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公开(公告)号：KR100947951B1
公开(公告)日：2010-03-15
申请号：KR1020080114198
申请日：2008-11-17
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: G02B26/08
CPC classification number: G02B26/0808 , B81C1/00539 , B81C2201/0181 , G02B26/0858 , H04R19/005
Abstract: PURPOSE: An optical modulator and a method for manufacturing the same are provided to improve the attachment and the adhesive on an interface between a lower electrode and a ribbon layer by forming the lower electrode and the ribbon layer with a nitride-based compound thin film. CONSTITUTION: An insulation layer(130) is stacked on a substrate(110). The insulation layer is composed of a nitride-based compound with an insulation property. A buffer layer(120) is formed between the substrate and the insulation layer. A recessed part is formed on one side of a ribbon layer(140) which oppose to the substrate. First electrodes(151) are composed of a nitride-based compound thin film with a conductive property. The first electrodes are located on the both side of the ribbon layer. A second electrode(153) applies a driving voltage between the first electrodes.
Abstract translation: 目的：提供一种光学调制器及其制造方法，通过用氮化物基复合薄膜形成下部电极和带状层来改善下部电极和带状层之间的界面上的附着和粘合剂。 构成：将绝缘层（130）层叠在基板（110）上。 绝缘层由具有绝缘性的氮化物系化合物构成。 在衬底和绝缘层之间形成缓冲层（120）。 在与基板相对的带状物层（140）的一侧上形成有凹部。 第一电极（151）由具有导电性的氮化物系复合薄膜构成。 第一电极位于带层的两侧。 第二电极（153）在第一电极之间施加驱动电压。
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公开(公告)号：KR100795176B1
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：KR1020060033569
申请日：2006-04-13
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01J1/30
Abstract: 본 발명은 전계 방출 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판; 상기 기판 상에 차례로 형성되며, 상기 기판의 일부를 노출시키는 개구부를 갖는 제1절연막, 전도막 및 제2절연막; 상기 전도막의 측면으로부터 상기 개구부의 중심부를 향해 연장 형성된 팁 에미터; 상기 제2절연막의 상부에, 상기 제2절연막과 소정거리 이격되어 배치된 형광 패널; 및 상기 제2절연막과 상기 형광 패널 사이에 형성된 스페이서를 포함하는 전계 방출 소자를 제공하며, 또한, 본 발명은 상기 전계 방출 소자의 제조방법을 제공한다.
FED, 수평, 팁 에미터, LOCOS(Local Oxidation of Silicon)-
公开(公告)号：KR1020070102000A
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：KR1020060033569
申请日：2006-04-13
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01J1/30
Abstract: An electric field emission device and a manufacturing method thereof are provided to shorten a distance between tip emitters by arranging plural shape tip emitters in plane through a LOCOS(Local Oxidation of Silicon) process. A first insulating layer(110) having an opening(150), a conductive layer(120) and a second insulating layer(130) are sequentially formed on a substrate(100). A tip emitter(120a) extends from a side of the conductive layer to a center portion of the opening. A phosphor panel(190) is formed on the second insulating layer at a position spaced apart from the second insulating layer. A spacer(160) is formed between the second insulating layer and the phosphor panel.
Abstract translation: 提供一种电场发射装置及其制造方法，通过LOCOS（硅的局部氧化）工艺在平面内配置多个形状的尖端发射体来缩短尖端发射体之间的距离。 具有开口（150），导电层（120）和第二绝缘层（130）的第一绝缘层（110）依次形成在基板（100）上。 尖端发射器（120a）从导电层的一侧延伸到开口的中心部分。 在与第二绝缘层间隔开的位置处，在第二绝缘层上形成荧光体面板（190）。 在第二绝缘层和荧光体面板之间形成间隔物（160）。
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公开(公告)号：KR1020070011916A
公开(公告)日：2007-01-25
申请号：KR1020050066616
申请日：2005-07-22
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: A gallium nitride-based LED device with a vertical structure is provided to minimize the contact resistance of an n-type gallium nitride layer by forming a two-dimensional electron gas layer having a heterojunction structure of AlGaN and undoped GaN between an n-type electrode and an n-type gallium nitride layer. An AlGaN layer is formed on the lower surface of an n-type electrode(180). An undoped GaN layer(220) is formed on the lower surface of the AlGaN layer, supplying two-dimensional electron gas layer to a junction interface of the AlGaN layer. A gallium nitride-based LED structure in which an n-type gallium nitride layer(120), an active layer(130) and a p-type gallium nitride layer(140) are sequentially formed is formed on the lower surface of the undoped GaN layer. A p-type electrode(150) is formed on the lower surface of the gallium nitride-based LED structure. A conductive substrate(170) is formed on the lower surface of the p-type electrode. A conductive junction layer(160) is further included on the p-type electrode or an interface between the p-type electrode and the conductive substrate.
Abstract translation: 提供具有垂直结构的氮化镓基LED器件，以通过在n型电极之间形成具有AlGaN和未掺杂GaN的异质结结构的二维电子气体层来最小化n型氮化镓层的接触电阻 和n型氮化镓层。 在n型电极（180）的下表面上形成AlGaN层。 在AlGaN层的下表面上形成未掺杂的GaN层（220），将二维电子气体层提供给AlGaN层的结界面。 在未掺杂的GaN的下表面上形成依次形成n型氮化镓层（120），有源层（130）和p型氮化镓层（140）的氮化镓系LED结构 层。 在氮化镓系LED结构体的下表面形成有p型电极（150）。 导电基板（170）形成在p型电极的下表面上。 导电结层（160）还包括在p型电极或p型电极和导电衬底之间的界面上。
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公开(公告)号：KR100638818B1
公开(公告)日：2006-10-27
申请号：KR1020050042090
申请日：2005-05-19
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/14
Abstract: A nitride semiconductor LED is provided to increase a sheet carrier density and improve electron mobility by forming a two-dimensional electron gas layer proper for an n-type nitride region. A nitride LED comprises n-type and p-type nitride semiconductor layer formed on a substrate(21) and an active layer(27) formed between the n-type and p-type nitride semiconductor layers. The n-type nitride semiconductor layer includes first and second n-type GaN layers(24a,24b), an AlxGa1-xN(0
Abstract translation: 提供氮化物半导体LED以通过形成适用于n型氮化物区域的二维电子气层来增加薄片载流子密度并提高电子迁移率。 氮化物LED包括形成在衬底（21）上的n型和p型氮化物半导体层以及形成在n型和p型氮化物半导体层之间的有源层（27）。 n型氮化物半导体层包括第一和第二n型GaN层（24a，24b），Al x Ga 1-x N（0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100638610B1
公开(公告)日：2006-10-26
申请号：KR1020040062685
申请日：2004-08-10
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H04L12/28
Abstract: 본 발명은 송신측과 수신측간의 영상 및 음성 신호 전송에 있어서 통신 상태에 따라서 채널을 변경시킴으로서 항상 최적의 전송률을 유지할 수 있도록 하는 무선 영상 전송 장치에 관한 것으로서, 송신부 및 수신부에 각각, WLAN 주파수 대역의 다수 주파수 채널을 탐색하여 최적 전송률의 채널을 검색하거나, 입력된 영상/음성 데이타를 설정된 주파수 채널로 무선 송출하거나 설정된 주파수 채널을 통해 영상/음성 데이터를 수신하는 두 개의 WLAN카드를 구비하고, MCU를 통하여, 두 WLAN 카드중 한 WLAN 카드로 영상/음성 데이타의 송신 또는 수신을 지시하면서, 동작중인 WLAN 카드에서의 데이타의 전송률을 체크하여, 전송률이 기준치 이하로 감소되면 다른 WLAN 카드로 채널탐색을 지시후 최적 채널이 설정되면, 상기 최적 채널이 설정된 WLAN로 영상/음성 데이타의 송신 또는 수신을 지시하도록 구성된 것이다.
셋탑박스, 무선 영상 전송, WLAN 카드, 채널, 전송률-
公开(公告)号：KR100638609B1
公开(公告)日：2006-10-26
申请号：KR1020040061457
申请日：2004-08-04
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화물 단결정 성장방법 및 질화물 반도체 발광소자 제조방법에 관한 것으로서, 기판 상에 유전체층을 형성하는 단계와, 상기 기판의 일부가 노출되도록 상기 유전체층을 패터닝하여 유전체 마스크를 형성하는 단계와, 상기 기판의 노출된 영역에 AlN 단결정 버퍼층을 형성하는 단계와, 측방향성장조건으로 적어도 상기 유전체 마스크가 덮힐 때까지 상기 AlN 단결정 버퍼층 상에 질화물 반도체 단결정을 성장시키는 단계를 포함하는 질화물 반도체 단결정 성장방법을 제공한다.
AlN단결정, 측방향 에피택셜 과성장(lateral epitaxial overgrowth: LEO), 펜디오 에피택시(pendio-epitaxy)-
公开(公告)号：KR1020060094720A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：KR1020050016110
申请日：2005-02-25
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/405 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: Disclosed herein is a flip-chip type nitride semiconductor light emitting diode. The light emitting diode comprises an n-type nitride semiconductor layer formed on a transparent substrate and having a substantially rectangular upper surface, an n-side electrode which comprises at least one bonding pad adjacent to at least one corner of the upper surface of the n-type nitride semiconductor layer, extended electrodes formed in a band from the bonding pad along four sides of the upper surface of the n-type nitride semiconductor layer and one or more fingers extended in a diagonal direction of the upper surface from the bonding pad and/or the extended electrodes, an active layer and a p-type nitride semiconductor layer sequentially stacked on a region of the n-type nitride semiconductor layer where the n-side electrode is not formed, and a highly reflective ohmic contact layer formed on the p-type nitride semiconductor layer.
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公开(公告)号：KR100616619B1
公开(公告)日：2006-08-28
申请号：KR1020040071616
申请日：2004-09-08
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L29/737 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003
Abstract: 본 발명은 질화물계 이종접합 전계효과 트랜지스터에 관한 것으로서, 기판 상에 형성된 고저항 질화물 반도체층과, 상기 고저항 질화물 반도체층 상에 형성되며, Al이 도프된 GaN층과, 상기 Al이 도핑된 GaN층 상에 형성된 언도프된 GaN층과, 상기 언도프된 GaN층의 계면에 2차원 전자가스(2DEG)층이 형성되도록 상기 언도프된 GaN층 상에 형성된 AlGaN층을 포함하는 이종접합 전계효과 트랜지스터를 제공한다.
이종접합 전계효과 트랜지스터(hetero-junction field effect transistor: HFET), 질화물(nitride), 2차원 전자가스층(2DEG layer), 알루미늄(aluminum; Al)Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物系异质结型场效应晶体管，并形成在基板上的高电阻氮化物半导体层中，高形成氮化物半导体的电阻层上，将Al的GaN层掺杂有，Al-掺杂的GaN所述 异质结场效应晶体管，包括未掺杂的GaN层和未掺杂的AlGaN层的二维电子气（2DEG）层形成为使得所述上在GaN层形成的层上的界面处形成未掺杂的GaN层 等等。
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公开(公告)号：KR1020060024724A
公开(公告)日：2006-03-17
申请号：KR1020040073558
申请日：2004-09-14
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 발광소자와 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상부에 형성된 언도프된 GaN층과, 상기 언도프된 GaN층 상에 형성되어 상기 언도프된 GaN층의 접합계면에 2차원 전자가스층을 제공하는 AlGaN층과, 상기 n형 질화물 반도체층과 상기 AlGaN층 상에 각각 접속되도록 형성된 n측 전극 및 p측 전극을 포함하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.
질화물 반도체(nitride semiconductor) 발광소자(light emitting diode; LED), 2차원 전자가스(2DEG)층.Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，在n型氮化物半导体层，形成在所述有源层的n型氮化物半导体层，形成在所述和形成在衬底上有源层的p型氮化物半导体层， 所述p型氮化物半导体层是上部未掺杂的GaN层，并且形成在掺杂的GaN层的AlGaN提供在未掺杂GaN层层的接合界面的二维电子气层，和形成在所述n型上的语言 它提供一种氮化物半导体发光器件，包括形成有n侧电极和p侧电极，以便被分别连接，所述氮化物半导体层和AlGaN层上。 本发明还提供了一种制造氮化物半导体发光器件的方法。
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