-
公开(公告)号：KR100205830B1
公开(公告)日：1999-07-01
申请号：KR1019970026246
申请日：1997-06-20
Applicant: 국방과학연구소
Abstract: 본 발명은 내열재/열경화성 상온 경화 에폭시 수지인 제1접착제/열가소성 수지인 제2접착제 /열경화성중온 경화 에폭시 수지인 제3접착제/구조체의 순서로 적층된 로켓 노즐용 재료 및 이것의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 내열재 표면에 열경화성 상온 경화 에폭시 수지인 제1접착제를 적충하고, 상기 제1접착제 위에 열 가소성 제2접착제를 적충하고, 상기 제2접착제위에 열경화성 중온 경화 에폭시 수지인 제3접착제를 적층한 후 진공 성형하고, 상기제3접착제위에 미경화 탄소섬유/에폭시 구조체를 적층한 후 경화 시키는 것으로 이루어진다.
-
公开(公告)号：KR1019990002596A
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019970026246
申请日：1997-06-20
Applicant: 국방과학연구소
Abstract: 본 발명은 내열재/열경화성 상온 경화 에폭시 수지인 제1접착제/열 가소성 수지인 제2접착제/열경화성 중온 경화 에폭시 수지인 제3접착제/구조체의 순서로 적층된 로켓 노즐용 재료 및 이것의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 내열재 표면에 열경화성 상온 경화 에폭시 수지인 제1접착제를 적층하고, 상기 제1접착제 위에 열 가소성 수지인 제2접착제를 적층하고, 상기 제2접착제 위에 열경화성 중온 경화 에폭시 수지인 제3접착제를 적층한 후 진공성형하고, 상기 제3접착제 위에 미경화 탄성섬유/에폭시 구조체를 적층한 후 경화시키는 것으로 이루어진다.
-
公开(公告)号：KR101549952B1
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：KR1020130135671
申请日：2013-11-08
Applicant: 국방과학연구소
Abstract: 본발명의추력노즐용익시트콘 제조방법에서는탄소계, 실리콘카바이드계섬유(직물)를기본으로하여직물프리폼(10,knit preform), 테이프프리폼(20,Tape preform), 인볼트레이업프리폼(30,Involute layup preform), 필라멘트프리폼(Filament preform)을다양하게제조하고, 이러한다양한프리폼(preform)을고온내열수지함침, 탄화, 고밀도화및 내산화처리공정을통하여삭마저항성과 열구조성능이우수한박막형고성능확대부내열부품인익시트콘(5)으로제조됨으로써중량감소가성능에큰 영향을끼치는고성능유도무기부품에적용이가능한특징을갖는다.
-
公开(公告)号：KR100417161B1
公开(公告)日：2004-02-05
申请号：KR1020010006790
申请日：2001-02-12
Applicant: 국방과학연구소
CPC classification number: C04B41/52 , C04B35/573 , C04B35/806 , C04B41/5059 , C04B2235/428 , C04B2235/48 , C04B2235/5256 , C04B2235/60 , C04B2235/616 , C04B2235/77 , C04B41/4529 , C04B41/4556 , C04B41/4539 , C04B41/5064
Abstract: A method for manufacturing carbon/silicon-carbide composite by a "One-shot' process including carbonization, heat processing, infiltration, and forming an anti-oxidation layer on surface is provided through the steps of: 1) hardening a stacked carbon/phenolic preform; 2) carbonization and heat processing the preform until the temperature reaches at 2300° C.; 3) infiltrating and sintering the liquid metal silicon within the temperature of 1400~1800° C.; and 4) inducting a compound including SiO2to gas phase and heat processing it while forming an anti-oxidation layer on the surface within temperature range of 2000° C.~2700° C. (desirably, in the range of higher than 2300° C., and more desirably, at the temperature near 2500° C.). Herein, the carbonization, heat processing, and ultra-high heat processing might be performed at the same time in the step 2) and the step 4) might not be performed.
Abstract translation: 通过包括碳化，热处理，渗透和在表面上形成抗氧化层的“一步法”工艺来制造碳/碳化硅复合材料的方法通过以下步骤提供：1）将堆叠的碳/ 酚醛预制件; 2）碳化和热处理预制件直至温度达到2300℃; C。; 3）在1400〜1800℃温度范围内渗透并烧结液态金属硅。 C。; 和4）将包含SiO2的化合物引入气相并对其进行热处理，同时在2000℃的温度范围内在表面上形成抗氧化层。 C.〜2700℃下与; （希望在高于2300℃的范围内，更理想的是在2500℃附近的温度下）。 此处，可能在步骤2）中同时进行碳化，热处理和超高温处理，并且可能不执行步骤4）。
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.017 seconds)
