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公开(公告)号：KR101400238B1
公开(公告)日：2014-05-29
申请号：KR1020080007186
申请日：2008-01-23
Applicant: 삼성전자주식회사 , 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L29/0665 , B81B2201/0271 , B81C1/00142 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/49 , H01L29/78 , Y10S977/936 , Y10S977/937 , Y10S977/938
Abstract: 공진 구조체가 개시된다. 본 공진 구조체는, 제1 단자, 상기 제1 단자와 대향 배치된 제2 단자, 상기 제1 단자 및 상기 제2 단자 사이를 연결하는 와이어부, 상기 와이어부와 일정거리 이격 배치되어, 상기 와이어부를 공진시키는 제3 단자 및, 상기 와이어부 상에 형성되며, 네거티브 저항 성분을 제공하는 포텐셜 배리어부를 포함한다. 이에 따라, 트랜스덕션 효율을 높일 수 있다.
공진 구조체, 와이어부, 포텐셜 베리어-
公开(公告)号：KR1020140052380A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020120118435
申请日：2012-10-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 고려대학교 산학협력단
IPC: H01P7/00
CPC classification number: H01L29/82 , B81B3/0078 , B81B2201/0271 , B82Y25/00 , G01N29/022 , G01N29/036 , H01L29/0673 , H01L29/42372 , H01L29/78 , Y10S977/762 , Y10S977/938
Abstract: Disclosed are a nanoresonance apparatus and a method for same, including at least one protruding portion on a gate electrode or a nanowire. The nanoresonance apparatus includes at least one gate electrode configured to generate a magnetic field; at least one protruding portion connecting a source electrode to a drain electrode and formed in a direction of the gate electrode; and a nanowire configured to resonate according to the magnetic field.
Abstract translation: 公开了一种纳米谐振装置及其方法，包括在栅电极或纳米线上的至少一个突出部分。 所述纳米谐振装置包括至少一个被配置为产生磁场的栅电极; 至少一个突出部分，其将源电极连接到漏电极并沿栅电极的方向形成; 以及配置成根据磁场共振的纳米线。
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公开(公告)号：KR101264077B1
公开(公告)日：2013-05-14
申请号：KR1020110075107
申请日：2011-07-28
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은밀리미터웨이브대역의회로및 소자를위한 MOS 버랙터로서, 기판의웰 영역에섬 모양으로안착된복수의게이트및 상기게이트위의게이트컨택을이용하여시리즈저항을줄이고 Q-인자를개선시킨 MOS 버랙터에관한것이다. 구체적으로본 발명은기판의웰 영역에서 (n×m)의행렬(단, n, m은각각 1보다큰 정수)로등 간격배열되는섬 모양게이트절연막및 상기게이트절연막상부에놓인제 1 높이(t1)의게이트전극; 상기게이트전극에접촉된게이트컨택; 상기게이트컨택과전기적으로연결된제 2 높이(t2, 단 t1
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公开(公告)号：KR101155860B1
公开(公告)日：2012-06-12
申请号：KR1020100022725
申请日：2010-03-15
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01P5/00
Abstract: 브랜치 라인 커플러가 개시된다. 브랜치 커플러는 두 개의 주 전송 선로, 및 두 개의 주 전송 선로 사이를 연결하는 두 개의 브랜치 라인을 포함한다. 또한, 브랜치 라인 사이에 위치하는 두 개의 주 전송 선로는, 두 개의 주 전송 선로가 브랜치 라인의 특성 임피던스의 배의 특성 임피던스를 가지고 브랜치 라인과 동일한 전기적 거리를 가지도록 설정된, 오픈 스텁을 포함한다. 이와 같이 브랜치 라인 커플러의 주 전송 선로에 오픈 스텁을 부가함으로써, 주전송 선로의 길이와 선폭을 감소시킬 수 있게 되어 브랜치 라인 커플러의 크기를 축소시킬 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1020110103587A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：KR1020100022725
申请日：2010-03-15
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01P5/00
Abstract: 브랜치 라인 커플러가 개시된다. 브랜치 커플러는 두 개의 주 전송 선로, 및 두 개의 주 전송 선로 사이를 연결하는 두 개의 브랜치 라인을 포함한다. 또한, 브랜치 라인 사이에 위치하는 두 개의 주 전송 선로는, 두 개의 주 전송 선로가 브랜치 라인의 특성 임피던스의 배의 특성 임피던스를 가지고 브랜치 라인과 동일한 전기적 거리를 가지도록 설정된, 오픈 스텁을 포함한다. 이와 같이 브랜치 라인 커플러의 주 전송 선로에 오픈 스텁을 부가함으로써, 주전송 선로의 길이와 선폭을 감소시킬 수 있게 되어 브랜치 라인 커플러의 크기를 축소시킬 수 있게 된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101013922B1
公开(公告)日：2011-02-14
申请号：KR1020080062016
申请日：2008-06-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 밀리미터 웨이브(millimeter wave) 등의 고주파 동작특성에도 불구하고 Q-인자(Q-factor)의 유지 및 개선과 더불어 상대적으로 넓은 튜닝범위(tuning range)를 확보할 수 있어 RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit) 등에 적용 가능한 MOS 버랙터가 구비된 반도체 집적회로 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 (a) 트랜지스터를 위한 제 1 활성영역과 버랙터를 위한 제 2 활성영역이 구분 정의된 실리콘기판을 준비하는 단계와; (b) 상기 제 1 활성영역에 제 1 두께(t1)의 제 1 게이트산화막 및 그 상부의 제 1 실리콘게이트를 포함하는 MOS 트랜지스터를 형성하고, 상기 제 2 활성영역에 제 2 두께(t2, 단 t2>t1)의 제 2 게이트산화막 및 그 상부의 제 2 실리콘게이트를 포함하는 MOS 버랙터를 형성하는 단계와; (f) 상기 MOS 트랜지스터와 MOS 버랙터를 덮는 보호막을 증착하는 단계와; (g) 상기 보호막을 덮는 low-k 절연체를 이용한 PMD(Poly Metal Dielectric)막을 증착하는 단계를 포함하는 MOS 버랙터가 구비된 반도체 집적회로의 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020100077160A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：KR1020107007618
申请日：2008-09-04
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: A61K38/16 , A61K31/7105 , A61P9/00
CPC classification number: C07K14/4703 , A61K31/7105 , A61K38/00 , C12N15/113 , C12N2310/14 , C12Q1/6883 , C12Q2600/136 , C12Q2600/158 , G01N33/5008 , G01N33/5061
Abstract: PURPOSE: A composition containing inhibitor of TRIM72 protein expression or activation for enhancing muscle or heart is provided to treat obesity and diabetes type 2 without side effects. CONSTITUTION: A composition for enhancing muscle or heart contains an inhibitor of TRIM72 protein expression or activation as an active ingredient. The TRIM72 protein has an amino acid sequence of sequence number 1 or 2. An inhibitor of TRIM72 expression or activation is TRIM72 siRNA(short interfering RNA) or transcription gene thereof. The TRIM72 siRNA has an nucleic acid of sequence number 3. A method for screening a muscle or heart enhancer comprises: a step of treating certain drug to animal cells in which TRIM72 protein is expressed; and a step of comparing with a control group to determine reduction of TRIM72 protein expression.
Abstract translation: 目的：提供含有TRIM72蛋白表达抑制剂或增强肌肉或心脏活化的组合物，用于治疗肥胖和2型糖尿病，无副作用。 构成：用于增强肌肉或心脏的组合物含有TRIM72蛋白表达或活化作为活性成分的抑制剂。 TRIM72蛋白具有序列号1或2的氨基酸序列。TRIM72表达或活化的抑制剂是TRIM72 siRNA（短干扰RNA）或其转录基因。 TRIM72 siRNA具有序列号3的核酸。用于筛选肌肉或心脏增强剂的方法包括：将某些药物处理至其中表达TRIM72蛋白质的动物细胞的步骤; 和与对照组进行比较以确定TRIM72蛋白表达降低的步骤。
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公开(公告)号：KR1020090113643A
公开(公告)日：2009-11-02
申请号：KR1020080039469
申请日：2008-04-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H03H9/462 , B81B2201/0271 , B81C1/00142 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H03H3/0072 , H03H9/2463
Abstract: PURPOSE: A resonator and a manufacturing method thereof are provided to implement a resonant area of a nanometer level and an electrode area of a micrometer level using a micro process and a nano process together. CONSTITUTION: A resonator includes a plurality of electrode patterns(150), a plurality of extension electrode pattern(170), a nano structure(190), and a fixing electrode. The electrode patterns have a size of a micrometer level and are separately arranged on the substrate. The extension electrode pattern has the size of the nanometer level and is connected to the electrode patterns. The nano structure is extended between extension electrode patterns and is one of carbon nano tube, an oxide nano wire, and a polymer nano fiber. The fixing electrode is fixed on the extension electrode pattern.
Abstract translation: 目的：提供一种谐振器及其制造方法，以使用微处理和纳米工艺一起实现纳米级的谐振区域和微米级的电极面积。 构成：谐振器包括多个电极图案（150），多个延伸电极图案（170），纳米结构（190）和固定电极。 电极图案具有微米级别的尺寸并且分开布置在基底上。 延伸电极图案具有纳米级的尺寸并连接到电极图案。 纳米结构在延伸电极图案之间延伸，是碳纳米管，氧化物纳米线和聚合物纳米纤维之一。 固定电极固定在延伸电极图案上。
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公开(公告)号：KR101892896B1
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：KR1020180035468
申请日：2018-03-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은기판모드가줄어든온 칩안테나에관한것이다. 본발명의일실시예에의한온 칩안테나는제1슬롯및 제2슬롯이형성된접지금속층; 상기접지금속층 위에형성되어제1단은상기제1슬롯에제2단은상기제2슬롯에위치하는피드라인을포함할수 있다.
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