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公开(公告)号：WO2018207972A1
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：PCT/KR2017/008409
申请日：2017-08-03
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/00
Abstract: 본 발명은 OMO 구조의 투명 전극이 적용된 투명하고 유연한 저항 변화 메모리 및 그 제조방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 기판 상부에 적층되고 산화물층, 금속층 및 산화물층이 순차적으로 적층되는 구조로 형성된 하부 전극 및 상기 하부 전극과 교차하는 형태로 그 상부에 적층되고 산화물층, 금속층 및 산화물층이 순차적으로 적층되는 구조로 형성된 상부 전극을 포함하고, 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 간의 교차점에서 상기 하부 전극의 금속층과 상기 상부 전극의 금속층 사이에 위치한 산화물층이 저항 변화층으로 기능하게 함으로써, 우수한 전기전도도를 확보하면서 유연하고 투명한 저항 변화 메모리를 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2016148435A1
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：PCT/KR2016/002362
申请日：2016-03-09
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 금속 메쉬 구조를 갖는 투명 전극 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 투명 전극을 공개한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른, 금속 메쉬 구조를 갖는 투명 전극 제조 방법은, 기판위에 제 1 금속을 증착하여 기판 위에 서로 분리된 복수의 제 1 금속 결정체들을 형성하고, 제 1 금속 결정체들 사이를 금속 메쉬를 구성할 제 2 금속들로 채운 후 열처리를 수행하여, 선폭이 나노 사이즈인 제 2 금속으로 형성된 금속 메쉬를 형성하고, 금속 메쉬 사이 공간을 투명하면서도 전도도가 높은 제 1 금속과 제 2 금속의 산화물인 투명 결정체로 채운다. 따라서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명 전극은 사진 시각 공정과 같은 복잡한 공정을 적용하지 않고서도 기판위에 선폭이 나노 사이즈인 금속 메쉬를 형성할 수 있을뿐만 아니라, 기판 상부면 전체를 금속 메쉬와 높은 전도도 및 투과도를 갖는 투명 결정체로 형성함으로써 용이하게 전류를 기판 전체로 확산시키면서도 기존의 금속 메쉬의 문제점인 금속 메쉬의 투과도 편차 또는 Haze 현상을 제거하는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种制造具有金属网状结构的透明电极的方法和使用该透明电极制造的透明电极。 一种制造根据本发明优选实施例的具有金属网结构的透明电极的方法：通过在所述基底上气相沉积第一金属，在基底上形成彼此分离的多个第一金属晶体; 通过填充第一金属晶体与第二金属之间的间隙以形成金属网，然后通过对其进行热处理，使用具有纳米尺寸线宽的第二金属形成金属网; 并且将金属网之间的间隙填充为透明晶体，该透明晶体是第一金属和第二金属的氧化物，其是透明的并且具有高导电性。 结果，根据优选实施例的透明电极不仅可以在基板上形成具有纳米尺寸线宽的金属网，而且不需要诸如光蚀刻的复杂工艺，而且还具有容易将电流扩散到 并且通过使用金属网形成基板的整个顶表面，并且通过形成具有高导电性和透射率的透明晶体来消除金属网的透射率变化或雾度现象的现有问题。
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公开(公告)号：WO2014133232A1
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：PCT/KR2013/006803
申请日：2013-07-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/1884 , H01L51/444 , Y02E10/549
Abstract: 본 발명은 투명 전극을 구비하는 수광소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명의 바람직한 실시예는 광을 흡수하여 전기 에너지를 생성하는 광전 변환층에 접촉하도록 투명 전극을 형성하되, 투명 전극은 빛의 전 영역에 대한 투과도가 높고, 물질에 고유한 임계전압을 초과하는 전압이 인가되면, 내부에 전류가 흐를 수 있는 전도성 필라멘트들이 형성되어, 물질의 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화된 저항변화 물질로 형성되었다. 따라서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명 전극은 광의 전 파장 영역에 대해서 높은 광투과 특성을 나타냄과 동시에 높은 전기 전도도 특성을 나타내므로 본 발명의 수광소자는 높은 광전 변환 효율을 나타내면서도 양호한 전기적 특성을 나타낸다.
Abstract translation: 本发明涉及具有透明电极的光接收元件及其制造方法。 根据本发明的优选实施例，透明电极形成为与通过吸收光产生电能的光电转换层接触。 透明电极由在整个光线范围内具有高透射率的电阻切换材料制成，并且形成在其中流过电流的导电细丝，使得如果超过固有阈值电压的电压施加到材料上，则电阻状态 的材料从高电阻状态切换到低电阻状态。 因此，由于根据本发明的优选实施方式的透明电极不仅在光的整个波长范围内具有高的透光率，而且具有高导电性，因此根据本发明的光接收元件具有高的光电转换效率和良好的 电性能。
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公开(公告)号：WO2013122328A1
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：PCT/KR2013/000206
申请日：2013-01-10
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/60 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058 , H01L2933/0091
Abstract: 본 발명은 제조 비용을 줄이면서 대면적에서 나노 패턴의 형성을 가능하게 하고 광 추출 효율을 높일 수 있는 발광 소자 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 발광 소자에 관한 것이다. 일례로, 순차적으로 형성된 제 1 도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조체를 준비하는 발광 구조체 준비 단계; 상기 제 2 도전형 반도체층의 상부를 요철 패턴을 가지는 광 추출층으로 형성하는 광 추출층 형성 단계; 상기 광 추출층이 형성된 상기 발광 구조체를 나노 물질들이 분산된 용액에 디핑하는 디핑 단계; 및 상기 나노 물질들을 상기 광 추출층 상에 흡착시키는 흡착 단계를 포함하며, 상기 흡착 단계에서 상기 나노 물질들이 상기 광 추출층에 부분적으로 흡착되어 상기 광 추출층 상에 복수의 요철을 형성하는 나노 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법이 개시된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造发光器件的方法和使用该发光器件制造的发光器件，其可以降低制造成本，在大面积上形成纳米图案，并且提高光提取效率。 本发明的一个实施例公开了一种发光器件的制造方法，包括：发光结构制备步骤，用于制备包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层的发光结构 ，依次形成; 光提取层形成步骤，用于形成具有不均匀图案的光提取层的第二导电半导体层的上部; 将具有光提取层的发光结构浸渍在其中分散有纳米材料的溶液中的浸渍步骤; 以及用于将纳米材料吸附到光提取层的吸收步骤。 在吸收步骤中，将纳米材料部分地吸收到光提取层，使得在光提取层上形成具有多个不均匀部分的纳米图案。
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公开(公告)号：WO2017222116A1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：PCT/KR2016/012452
申请日：2016-11-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 유리기판; 상기 유리기판 위에 복수 개가 배치되며, 미리 설정되는 소정 전압이 가해지는 패드부; 적어도 2개 이상의 상기 패드부와 전기적으로 연결되며, 탐침에 의해 전류값이 측정되는 패턴부; 상기 패드부와 상기 패턴부 사이를 전기적으로 연결하는 연결부;를 포함하는 나노 스케일 분석 장비의 보정 표준 시편을 제공한다.
Abstract translation: 玻璃基板; 布置在玻璃基板上并施加有预定电压的多个焊盘; 图案部分，电连接到至少两个焊盘部分并通过探针测量电流值; 以及用于电连接焊盘部分和图案部分的连接部分。提供了纳米级分析设备的校准标准样品。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2014046373A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/KR2013/004975
申请日：2013-06-05
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L51/5215 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0591 , H01L51/102 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/52 , H01L51/5212 , H01L51/5234 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/305 , H01L2251/308 , H05B33/26
Abstract: 본 발명은 전도성 필라멘트가 형성된 투명 전극을 구비하는 유기 발광소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 자외선 영역의 빛에 대한 투과도가 높고, 물질에 고유한 임계전압을 초과하는 전압이 인가되면, 내부에 전류가 흐를 수 있는 전도성 필라멘트가 형성되어, 물질의 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되는 저항변화 물질로 유기 발광소자의 투명 전극을 형성함으로써, 유기 발광소자에서 발생하는 가시광선 영역의 빛뿐만 아니라 자외선 영역의 빛에 대해서도 높은 광투과율을 나타낼뿐만 아니라, 유기 반도체층을 구성하는 유기물층과 오믹 컨택이 이루어져 전기 전도도가 양호한 투명 전극을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명은 투명 전극의 상부 또는 하부에 전도성 및 광투과도 특성이 우수한 CNT 또는 그래핀으로 구현되는 전류 확산층을 형성하여 투명 전극 내부에 형성된 전도성 필라멘트들을 상호 연결시킴으로써 투명 전극으로 유입된 전류를 유기물층 전체로 확산시켜 전류 집중 현상을 방지할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种设置有具有导电丝的透明电极的有机发光二极管及其制造方法。 本发明具有有机发光二极管的透明电极，其中，所述透明电极对于紫外线区域的光具有高透射率，其中当超过本征临界电压的电压施加到电流时，电流流过的导电细丝 材料，并且由用于将材料的电阻状态从高电阻状态改变为低电阻状态的电阻变化材料形成，使得本发明可以获得在可见光中可以表现出高的光透射率的透明电极 区域和光，并且可以通过与构成有机半导体层的有机层欧姆接触而显示高电导率。 此外，通过在透明电极的上部或下部形成具有优异的导电性和透光性的在石墨烯或CNT上形成作为石墨烯或CNT的电流扩散层，本发明使形成在透明电极内部的导电细丝彼此连接，使得 可以通过向所有有机层扩散引入到透明电极的电流来防止电流浓度。
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公开(公告)号：WO2014010779A1
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：PCT/KR2012/007256
申请日：2012-09-10
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 김태근 , 김희동
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0025 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: 본 발명은 자외선 영역의 빛에 대해서 높은 광투과도를 나타내면서도 반도체층에 대해서 양호한 오믹 콘택 특성을 나타내는 투명 전극을 구비하는 발광소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 자외선 영역의 빛에 대한 투과도가 높고, 물질에 고유한 임계전압을 초과하는 전압이 인가되면, 내부에 전류가 흐를 수 있는 전도성 필라멘트가 형성되어, 물질의 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되는 저항변화 물질로 발광소자의 투명 전극을 형성함으로써, 발광소자에서 발생하는 가시광선 영역의 빛뿐만 아니라 자외선 영역(특히, 340nm~280nm 파장 영역 및 280nm 이하의 파장 영역의 자외선)의 빛에 대해서도 높은 광투과율을 나타낼뿐만 아니라, 투명 전극의 전도도가 높아, 반도체층과 양호한 오믹 접촉 특성을 나타낸다. 또한, 본 발명은 투명 전극의 상부 또는 하부에 전도성 및 광투과도 특성이 우수한 CNT 또는 그래핀으로 구현되는 전류 확산층을 형성하여 투명 전극 내부에 형성된 전도성 필라멘트들을 상호 연결시킴으로써 투명 전극으로 유입된 전류를 반도체층 전체로 확산시켜 전류 집중 현상을 방지할 수 있다.
Abstract translation: 本发明提供：尽管相对于紫外线区域的光具有高的光透射率，但是发光元件具有相对于半导体层具有良好的欧姆接触特性的透明电极; 及其制造方法。 本发明涉及形成相对于紫外线区域的光具有高透射率的导电细丝，并且当施加超过物质固有的阈值电压的电压时，允许电流在其内部流动，并且涉及 从电阻状态从物质的高电阻状态向低电阻状态变化的可变电阻物质形成发光元件的透明电极，因此在本发明中，不仅高光 除了从发光元件发射的可见光中的光之外，紫外线区域（特别是在340nm至280nm波长区域中的紫外线和280nm以下的波长区域）中的光的透射率，以及 透明电极高，并且表现出与半导体层的良好的欧姆接触特性。 另外，本发明通过将由透明电极感应出的电流扩展到整个半导体层，可以防止电流拥挤的现象; 这是通过在透明电极的上部或下部形成具有优异的导电性和光透射特性的CNT或石墨烯制成的电流扩散层，并且使形成在透明电极中的导电细丝互相连接来实现的。
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公开(公告)号：WO2013176484A1
公开(公告)日：2013-11-28
申请号：PCT/KR2013/004490
申请日：2013-05-22
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/42
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/14 , H01L33/387 , H01L2933/0016
Abstract: 본 발명은 투명 전극 및 투명 전극 형성 방법을 공개한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명 전극은, 투명 전극이 형성될 반도체층과 오믹 접촉이 이루어지면서도 전도성이 높은 제 1 전극을 반도체층 위에 패턴으로 형성하고, 패턴으로 형성된 제 1 전극들 사이를 가시광 영역뿐만 아니라 자외선 영역까지의 빛의 투과도가 높은 제 2 전극으로 채움으로써, 반도체층과 오믹 특성이 양호하면서도 자외선 영역을 포함한 빛의 투과도가 우수한 투명 전극을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 일시예에 따른 투명 전극은 반도체층 위에 전도성과 투과도가 우수한 CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀(graphene) 등으로 형성되는 전류 확산층을 박막으로 형성하고, 그 위에 상술한 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성함으로써, 양호한 오믹 특성 및 우수한 빛의 투과도 특성 이외에도, 양호한 전류 확산 효과를 더 나타낼 수 있다.
Abstract translation: 公开了透明电极和形成透明电极的方法。 本发明的一个优选实施例提供了一种具有半导体层的良好欧姆特性的透明电极和包括紫外线区域的优异的透光性，通过以下方式形成具有高导电性的第一电极和与其上透明的半导体层的欧姆接触的第一电极 电极将被形成，并且通过填充形成为图案的第一电极之间的空间与第二电极。 此外，根据本发明另一实施例的透明电极可以通过将作为薄膜的电流扩散层形成为电流扩散层，从而可以进一步表现出良好的电流扩散效应以及良好的欧姆特性和优异的透光性 在半导体层上具有优异的导电性和透射率的碳纳米管（CNT），石墨烯等，并且通过在电流扩散层上形成上述第一和第二电极。
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公开(公告)号：WO2012138016A1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：PCT/KR2011/006034
申请日：2011-08-17
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 김태근 , 안호명
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C11/34 , G11C13/0002 , H01L29/42332 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7881 , H01L29/792
Abstract: 본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 종래의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자의 블로킹 절연막을, 평상시에 고저항 상태를 유지하다가 문턱전압 이상의 전압이 인가되는 동안에만 저저항 상태로 변화되고 인가되는 전압을 제거하면 다시 고저항 상태로 환원되는 문턱전압 스위칭 물질로 대체하고, 게이트 전극층에 문턱 전압 이상의 전압 펄스를 인가하여, 게이트 전극층으로부터 문턱전압 스위칭 물질로 이루어진 절연막을 통해서 전하 포획층으로 전하를 주입하여 프로그램을 수행한다. 따라서, 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는 프로그램시에 터널링을 이용하지 않을뿐만 아니라, 문턱전압 스위칭 물질의 저항 상태를 저저항 상태로 변환하여 프로그램을 수행한 후, 전하 포획층에 포획된 전하를 유지하기 위해서, 문턱전압 스위칭 물질의 저항 상태를 다시 고저항 상태로 변환하기 위한 별도의 전압 펄스를 인가하지 않아도 되므로, 종래의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자에 비해서 신속한 프로그램이 가능하다. 또한, 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는 프로그램시에 터널링 방식을 이용하지 않으므로, 전하 포획층과 기판 사이의 절연막을 두께를 충분히 두껍게 형성하여 10년 이상의 데이터 보유 특성을 확보할 수 있으므로, 기존의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자에 비하여 신뢰성이 높다.
Abstract translation: 非易失性存储器件及其制造方法技术领域本发明涉及非易失性存储器件及其制造方法。 根据本发明，具有典型SONOS结构的非易失性存储器件的隔离绝缘层被阈值电压切换材料所替代，阈值电压切换材料仅在施加大于阈值电压的电压时变为低电阻状态，同时保持 在正常条件下具有高电阻状态，并且当施加的电压被去除时返回到高电阻状态。 本发明通过在向栅电极层施加大于阈值电压的电压脉冲之后，通过由阈值电压开关材料形成的绝缘层将电荷从栅电极层注入电荷陷阱层来执行程序。 因此，本发明的非易失性存储器件在编程期间不使用隧道，并且将阈值电压切换材料的电阻状态改变为低电阻状态以便运行程序。 此外，为了保持陷在电荷陷阱层中的电荷，不需要额外的电压脉冲，以将阈值电压切换材料的电阻状态再次转换为高电阻状态。 因此，与具有典型SONOS结构的非易失性存储器件相比，快速编程是可能的。 此外，由于本发明的非易失性存储器件在编程期间不使用隧道法，所以可以通过在绝缘层和基片之间形成足够的厚度来获得最少10年的数据保持。 因此，与具有典型SONOS结构的非易失性存储器件相比，可以进一步提高可靠性。
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公开(公告)号：WO2023014042A1
公开(公告)日：2023-02-09
申请号：PCT/KR2022/011388
申请日：2022-08-02
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 크로스토크(Cross-talk) 현상을 방지할 수 있는 저항변화 스위칭 전극을 갖는 마이크로 발광소자 디스플레이 장치 및 이의 구동 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 발광소자 디스플레이 장치는 기판; 상기 기판 상에 형성되는 발광부; 및 상기 발광부 상에 형성되고, 스위칭 전원에 의해 저항이 변화하도록 구성되는 저항변화 스위칭 전극;을 포함한다. 상기 저항변화 스위칭 전극은: 상기 발광부 상에 형성되는 하부 금속 라인; 상기 하부 금속 라인 상에 상기 하부 금속 라인과 교차하도록 형성되고, 절연체 물질을 포함하는 부도체 라인; 및 상기 부도체 라인 상에 적층되는 상부 금속 라인;을 포함한다.
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