公开(公告)号：CN103964367B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410033777.8

申请日：2014-01-24

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 林义真 ,  A·C·迈克奈尔 ,  M·E·施拉曼

IPC: B81B7/02

CPC classification number: H02N1/006 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/058 ,  B81C1/00976

Abstract: 本发明涉及抗静摩擦的MEMS器件及其操作方法。MEMS器件（20）包括通过有弹簧常数（104）的弹簧构件(34)悬挂在衬底（22）之上的可移动元件（20）。弹簧软化电压（58）在上电模式期间100）被施加于面对可移动元件（20）的电极（24、26）以减小弹簧构件(34)的刚度，并且从而增加可移动元件（32）对输入刺激（46）的灵敏度。一旦检测到静摩擦条件（112），弹簧软化电压（58）被有效地移除以从静摩擦条件（112）恢复可移动元件（32）。较高的机械弹簧常数（104）在未上电模式（96）期间产生有较大恢复力（122）的硬弹簧34）以从静摩擦条件（112）恢复。反馈电压（56）可以被施加于面对可移动元件（32）的反馈电极28、30）以提供电阻尼。

公开(公告)号：CN102745641B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201210114188.3

申请日：2012-04-18

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 林义真 ,  G·G·李 ,  A·C·迈克奈尔 ,  L·Z·张 ,  T·F·米勒

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2203/0307

Abstract: 一种MEMS装置(20)包括验证质块(32)，其耦接到不可移动结构(30)并且围绕所述不可移动结构。不可移动结构(30)包括从该结构(30)的主体(34)向外延伸的固定指(36，38)。验证质块(32)包括可移动指(60)，其每一都设置在一对(62)固定指(36，38)之间。主体(34)的中央区域(32)耦接到下面的基板(24)，而验证质块(32)和不可移动结构(30)的其余部分悬置在基板(24)上方，以将MEMS装置(20)与封装应力极大地隔离开。另外，MEMS装置(20)包括隔离沟槽(80)和互谅(46，50，64)，从而将固定指(36)、固定指(38)、可移动指(60)彼此电隔离，以形成差分装置结构。

公开(公告)号：CN102401706B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201110240721.6

申请日：2011-08-22

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 林义真 ,  M·E·施拉曼 ,  H·D·德赛 ,  朴佑泰

IPC: G01L1/14 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00309 ,  B81B2201/0264 ,  G01L9/0073 ,  Y10T29/49126

Abstract: 一种微机电系统(MEMS)压力传感器件(20、62)及其制造方法。该器件包括其中形成有腔(32、68)的衬底结构(22、64)和其中形成有基准元件(36)的衬底结构(24)。感测元件(44)置于衬底结构(22、24)之间并且与基准元件(36)隔开。感测元件(44)经由腔(68)和基准元件(36)中形成的多个开口(38)中的一个而暴露于外部环境(48)。感测元件(44)能够响应于来自环境(48)的压力激励(54)而相对于基准元件(36)移动。制造方法(76)涉及形成(78)具有腔(32、68)的衬底结构(22、64)、制造(84)包括感测元件(44)的衬底结构(24)、耦接(92)衬底结构和随后在衬底结构(24)中形成(96)基准元件(36)。

公开(公告)号：CN102401706A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110240721.6

申请日：2011-08-22

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 林义真 ,  M·E·施拉曼 ,  H·D·德赛 ,  朴佑泰

IPC: G01L1/14 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00309 ,  B81B2201/0264 ,  G01L9/0073 ,  Y10T29/49126

Abstract: 一种微机电系统(MEMS)压力传感器件(20、62)及其制造方法。该器件包括其中形成有腔(32、68)的衬底结构(22、64)和其中形成有基准元件(36)的衬底结构(24)。感测元件(44)置于衬底结构(22、24)之间并且与基准元件(36)隔开。感测元件(44)经由腔(68)和基准元件(36)中形成的多个开口(38)中的一个而暴露于外部环境(48)。感测元件(44)能够响应于来自环境(48)的压力激励(54)而相对于基准元件(36)移动。制造方法(76)涉及形成(78)具有腔(32、68)的衬底结构(22、64)、制造(84)包括感测元件(44)的衬底结构(24)、耦接(92)衬底结构和随后在衬底结构(24)中形成(96)基准元件(36)。