Sn이 도핑된 In-Zn 산화물계 재료를 이용한 열전박막 제조방법 및 이에 의해 제조된 열전박막
    11.
    发明公开
    Sn이 도핑된 In-Zn 산화물계 재료를 이용한 열전박막 제조방법 및 이에 의해 제조된 열전박막 审中-实审
    一种使用掺杂有Sn和热电薄膜的In-Zn氧化物基材料制造热电薄膜的方法

    公开(公告)号:KR1020170136723A

    公开(公告)日:2017-12-12

    申请号:KR1020160068566

    申请日:2016-06-02

    CPC classification number: H01L35/34 H01L35/02 H01L35/12 H01L35/14

    Abstract: 본발명은 Sn이도핑된 In-Zn 산화물계재료를이용한열전박막제조방법및 이에의해제조된열전박막에관한것으로서, 구체적으로는 Si를포함하는기판을전처리하는제1단계; Sn이도핑된 In-Zn 산화물계열전재료를준비하는제2단계; 상기열전재료를기상증착법으로상기기판에증착하여비정질구조의필름을제조하는제3단계; 및상기증착된필름을 20 내지 500℃의온도에서열처리하는제4단계;를포함하여제조되는비정질구조의 Sn이도핑된 In-Zn 산화물계열전박막의제조방법에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种使用Sn掺杂的In-Zn氧化物基材料制造热电薄膜的方法以及通过该方法制造的热电薄膜,更具体地说, 制备Sn掺杂的基于In-Zn氧化物的预制材料的第二步骤; 通过气相沉积法在基板上沉积热电材料以产生非晶膜的第三步骤; 本发明涉及用于Sn的伊平的In-Zn氧化物系薄膜由包括以前生产的无定形结构的制备方法;和热处理中的沉积膜20的温度至500℃的第四步骤。

    RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 ITO:Ce 초박막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 터치 패널
    12.
    发明授权
    RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 ITO:Ce 초박막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 터치 패널 有权
    超薄ITO:通过RF超级直流磁控溅射沉积的Ce膜,膜的制备方法和包括其的触摸面板

    公开(公告)号:KR101492215B1

    公开(公告)日:2015-02-12

    申请号:KR1020130089016

    申请日:2013-07-26

    Inventor: 송풍근 강세원

    Abstract: 본 발명은 터치 패널에 이용되는 투명 전도성 초박막에 관한 것으로, 투명기판; 및 20 ~ 40 nm 의 두께, 50 ~ 150 Ω/sq 의 표면저항을 지니는 투명 전도성 초박막;으로 구성되는 투명 전도성 필름 및 이를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 패널을 제공한다. 상기 투명 전도성 초박막은 전자기장을 이용해 기판 부근의 플라즈마 밀도 및 스퍼터 원자의 확산에너지를 증가시켜 투명 전도성 초박막의 결정성 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있으며, 산화세륨을 포함함에 따라 매우 얇은 두께에서도 낮은 면저항을 나타내는 특성을 나타내어 터치 패널용으로 적용 가능한 장점을 제공한다.

    접착력이 향상된 BDD 전극체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 BDD 전극체

    公开(公告)号:KR101793233B1

    公开(公告)日:2017-11-20

    申请号:KR1020160091286

    申请日:2016-07-19

    Inventor: 송풍근 김서한

    Abstract: 본발명은접착력이향상된 BDD 전극체의제조방법및 이에의해제조된접착력이향상된 BDD 전극체에관한것으로서, 구체적으로는Ti, W 및 Si 중어느하나로된 전극체용모재; 상기모재위에형성된 Nb 박막층; 및상기박막위에형성된 BDD(Boron-Doped Diamond)층;을포함하는전극체이고, 상기 Nb 박막층은 sp구조를갖고, 상기모재의확산에의한화합물의형성을억제시키는것을특징으로하는, 접착력이향상된 BDD 전극체에관한것이다.

    RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 ITO:Ce 초박막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 터치 패널
    14.
    发明公开
    RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 ITO:Ce 초박막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 터치 패널 有权
    超薄ITO:通过RF超级直流磁控溅射沉积的Ce膜,膜的制备方法和包括其的触摸面板

    公开(公告)号:KR1020150012891A

    公开(公告)日:2015-02-04

    申请号:KR1020130089016

    申请日:2013-07-26

    Inventor: 송풍근 강세원

    CPC classification number: G06F3/041 H01B5/14

    Abstract: 본 발명은 터치 패널에 이용되는 투명 전도성 초박막에 관한 것으로, 투명기판; 및 20 ~ 40 nm 의 두께, 50 ~ 150 Ω/sq 의 표면저항을 지니는 투명 전도성 초박막;으로 구성되는 투명 전도성 필름 및 이를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 패널을 제공한다. 상기 투명 전도성 초박막은 전자기장을 이용해 기판 부근의 플라즈마 밀도 및 스퍼터 원자의 확산에너지를 증가시켜 투명 전도성 초박막의 결정성 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있으며, 산화세륨을 포함함에 따라 매우 얇은 두께에서도 낮은 면저항을 나타내는 특성을 나타내어 터치 패널용으로 적용 가능한 장점을 제공한다.

    Abstract translation: 本发明涉及用于触摸面板的透明导电超薄膜。 透明导电膜包括:透明基板; 以及厚度为20〜40nm,表面电阻率为50〜150Ω/ sq的透明导电性超薄膜。 透明导电超薄膜使用电磁场增加基板附近的溅射原子的等离子体密度和能量扩散,以增强透明导电超薄膜的结晶度和电性能。 本发明还包括氧化铈,以显示低的薄层电阻,同时具有用作触摸面板的超薄厚度。

    In-Al-Zn-O 박막을 이용한 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법
    15.
    发明公开
    In-Al-Zn-O 박막을 이용한 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 有权
    使用In-ZN-O薄膜的薄膜晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020130039815A

    公开(公告)日:2013-04-23

    申请号:KR1020110104399

    申请日:2011-10-13

    CPC classification number: H01L29/7869 H01L29/34 H01L29/4908 H01L29/66742

    Abstract: PURPOSE: A thin film transistor using an In-Al-Zn-O thin film and a method for preparing a thin film are provided to form an IAZO layer by doping Al in a channel layer of a thin film transistor and to secure a transparent and excellent thin film transistor. CONSTITUTION: A gate electrode is formed in the upper part of a substrate. An insulating layer is formed in the upper part of the gate electrode. A channel layer is formed in the upper part of the insulating layer. The channel layer is made of an oxide semiconductor IAZO. The aluminum content of the channel layer is 0.1 to 10 weight %. A source/drain electrode is formed in the upper part of the channel layer.

    Abstract translation: 目的:提供使用In-Al-Zn-O薄膜的薄膜晶体管和制备薄膜的方法,以通过在薄膜晶体管的沟道层中掺杂Al来形成IAZO层,并且确保透明和 优秀的薄膜晶体管。 构成:在基板的上部形成栅电极。 绝缘层形成在栅电极的上部。 沟道层形成在绝缘层的上部。 沟道层由氧化物半导体IAZO制成。 通道层的铝含量为0.1〜10重量%。 源极/漏极形成在沟道层的上部。

    인공심장용 긴급신호 발신장치 및 이를 이용한 인공심장용 긴급신호 발신방법
    16.
    发明授权
    인공심장용 긴급신호 발신장치 및 이를 이용한 인공심장용 긴급신호 발신방법 失效
    一种人造心脏紧急信号发送装置及使用该装置的人造心脏紧急信号发送方法

    公开(公告)号:KR101056220B1

    公开(公告)日:2011-08-11

    申请号:KR1020090056693

    申请日:2009-06-24

    Abstract: 본 발명은 모터를 구비한 인공심장의 작동에 있어서, 기판의 일면에 압전체(piezoelectric material)가 부착되고, 상기 모터의 작동에 의하여 기판이 진동하고 기판의 진동에 의하여 압전체에 변위가 생겨 전류를 생성하는 전류 생성부; 상기 전류 생성부와 전기적으로 연결되고 전류 생성부로부터 교류 전류를 전달받아 직류 전류로 변환하는 정류회로부; 상기 정류회로로부터 발생된 전류를 커패시터에 충전하는 충전부; 상기 인공심장의 모터가 구동될 시 정류된 전류가 커패시터에 충전되고, 모터가 구동되지 않을 시 충전된 커패시터가 방전을 개시하도록 하는 스위치 회로부; 및 상기 인공심장의 모터가 구동되지 않는 경우 상기 커패시터로부터 방전된 전기 에너지를 이용하여 구조신호를 발신하는 신호 발신부를 포함하는 인공심장용 긴급신호 발신장치를 제공한다. 본 발명에 의하면, 혼자 사는 심장질환자 등 인공심장을 이식받은 환자들이 주위에 도움을 줄 수 있는 사람이 없어 신속히 응급조치를 못 받아 사망하는 경우를 예방할 수 있으며, 안전장치의 전원을 독립적으로 생산함으로써 전지교환의 번거로움을 피할 수 있다.
    인공심장, 긴급신호, 응급조치, 압전체

    Abstract translation: 在具有马达的人造心脏的操作中,将压电材料附着到基板的一个表面,通过马达的操作使基板振动,由于基板的振动而在压电体中发生位移, 用于产生电流的电流发生器; 整流电路部分,电连接到电流产生部分并接收来自电流产生部分的AC电流并将AC电流转换成DC电流; 充电单元,用从整流电路产生的电流对电容器充电; 一种开关电路单元,用于当人造心脏的电动机被驱动时以整流电流对电容器充电,并且当电动机未被驱动时使已充电的电容器开始放电; 以及信号发送器,用于当人造心脏的电动机未被驱动时,利用从电容器释放的电能来发送救援信号。 根据本发明,可以防止具有人造心脏的患者(例如单独居住的心脏病患者)不能向患者提供紧急援助的情况, 可以避免更换电池的麻烦。

Patent Agency Ranking