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公开(公告)号:KR101061951B1
公开(公告)日:2011-09-05
申请号:KR1020070086176
申请日:2007-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/02052 , H01L21/67034 , H01L21/67248
Abstract: 본 발명은, 잔존하는 파티클의 수를 저감할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
이 기판 처리 방법에 있어서는, 하나 이상의 가열 기구를 갖는 가열 장치에 의해서 가열된 유체를 이용하여, 피처리 기판(W)을 건조시키게 되어 있다. 기판 처리 방법은, 가열 장치에 의해서 가열된 불활성 가스와 처리액을 포함하는 혼합 유체를 피처리 기판이 배치된 처리실 내에 공급하는 제1 단계와, 가열된 불활성 가스를 처리실 내에 공급하는 제2 단계를 포함한다. 제1 단계를 시작할 때부터 소정의 시간이 지날 때까지, 적어도 하나의 가열 기구의 출력은 미리 설정된 일정한 값을 유지한다. 제2 단계에 있어서, 가열 기구의 출력은 피드백 제어를 이용하여 결정된다.Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种能够减少残留颗粒的数量的基板处理方法。