进行匹配，得到一组匹配特征点；在相机坐标系下，构建第一角度图模型；在现实世界坐标系下，构建第二角度图模型；将第一角度图模型和第二角度图模型中的对应边的值相减，获得角度差分图；与其他特征点的相连边数最少的特征点；根据正确匹配的特征点之间的位置关系，利用LHM算法估计相机的空间位姿。该方法能够获取精准的相机位姿。
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公开(公告)号：CN111835419B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202010677055.1
申请日：2020-07-14
Applicant: 长安大学
IPC: H04B10/116 , H04K1/02 , H04N5/235
Abstract: 一种CMOS摄像头可见光通信的数据保密传输方法，包括以下步骤：发送数据时，将原数据码和错码进行间隔编码；接收数据时，根据间隔错码长度对CMOS摄像头的快门时间进行调整，使CMOS摄像头在成像时进行相应时间长度的光积分，拍摄得到明暗条纹图像，并通过图像处理技术从图像的明暗条纹中提取出原始数据信息；如果拍摄时的快门时间不正确，得到的图像中明暗条纹与原始数据不同，在不知道间隔错码特征信息的情况下无法获得原始数据。通过本发明方法，只有在已知加密规则的情况下才能接收到正确的原始数据，反之，则无法获得原始数据。该方式简单有效，保证了数据传输的安全性和完整性。
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公开(公告)号：CN109412397B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201811060751.7
申请日：2018-09-12
Applicant: 长安大学
IPC: H02M1/14
Abstract: 本发明公开了一种脉冲宽度调制电流模式开关电源二次斜波补偿电路，包括：谐波产生电路，用于通过参考电压产生谐波信号Vramp和时钟信号CLK，以及：二次斜波补偿电路，用于根据所述的谐波信号Vramp和时钟信号CLK产生输入电流Islope，该输入电流Islope与外部电流Isense同时流入电阻Rsense，产生电压Vsense，以消除谐波震荡。本发明利用MOS管在导通时的漏源电流与栅源电压的关系，设计的斜波补偿电路可以根据开关的占空比产生一个与占空比成二次方的斜波补偿电流，从而实现斜波补偿目的。该技术可以提高DC‑DC转换器的负载能力，同时在电路实现上具有简单轻便的特点，可以降低补偿电路自身的功耗和所需的芯片面积。
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公开(公告)号：CN105553023B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201610040808.1
申请日：2016-01-21
Applicant: 长安大学
IPC: H02J7/00
Abstract: 本发明公开了一种多环路复合型开关式电池充电转换器电路，包括多环路反馈复合型误差放大单元、恒压充电单元、电压低钳位单元和恒流充电单元，本发明的多环路反馈复合型误差放大单元合并了恒流充电、恒压充电和输入电压低钳位三个控制环路单元，可以有效地解决转态过程连续性不平顺问题；采用输入电压低钳位设计使得充电电压降低时不至于降到太低导致停止充电，本发明先合多环路再补偿的设计可大大减少电路的占用面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105448375B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510786191.3
申请日：2015-11-16
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅PIN型同位素电池及其制造方法，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，有利于集成，实用性强，设计新颖合理，方便实现，本发明的电池所采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底和设置在所述衬底上部的N型SiC外延层，N型外延层上刻蚀形成多个台阶，在台阶顶部的中间位置设置有N型SiC欧姆接触掺杂区，在台阶底部设置有P型SiC欧姆接触掺杂区，所述N型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同的N型欧姆接触电极，所述P型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有形状与所述P型SiC欧姆接触掺杂区形状相同的P型欧姆接触电极；所述台阶顶部除去N型欧姆接触电极的区域设置有α放射源。
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公开(公告)号：CN105553023A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610040808.1
申请日：2016-01-21
Applicant: 长安大学
IPC: H02J7/00
CPC classification number: H02J7/0052 , H02J2007/0059
Abstract: 本发明公开了一种多环路复合型开关式电池充电转换器电路，包括多环路反馈复合型误差放大单元、恒压充电单元、电压低钳位单元和恒流充电单元，本发明的多环路反馈复合型误差放大单元合并了恒流充电、恒压充电和输入电压低钳位三个控制环路单元，可以有效地解决转态过程连续性不平顺问题；采用输入电压低钳位设计使得充电电压降低时不至于降到太低导致停止充电，本发明先合多环路再补偿的设计可大大减少电路的占用面积。
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公开(公告)号：CN105448376A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510786195.1
申请日：2015-11-16
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
CPC classification number: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅肖特基结型同位素电池及其制造方法，目的在于：提升输出功率和能量转化效率，提高封装密度，本发明的电池所采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底，衬底上部设置有N型SiC外延层，所述N型SiC外延层上设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述若干个台阶的顶部中间位置均开设有凹槽，凹槽内设置有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，所述N型欧姆接触电极的形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同，所述N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有肖特基接触电极。
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公开(公告)号：CN116862984A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310839460.2
申请日：2023-07-10
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供了一种相机的空间位姿估计方法，属于相机位姿估计技术领域，包括：将相机拍摄的图像的特征点与相机拍摄的图像的像素点所对应的真实世界的点进行匹配，得到一组匹配特征点；在相机坐标系下，构建第一角度图模型；在现实世界坐标系下，构建第二角度图模型；将第一角度图模型和第二角度图模型中的对应边的值相减，获得角度差分图；与其他特征点的相连边数最少的特征点；根据正确匹配的特征点之间的位置关系，利用LHM算法估计相机的空间位姿。该方法能够获取精准的相机位姿。
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公开(公告)号：CN111215399A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010124556.7
申请日：2020-02-27
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种惰性离子清洗及热处理降低二次电子发射系数的方法，将待测样品分别在酒精和去离子水中超声清洗后采用惰性气体烘干，然后将烘干后的待测样品放置于真空室内，利用惰性气体填充真空室使真空室内气压维持至1.4×10-4-1.8×10-4Pa；利用离子枪进行离子清洗，离子能量为900-1000eV，离子枪发射电流为9-11mA，离子清洗时间为10min至30min；离子清洗完成后，关闭离子枪电源，利用惰性气体充斥至少30min，完成利用惰性离子清洗降低二次电子发射系数，本发明可最大程度去除表面污染，并还原样品原有的表面状态，从而大幅降低二次电子发射系数，本发明能够在需要降低二次电子发射的领域中，以及希望获得平滑表面及准确二次电子发射特性的应用中，应当选取适当的离子清洗强度，避免过强离子清洗。
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