公开(公告)号：KR1020090111081A

公开(公告)日：2009-10-26

申请号：KR1020080036663

申请日：2008-04-21

Applicant: 광주과학기술원 ,  국민대학교산학협력단

Inventor： 장재형 ,  리마샨 ,  임혁

IPC: H01L21/336

Abstract: PURPOSE: A method for forming a bottom gate type zinc oxide thin film transistor is provided to recover an interface defect of a zinc oxide semiconductor layer and a crystal defect of a channel region of the zinc oxide semiconductor layer by moving hydrogen from a gate dielectric film to the zinc oxide semiconductor layer through a heating process. CONSTITUTION: A gate electrode(110) is formed on a substrate(100). A gate dielectric film(120) is formed on the substrate. A zinc oxide semiconductor layer(130) is formed on the gate dielectric film. Hydrogen is supplied from the gate dielectric film to the zinc oxide semiconductor layer by heating a structure in which the gate dielectric film and the zinc oxide semiconductor layer are formed.

Abstract translation: 目的：提供一种形成底栅型氧化锌薄膜晶体管的方法，通过从栅极电介质膜移动氢来回收氧化锌半导体层的界面缺陷和氧化锌半导体层的沟道区的晶体缺陷 通过加热过程到氧化锌半导体层。 构成：在基板（100）上形成栅电极（110）。 在基板上形成栅介质膜（120）。 在栅极电介质膜上形成氧化锌半导体层（130）。 通过加热形成栅极电介质膜和氧化锌半导体层的结构，从栅极电介质膜向氧化锌半导体层提供氢。

公开(公告)号：KR100973642B1

公开(公告)日：2010-08-02

申请号：KR1020080036663

申请日：2008-04-21

Applicant: 광주과학기술원 ,  국민대학교산학협력단

Inventor： 장재형 ,  리마샨 ,  임혁

IPC: H01L21/336

Abstract: 바텀 게이트형의 구조를 가지고, 산화아연 반도체를 채널로 이용하는 박막 트랜지스터의 형성방법이 개시된다. 채널로 이용되는 산화아연 반도체층에 수소를 공급하기 위해 산화아연 반도체층 하부에 게이트 유전막으로 실리콘 질화막을 형성한다. 실리콘 질화막은 소정 농도의 수소를 포함한다. 수소의 농도는 실리콘 질화막의 굴절률로 나타난다. 굴절률이 높은 경우, 실리콘 질화막 내의 수소의 농도는 증가한다. 열처리가 수행되는 경우, 실리콘 질화막 내의 수소는 산화아연 반도체층으로 이동하고, 계면 및 채널의 결함을 치유하도 도판트로 작용한다. 따라서, 정상적인 트랜지스터 특성을 얻을 수 있다.
산화아연, 바텀 게이트, 확산, 실리콘 질화막