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公开(公告)号：CN108962418B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201810130364.X
申请日：2018-02-08
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 一种Pm‑147碳化硅缓变肖特基同位素电池，包括衬底，衬底下方设置N型欧姆接触电极，衬底上部设置第一N型SiC外延层，第一N型SiC外延层上部设置第二N型SiC外延层，在第二N型SiC外延层的顶部设有若干肖特基电极，在第二N型SiC外延层的顶部除去肖特基电极的区域设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层的上方设有Pm‑147放射性同位素源。本发明的Pm‑147碳化硅肖特基同位素电池采用两层掺杂浓度不同的N型层替代常规的N型，通过在辐照生载流子的扩散区中引入电场，将载流子的扩散运动转变成扩散运动和漂移运动的结合，有利于减少辐照生载流子的复合损耗，从而提升电池的输出功率。
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公开(公告)号：CN110556192B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201810129786.5
申请日：2018-02-08
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种Pm‑147碳化硅缓变PN型同位素电池及其制造方法，该同位素电池的结构自下而上包括N型欧姆接触电极，N型高掺杂SiC衬底，N型SiC外延层，N型SiC外延层，P型SiC外延层，P型SiC欧姆接触掺杂层，在P型SiC欧姆接触掺杂区的顶部中心处设有P型欧姆接触电极，在在P型SiC欧姆接触掺杂区的顶部除去P型欧姆接触电极的区域设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层的上方设有Pm‑147放射性同位素源。本发明设计新颖合理，可以有效解决Pm‑147在材料深处的电离能量沉积的收集问题，有效提高了同位素电池的输出功率、能量转换效率。
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公开(公告)号：CN105448374A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510784821.3
申请日：2015-11-16
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
CPC classification number: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅PIN埋层结构同位素电池及其制造方法，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，提高集成度和实用性，本发明的电池所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的SiC衬底、第一N型SiC外延层、P型SiC外延层和第二N型SiC外延层，第二N型SiC外延层上开设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，沟槽底部延伸至P型SiC外延层，若干个台阶的顶部中间位置均开设有凹槽，凹槽内设置N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，N型欧姆接触电极的形状与N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同，N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；相邻台阶之间的沟槽底部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极与P型SiC外延层接触。
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公开(公告)号：CN111353259A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010124577.9
申请日：2020-02-27
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种金属二次电子发射系数计算方法，考虑入射电子在材料中散射并激发内二次电子，内二次电子向表面运动，并发生级联散射，表面处的内二次电子越过表面势垒形成二次电子发射，建立依次考虑上述过程涉及的物理机制的金属二次电子发射系数半经验公式，对电子射程与内二次电子能量分布函数进行优化，并考虑了斜入射和背散射修正，获得金属的二次电子发射系数半经验公式，结果表明，优化公式计算结果与实验测量结果的相对误差不超过20％，相对于以往公式相对误差至少降低了10％，验证了优化公式的可靠性和普适性，本发明相对于其他传统的实验测量方法和蒙特卡洛计算方法，能够大幅缩短计算时间，使用更加简洁、方便，并且结果精准。
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公开(公告)号：CN110556193A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201810130366.9
申请日：2018-02-08
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06 , H01L31/0312 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种Pm-147碳化硅缓变N区同位素电池及其制造方法，该同位素电池的结构自下而上包括N型欧姆接触电极，N型高掺杂SiC衬底，N型SiC外延层，N型SiC外延层，在N型SiC外延层上部采用离子注入形成P型SiC欧姆接触掺杂区，在P型SiC欧姆接触掺杂区的顶部中心处设有P型欧姆接触电极，在P型SiC欧姆接触掺杂区的顶部除去P型欧姆接触电极的区域设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层的上方设有Pm-147放射性同位素源。本发明设计新颖合理，可以有效解决Pm-147在材料深处的电离能量沉积的收集问题，有效提高了同位素电池的输出功率、能量转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109412397A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811060751.7
申请日：2018-09-12
Applicant: 长安大学
IPC: H02M1/14
Abstract: 本发明公开了一种脉冲宽度调制电流模式开关电源二次斜波补偿电路，包括：谐波产生电路，用于通过参考电压产生谐波信号Vramp和时钟信号CLK，以及：二次斜波补偿电路，用于根据所述的谐波信号Vramp和时钟信号CLK产生输入电流Islope，该输入电流Islope与外部电流Isense同时流入电阻Rsense，产生电压Vsense，以消除谐波震荡。本发明利用MOS管在导通时的漏源电流与栅源电压的关系，设计的斜波补偿电路可以根据开关的占空比产生一个与占空比成二次方的斜波补偿电流，从而实现斜波补偿目的。该技术可以提高DC-DC转换器的负载能力，同时在电路实现上具有简单轻便的特点，可以降低补偿电路自身的功耗和所需的芯片面积。
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公开(公告)号：CN106158943A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610497719.X
申请日：2016-06-28
Applicant: 长安大学
IPC: H01L29/74 , H01L29/16 , H01L29/06 , H01L21/332
CPC classification number: H01L29/74 , H01L29/0684 , H01L29/1608 , H01L29/66068
Abstract: 本发明公开了一种N沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的第二P型欧姆接触电极、P型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC漂移层和N型SiC电流增强层，N型SiC电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，台阶的顶端设置有N型SiC欧姆接触层，N型SiC欧姆接触层的上部设置有N型欧姆接触电极，沟槽内设置有P型SiC欧姆接触区，P型SiC欧姆接触区与台阶侧面和沟槽的底部接触，位于沟槽底部的P型SiC欧姆接触区的上部设置有第一P型欧姆接触电极，第二P型欧姆接触电极、N型欧姆接触电极和第一P型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层。
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公开(公告)号：CN119763685A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411851035.6
申请日：2024-12-16
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明涉及了二次电子发射技术领域，具体涉及了碳薄膜与矩形槽协同作用下二次电子发射分析方法及系统，方法通过构建无定形碳薄膜与矩形槽协同作用下二次电子发射数值模拟模型。电子入射无定形碳薄膜后，依第一条件定散射类型，满足则按Mott散射理论模拟弹性散射，否则依Penn介电函数模型算非弹性散射。电子运动至材料界面，若满足克服界面势垒条件则出射，计为二次电子发射并终止模拟。该模型综合多因素，精准模拟二次电子发射过程，考虑协同作用使结果更贴合实际，散射模拟精细且具针对性，合理判断电子出射与模拟终止，对材料研究与电子器件设计有重要助力，可优化材料性能、预测器件表现。
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公开(公告)号：CN111215399A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010124556.7
申请日：2020-02-27
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种惰性离子清洗及热处理降低二次电子发射系数的方法，将待测样品分别在酒精和去离子水中超声清洗后采用惰性气体烘干，然后将烘干后的待测样品放置于真空室内，利用惰性气体填充真空室使真空室内气压维持至1.4×10-4-1.8×10-4Pa；利用离子枪进行离子清洗，离子能量为900-1000eV，离子枪发射电流为9-11mA，离子清洗时间为10min至30min；离子清洗完成后，关闭离子枪电源，利用惰性气体充斥至少30min，完成利用惰性离子清洗降低二次电子发射系数，本发明可最大程度去除表面污染，并还原样品原有的表面状态，从而大幅降低二次电子发射系数，本发明能够在需要降低二次电子发射的领域中，以及希望获得平滑表面及准确二次电子发射特性的应用中，应当选取适当的离子清洗强度，避免过强离子清洗。
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公开(公告)号：CN108880469A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810359475.8
申请日：2018-04-20
Applicant: 长安大学
IPC: H02S50/10
CPC classification number: H02S50/10
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池参数提取的方法，包含以下步骤：1)根据基尔霍夫电流定律得到理想的单二极管太阳能电池等效电路的电流电压特性方程，建立太阳能电池单二极管模型；2)利用半导体测试仪测出太阳能电池的I～V曲线，并结合单二极管模型中I～V曲线获得参数开路电压Voc、短路电路Isc来提取未知参数并联电阻Rsh；3)通过引入临时参数Rso、no并进行多次迭代计算来确定未知参数串联电阻Rs、理想因子n；4)通过上述所求得参数值带入公式变形中求未知参数光电流Iph、反向饱和电流I0。
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