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公开(公告)号：KR1020090047246A
公开(公告)日：2009-05-12
申请号：KR1020070113306
申请日：2007-11-07
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: C04B35/495 , H01B3/10
CPC classification number: H01B3/12 , H01H13/704 , H01L28/75
Abstract: 본 발명에 따른 스위칭 소자는 화학식1 Bi
5 Nb
3 O
15 의 유전체 조성물로 형성되는 유전체 박막층을 포함한다.
따라서 본 발명에 따른 유전체 조성물은 화학식 1의 Bi
5 Nb
3 O
15 조성을 갖으며, 400℃ 이하의 저온 공정에서 형성할 수 있는 유전 박막 재료를 확보할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유전체 조성물 및 이로 형성되는 유전체 박막층을 구비하는 스위칭 소자는 고유전율, 저유전손실 및 저온에서 용이한 증착공정으로 성능이 향상될 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR102237134B1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：KR1020140129973
申请日：2014-09-29
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/22 , F21Y115/10
Abstract: 실시예에따른발광소자는제 1 도전형반도체층과, 상기제 1 도전형반도체층상에배치된활성층과, 상기활성층상에배치된제 2 도전형반도체층을포함하는발광구조물; 및상기발광구조물의광추출영역상에배치된광추출구조;를포함하고, 상기발광구조물은무극성질화물반도체를포함하며, 상기광추출구조는복수의돌출부를포함하는요철구조를가지며, 상기복수의돌출부는삼각기둥, 사각기둥또는다각기둥중 적어도어느하나의형상을갖는것을특징으로한다. 다른측면에서실시예는제 1 도전형반도체층과, 상기제 1 도전형반도체층상에배치된활성층과, 상기활성층상에배치된제 2 도전형반도체층을포함하는발광구조물; 및상기발광구조물의광추출영역상에배치된광추출구조;를포함하고, 상기발광구조물은반극성질화물반도체를포함하며, 상기광추출구조는복수의돌출부를포함하는요철구조를가지며, 상기복수의돌출부는삼각뿔, 사각뿔, 다각뿔또는원뿔중 적어도어느하나의형상을갖는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR101624109B1
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：KR1020140036143
申请日：2014-03-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E50/16
Abstract: 본발명은펜톤화합물을촉매로이용한리그노셀룰로오스의화학적전처리법에관한것으로, 펜톤화합물을이용하여상온에서볏짚섬유소를효과적으로분해하여효소당화공정에서글루코오스의수율을높이고, 전체공정비용을현저히줄일수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150113291A
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：KR1020140036143
申请日：2014-03-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은펜톤화합물을촉매로이용한리그노셀룰로오스의화학적전처리법에관한것으로, 펜톤화합물을이용하여상온에서볏짚섬유소를효과적으로분해하여효소당화공정에서글루코오스의수율을높이고, 전체공정비용을현저히줄일수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用芬顿化合物作为催化剂的木质纤维素的化学预处理方法。 通过在室温下使用芬顿化合物可以有效地分解稻草纤维素，从而提高酶糖化过程中葡萄糖的产量，显着降低整个过程的成本。
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公开(公告)号：KR1020080072249A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：KR1020070010745
申请日：2007-02-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L28/55 , H01L21/02197 , H01L21/02266 , H01L28/65
Abstract: An MIM capacitor using BaTi4O9 and a manufacturing method thereof are provided to raise an integration scale of a semiconductor device by satisfying requirements of an ITRS(International Technology Roadmap or Semiconductor). An MIM(Metal-Insulator-Metal) capacitor includes a substrate(105), which has a Pt/Ti/SiO2/Si structure, a dielectric thin film layer(150), and an upper electrode layer(160). A Pt layer(140) is a lower electrode and has a thickness of 70 nm. An SiO2 layer(120) protects a surface of an Si layer and used as a base layer. A BaTi4O9 thin film is formed on the substrate as the dielectric thin film. The upper electrode layer, which is used as an upper electrode of the MIM capacitor, is formed on the dielectric thin film.
Abstract translation: 提供使用BaTi4O9的MIM电容器及其制造方法，以通过满足ITRS（国际技术路线图或半导体）的要求来提高半导体器件的集成度。 一种MIM（金属 - 绝缘体 - 金属）电容器包括具有Pt / Ti / SiO 2 / Si结构的基底（105），电介质薄膜层（150）和上电极层（160）。 Pt层（140）是下电极，其厚度为70nm。 SiO 2层（120）保护Si层的表面并用作基底层。 在基板上形成BaTiO4O9薄膜作为电介质薄膜。 用作MIM电容器的上电极的上电极层形成在电介质薄膜上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101879956B1
公开(公告)日：2018-07-18
申请号：KR1020160167682
申请日：2016-12-09
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은흑린두께조절방법에관한것으로서, 본발명의실시예에따른흑린두께조절방법은 (a) 반응챔버(10) 내의지지대(20) 상에흑린단편(1)을배치하는단계(S100), 및 (b) 자외선램프(30)를이용하여흑린단편(1)에자외선을조사하는단계(S200)를포함하여, 자외선이대기중에서오존을발생시키고, 오존이수산화라디칼을생성하여, 흑린단편(1)을식각한다.
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公开(公告)号：KR101811533B1
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：KR1020160075716
申请日：2016-06-17
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: C12P19/02 , C07H3/02 , C12P2201/00
Abstract: 본발명은셀룰로스계바이오매스의당화율개선방법에관한것으로, 셀룰로스계바이오매스에대한약산전처리및 유가식당화를통해당화효소의사용량을줄이면서고농도의기질을이용할수 있는최적공정을제공하여생산단가를줄이고, 고농도, 고수율의포도당을생산하는효과를제공한다.
Abstract translation: 本发明是通过提供一种最佳的方法，其将能够将它用于产生时，弱酸预处理，并且基板的高浓度，同时降低与石油餐厅屏幕为纤维素生物质的糖基化的酶的量的方法，以提高纤维素生物质的糖的比例 由此降低单位成本并提供高浓度和高产量的葡萄糖生产效果。
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公开(公告)号：KR1020160038127A
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：KR1020140129973
申请日：2014-09-29
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/22 , F21Y2115/10
Abstract: 실시예에따른발광소자는제 1 도전형반도체층과, 상기제 1 도전형반도체층상에배치된활성층과, 상기활성층상에배치된제 2 도전형반도체층을포함하는발광구조물; 및상기발광구조물의광추출영역상에배치된광추출구조;를포함하고, 상기발광구조물은무극성질화물반도체를포함하며, 상기광추출구조는복수의돌출부를포함하는요철구조를가지며, 상기복수의돌출부는삼각기둥, 사각기둥또는다각기둥중 적어도어느하나의형상을갖는것을특징으로한다. 다른측면에서실시예는제 1 도전형반도체층과, 상기제 1 도전형반도체층상에배치된활성층과, 상기활성층상에배치된제 2 도전형반도체층을포함하는발광구조물; 및상기발광구조물의광추출영역상에배치된광추출구조;를포함하고, 상기발광구조물은반극성질화물반도체를포함하며, 상기광추출구조는복수의돌출부를포함하는요철구조를가지며, 상기복수의돌출부는삼각뿔, 사각뿔, 다각뿔또는원뿔중 적어도어느하나의형상을갖는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及发光装置和照明系统。 根据实施例，发光器件包括发光结构，其包括第一导电半导体层，设置在第一导电半导体层上的有源层和设置在有源层上的第二导电半导体层; 以及设置在发光结构的光提取区域中的光提取结构。 发光结构包括非极性氮化物半导体。 光提取结构包括多个突出部分，并且突出部分具有三角棱柱形状，矩形棱镜形状和多边形棱柱形状中的至少一种。 根据本实施例的另一方面，发光器件包括发光结构，其包括第一导电半导体层，设置在第一导电半导体层上的有源层和设置在有源层上的第二导电半导体层; 以及提供在发光结构的光提取区域中的光提取结构。 发光结构包括半极性氮化物半导体。 光提取结构具有包括多个突起部的凹凸结构，并且突出部具有三角锥形，四角锥形，多角锥形和圆锥形中的至少一个。
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公开(公告)号：KR1020150146032A
公开(公告)日：2015-12-31
申请号：KR1020140075787
申请日：2014-06-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G01N33/48 , G01N33/483 , G01N30/72 , G01N30/04
CPC classification number: G01N33/48 , G01N30/04 , G01N30/72 , G01N33/00 , G01N33/483
Abstract: 본발명은혐기성균의대사체분석을위한대사체샘플링및 처리방법에관한것으로, 대사체샘플링을위한최적조건을확립하고, 선정된대사체바이오마커를사용하여혐기성균의산생성단계와용매생성단계를구별할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种治疗和取样代谢组学方法，用于分析厌氧细菌的代谢组蛋白，能够建立对代谢组胺进行取样的最佳条件，并通过使用所选择的生物标志物来分化厌氧细菌的致溶性阶段和致酸阶段 代谢。
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公开(公告)号：KR1020150042409A
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：KR1020130121006
申请日：2013-10-11
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/025 , H01L29/1606 , H01L2933/0008
Abstract: 실시예는기판상에제1 도전형반도체층, 활성층, 및제2 도전형반도체층을포함하는발광구조물을형성하는단계, 상기제2 도전형반도체층상에그래핀층(graphene layer)을형성하는단계, 상기그래피층에자외선을조사하여상기그래핀층에결함을형성하는자외선처리단계, 및상기결함이형성된그래핀층에전도성을향상시키기위한도펀트를도핑하는단계를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的发光器件的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层的发光结构; 在所述第二导电半导体层上形成石墨烯层; 进行紫外线处理以通过向石墨烯层发射紫外线而在石墨烯层上形成缺陷; 并掺杂掺杂剂以改善具有缺陷的石墨烯层上的导电性。
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