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公开(公告)号：KR1020100130782A
公开(公告)日：2010-12-14
申请号：KR1020090049475
申请日：2009-06-04
IPC: G02F1/015
CPC classification number: G01N21/41 , H01L27/14625 , H01L27/14806 , H01L27/15 , H01L31/153 , H01L31/1892 , H05B33/0842 , Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: An optoelectronic shutter, a method of operating the same and an optical apparatus employing the optoelectronic shutter are provided to implement the driving in low voltage and current by modulating the output light for the input light based on the modulation of current gain. CONSTITUTION: A photo transistor(130) generates an output signal from the incident input light, and a light emitting diode outputs an output light based on an output signal by being connected to the photo transistor in serial. A first transistor generates a current signal which modulates a base current. A substrate is made of sapphire or GaAs.
Abstract translation: 目的：提供一种光电快门及其操作方法以及采用光电快门的光学装置，以通过调制电流增益来调制输入光的输出光来实现低电压和电流驱动。 构成：光电晶体管（130）从入射输入光产生输出信号，并且发光二极管通过串联连接到光电晶体管基于输出信号输出输出光。 第一晶体管产生调制基极电流的电流信号。 衬底由蓝宝石或GaAs制成。
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公开(公告)号：KR100973642B1
公开(公告)日：2010-08-02
申请号：KR1020080036663
申请日：2008-04-21
Applicant: 광주과학기술원 , 국민대학교산학협력단
IPC: H01L21/336
Abstract: 바텀 게이트형의 구조를 가지고, 산화아연 반도체를 채널로 이용하는 박막 트랜지스터의 형성방법이 개시된다. 채널로 이용되는 산화아연 반도체층에 수소를 공급하기 위해 산화아연 반도체층 하부에 게이트 유전막으로 실리콘 질화막을 형성한다. 실리콘 질화막은 소정 농도의 수소를 포함한다. 수소의 농도는 실리콘 질화막의 굴절률로 나타난다. 굴절률이 높은 경우, 실리콘 질화막 내의 수소의 농도는 증가한다. 열처리가 수행되는 경우, 실리콘 질화막 내의 수소는 산화아연 반도체층으로 이동하고, 계면 및 채널의 결함을 치유하도 도판트로 작용한다. 따라서, 정상적인 트랜지스터 특성을 얻을 수 있다.
산화아연, 바텀 게이트, 확산, 실리콘 질화막-
公开(公告)号：KR1020100002481A
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：KR1020080062387
申请日：2008-06-30
IPC: G02B5/22
Abstract: PURPOSE: A light source identification device which visually easily grasps the kind of the light source is provided to detect the kind of the light source through the color formed on a band-pass filter by removing the preset specific wavelength band from the object light source. CONSTITUTION: An optical filter passes the frequency band of the preset wavelength band from the object light source. A light absorption part absorbs the beam of the frequency band of the wavelength band passing through the optical filter. The optical filter is a broad band-pass filter(100) passing through only 550 nm wavelength band. The light absorption part comprises a light absorbing member absorbing the beam. The frequency band of the wavelength band is selected in the range of 400 nm ~ 700 nm. A color tone contrast part is colored with the reference color for comparison with the color of the optical filter.
Abstract translation: 目的：提供视觉上容易地掌握光源种类的光源识别装置，通过从对象光源去除预设的特定波长带来检测通过带通滤波器上形成的颜色的光源的种类。 构成：光学滤光器从物体光源通过预设波长带的频带。 光吸收部吸收通过滤光器的波长带的频带的波束。 滤光器是仅通过550nm波长带的宽带通滤波器（100）。 光吸收部分包括吸收光束的光吸收部件。 波长带的频带在400nm〜700nm的范围内选择。 色调对比部分用参考颜色着色，以便与滤光器的颜色进行比较。
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14.发明公开
公开(公告)号：KR1020090029552A
公开(公告)日：2009-03-23
申请号：KR1020070094882
申请日：2007-09-18
Applicant: 광주과학기술원
CPC classification number: H04L61/2046 , G06K17/0006 , G06K19/07758 , H04L61/3005
Abstract: A method for generating an RFID tag id for collision avoidance and an RFID tag having ID for collision avoidance are provided to improve a tag recognition rate of an RFID reader. An RFID system is comprised of one or more tags and a reader. An index(n) of a frame size is initialized as 1(210). The number(m) of tags is divided by n-th power(fbn) of the frame size(220). It is determined whether a lot(Q) had a value smaller than 1(230). When the lot had the value smaller than 1, the current index is determined by a query level(250). A tag ID is balancedly allocated based on the determined query level(260).
Abstract translation: 提供了一种用于产生用于避免碰撞的RFID标签id的方法和具有用于避免碰撞的ID的RFID标签，以提高RFID读取器的标签识别率。 RFID系统由一个或多个标签和读取器组成。 帧大小的索引（n）被初始化为1（210）。 标签的数量（m）除以帧大小（220）的第n次幂（fbn）。 确定批次（Q）是否具有小于1（230）的值。 当批次的值小于1时，当前索引由查询级别（250）确定。 基于确定的查询级别平衡地分配标签ID（260）。
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公开(公告)号：KR1020180096199A
公开(公告)日：2018-08-29
申请号：KR1020170022568
申请日：2017-02-20
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L29/93 , H01L29/66 , H01L29/423
CPC classification number: H03J3/185 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66174 , H01L29/93 , H03B5/1243 , H03B2201/0208
Abstract: 본발명은메탈-반도체-메탈이차원전자가스버랙터및 그제조방법에관한것으로서, 반도체층 상에형성된제1 게이트및 제1 게이트와소정거리로이격되어있으며, 반도체층 상에형성된제2 게이트를포함하며, 제1 게이트와상기제2 게이트의형태및 게이트길이는상이하도록한 비대칭구조(asymmetric structure)의메탈-반도체-메탈이차원전자가스버랙터를제공한다. 또한, 제2 게이트를기준으로제1 게이트와대칭을이루며반도체층 상에형성된제3 게이트를더 포함하며, 제3게이트는상기제1 게이트와형태및 게이트길이가동일하도록한 균형잡힌구조(balanced structure)의메탈-반도체-메탈이차원전자가스버랙터를제공한다. 이러한, 메탈-반도체-메탈이차원전자가스버랙터에의하여, 차단주파수를종래보다더 높여, 더높은영역의테라헤르츠주파수에서커패시턴스스위칭이가능할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170083296A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：KR1020160002589
申请日：2016-01-08
Applicant: 광주과학기술원
CPC classification number: H01Q15/0086 , H01Q9/0485 , H01Q13/106
Abstract: 본발명은수신안테나부와송출안테나부가메타물질을이용해형성되어입사되는비편광또는편광된전자기파를각도변환된편광방향으로출사하는메타물질을이용한전자기파편광변환장치에관한것이다. 본발명에따른메타물질을이용한전자기파편광변환장치는메타물질로이루어지며입사된전자기파가표면에서공진하여표면전류가발생하는수신안테나부와, 상기수신안테나부의후방에설치되며, 각도변환된메타물질로이루어지며수신안테나부에서전달된전자기파가공진된후 편광방향으로방사되는송출안테나부와, 상기수신안테나부와송출안테나부를연결하여상기수신안테나부에서발생된표면전류를송출안테나부로전달하는전도성물질의커넥팅부를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用超材料用于发射到接收天线部和发送天线部的电磁波偏振光转换装置通过使用超材料入射非偏振光或偏振电磁波角度变换偏振方向形成。 使用超材料根据本发明一个和所述接收天线单元，其一个由超材料入射的电磁波，在表面由共振产生的表面电流安装到所述接收天线的后部，上述角度变换超材料的电磁波偏振光转换装置 到的地方变成正向在与发射天线单元连接的接收天线部产生的表面流动通过所述接收天线部谐振输送的电磁波之后被照射到偏振方向，所述接收天线单元和导电的发射天线单元部分发射天线 并包括材料的连接部分。
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公开(公告)号：KR101704664B1
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020150096610
申请日：2015-07-07
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: 본발명에따른테라헤르츠변조기에는기판; 상기기판상에제공되는제 1 메탈; 상기기판상에제공되는제 2 메탈; 상기제 1 메탈과상기제 2 메탈이간접적으로접촉하는적어도세 개의접점; 및상기제 1 메탈, 상기제 2 메탈, 및상기적어도세 개의접점을포함하는폐쇄회로로서, 테라헤르츠파의투과를조절하는적어도하나의공진기가포함될수 있다. 본발명에따르면, 변조지수를 80%수준으로높일수 있고, 변조대역폭을 ~GHz로높일수 있고, 동작전압을낮출수 있는장점이있다. 그외에도발명의본질에따라서다양한장점을얻을수 있고, 그에대한설명은상세한설명에서구체적으로드러날것이다.
Abstract translation: 根据本发明的太赫兹调制器可以包括：基底; 设置在基板上的第一金属; 设置在所述基板上的第二金属; 至少三个与第一金属和第二金属间接接触的接触点; 以及用于调整太赫兹波的透射的至少一个谐振器，作为包括第一金属，第二金属和至少三个接触点的闭合电路。 根据本发明，调制指数可以增加80％，可以增加GHz的调制带宽，并且可以降低工作电压。
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公开(公告)号：KR1020160066333A
公开(公告)日：2016-06-10
申请号：KR1020140170566
申请日：2014-12-02
Applicant: 광주과학기술원
Inventor： 장재형
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H01L31/1075 , H01L27/14 , H01L31/03046 , H01L31/035281 , H01L31/109 , H01L31/1844 , H01L31/1868 , H03K17/78 , Y10S977/752
Abstract: 본발명에따른광전도반도체스위치에는, 입사광에의해서전자와정공을발생시키는반도체기판; 상기반도체기판상의이격되는두 지점에제공되고, 풍부한캐리어에의해서낮은저항을가지는적어도한 쌍의도전층; 및상기적어도한 쌍의도전층에각각접촉되는적어도한 쌍의전극이포함된다. 본발명에따르면, 광전도반도체스위치를고전압및 고출력에서도사용할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明，光导半导体开关包括：被配置为通过入射光产生电子和空穴的半导体衬底; 至少一对导电层设置在半导体衬底上的两个分离点上，并且通过足够的载流子具有较低电阻; 以及分别与所述至少一对导电层接触的至少一对电极。 根据本发明，即使在高电压和高输出下也可以使用光导半导体开关。
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公开(公告)号：KR1020150035136A
公开(公告)日：2015-04-06
申请号：KR1020130115355
申请日：2013-09-27
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: 본발명의일 실시예에따른광학소자의제조방법은, 임프린트템플릿을제조하는단계; 상기임프린트템플릿을이용하여나노패턴구조물을제조하는단계; 및상기나노패턴구조물을광학소자의일 면에부착하는단계를포함하고, 상기나노패턴구조물의주기는입사광의파장보다작을수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的制造光学元件的方法包括制造压印镜片的步骤; 通过使用压印镜片制造纳米图案结构的步骤; 以及将纳米图案结构附着到光学装置的一侧的步骤。 纳米图案结构的周期可以小于入射光的波长。
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公开(公告)号：KR1020130125050A
公开(公告)日：2013-11-18
申请号：KR1020120048476
申请日：2012-05-08
Applicant: 광주과학기술원
CPC classification number: H04B7/2612 , H04L5/14 , H04W84/12 , H04W88/08
Abstract: In the medium access control method of an access point for a wireless LAN according to the present invention, the access point can perform communications in a full-duplex communication mode. The medium access control method includes the following steps: a step of receiving the frame header of a first data frame from a first terminal; and a step of transmitting a second data frame to a second terminal while receiving the first data frame from the first terminal.
Abstract translation: 在根据本发明的用于无线LAN的接入点的介质访问控制方法中，接入点可以以全双工通信模式进行通信。 介质访问控制方法包括以下步骤：从第一终端接收第一数据帧的帧头部的步骤; 以及在从第一终端接收第一数据帧的同时将第二数据帧发送到第二终端的步骤。
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