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公开(公告)号：KR100798863B1
公开(公告)日：2008-01-29
申请号：KR1020060058741
申请日：2006-06-28
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화갈륨계 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 n형 질화갈륨층과, 상기 n형 질화갈륨층 상의 일부분에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화갈륨층과, 상기 p형 질화갈륨층 및 상기 n형 질화갈륨층 상에 각각 형성된 p형 전극 및 n형 전극, 및 상기 p형 전극 및 상기 n형 전극의 상부를 제외한 나머지 영역 상에 형성되며, 표면에 소정 형태의 패턴이 형성된 폴리머층을 포함하는 질화갈륨계 발광 다이오드 소자를 제공하고, 또한, 본 발명은 상기 질화갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조방법을 제공한다.
LED, 광추출 효율, 폴리머층, 굴절률, 임프린팅(imprinting), 패턴, 반구-
公开(公告)号：KR100631981B1
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：KR1020050029044
申请日：2005-04-07
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0079 , H01L33/32
Abstract: A vertical group III-nitride light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve light extraction efficiency and operation voltage characteristics by arranging an undoped GaN layer under an n-side electrode. A p-type clad layer(105), an active layer(107), an n-doped AlxGayIn(1-x-y)N(0
Abstract translation: 提供了一种垂直III族氮化物发光器件及其制造方法，以通过在n侧电极之下布置未掺杂的GaN层来提高光提取效率和操作电压特性。 p型覆盖层（105），有源层（107），n掺杂Al x Ga y In 1-x N（0≤x≤1,0≤y≤1,0<= x + （109），未掺杂的GaN层（111）和n侧电极（123）依次层叠在导电性基板（101）上。 在未掺杂的GaN层的上表面上形成凹凸图案（121）。 在未掺杂的GaN层的上表面内形成有n侧电极的区域上不形成凹凸图案。 在导电性基板与p型覆盖层之间形成反射层（103）。
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公开(公告)号：KR1020080096997A
公开(公告)日：2008-11-04
申请号：KR1020070042034
申请日：2007-04-30
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/02
Abstract: A method for forming the LED(Light Emitting Diode) device is provided to improve the luminance by minimizing the damage of the first scribing line surface formed by laser through the dry etch. A method for forming the LED(Light Emitting Diode) device includes the step of forming a plurality of light emitting structures in which the n-type nitride semiconductor layer(122) and the active layer and p-type nitride semiconductor layer are sequentially laminated on the top of the substrate; the step of exposing a part of the n-type nitride semiconductor layer by mesa-etching the light emitting structure; the step of forming a light emitting diode wafer(100) by forming a N type electrode(150) and P-contact(140) on a n-type nitride semiconductor layer and a p-type nitride semiconductor layer(126); the step of forming light emitting diode wafer(100); the step of forming the first scribing line of the groove shape, it uses the laser in the upper side of the light emitting diode wafer; the step of forming the second scribing line perpendicularity corresponding to the first scribing line at the lower-part of the light emitting diode wafer; the step of separating to the size of the unit LED element by cutting the light emitting diode wafer using the first and the second scribing lines.
Abstract translation: 提供了一种用于形成LED（发光二极管）器件的方法，通过最小化由激光穿过干蚀刻形成的第一刻划线表面的损伤来提高亮度。 一种形成LED（发光二极管）器件的方法包括：形成多个发光结构的步骤，其中n型氮化物半导体层（122）和有源层和p型氮化物半导体层依次层压在 基材的顶部; 通过台面蚀刻所述发光结构来暴露所述n型氮化物半导体层的一部分的步骤; 通过在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层（126）上形成N型电极（150）和P型接触（140）形成发光二极管晶片（100）的步骤; 形成发光二极管晶片（100）的步骤; 形成沟槽形状的第一刻划线的步骤，其使用发光二极管晶片的上侧的激光器; 在发光二极管晶片的下部形成对应于第一划线的第二刻划线垂直度的步骤; 通过使用第一划线和第二划线切割发光二极管晶片来分离到单元LED元件的尺寸的步骤。
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公开(公告)号：KR1020080000884A
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：KR1020060058741
申请日：2006-06-28
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A GaN-based light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to improve an efficiency of light extraction of an LED device by forming a polymer layer on an outermost portion of the device. An n-type GaN layer(130) is formed on a substrate(110), and an active layer(140) is formed on a portion of the n-type GaN layer. A p-type GaN layer(150) is formed on the active layer. A p-type electrode(160) and an n-type electrode(170) are formed on the p-type GaN layer and the n-type GaN layer, respectively. A polymer layer(180) is formed on the remaining region, except for the p-type electrode and the n-type electrode, and a predetermined pattern is formed on the surface of the polymer layer.
Abstract translation: 提供GaN基发光二极管及其制造方法，以通过在器件的最外部形成聚合物层来提高LED器件的光提取效率。 在衬底（110）上形成n型GaN层（130），在n型GaN层的一部分上形成有源层（140）。 在有源层上形成p型GaN层（150）。 p型电极（160）和n型电极（170）分别形成在p型GaN层和n型GaN层上。 在除了p型电极和n型电极之外的剩余区域上形成聚合物层（180），并且在聚合物层的表面上形成预定图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100631967B1
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：KR1020050016110
申请日：2005-02-25
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/405 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 본 발명은 실질적으로 사각형의 단면을 갖는 질화물 반도체 발광소자의 n형 질화물 반도체층 상에 대각선 방향으로 형성된 전극지를 갖는 n측 전극을 형성함으로써, 구동 전압을 저하시키고 발열을 감소시킬 수 있는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다. 본 발명은, 투광성 기판 상에 형성되며, 실질적으로 사각형상의 상면을 갖는 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층 상면의 모서리에 인접하여 형성된 적어도 하나의 본딩패드와, 상기 본딩패드로부터 n형 질화물 반도체층 상면의 네 변을 따라 띠 형상으로 연장되어 형성된 연장전극과, 상기 본딩패드 및/또는 상기 연장전극으로부터 상기 n형 질화물 반도체층 상면의 대각선 방향으로 연장되어 형성되는 적어도 하나의 전극지를 포함하는 n측 전극; 상기 n형 질화물 반도체층 상의 상기 n측 전극이 형성되지 않은 영역에 순차적으로 적층된 활성층 및 p형 질화물 반도체층; 및 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 고반사성 오믹콘택층을 포함하는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물 반도체 발광소자, 플립칩, n측 전극, 본딩패드, 연장전극, 전극지Abstract translation: 本发明通过在发光元件形成与形成在对角方向上纸电极的n侧电极的n型氮化物半导体层上基本上氮化物半导体，降低的驱动电压和能够减小具有正方形的横截面发热倒装芯片氮化物的 和一种半导体发光器件。 一种n型氮化物半导体发光器件，包括：形成在透光衬底上并具有大致矩形顶面的n型氮化物半导体层; 其中n形成为邻近于所述上表面型氮化物半导体层的键合焊盘和在条形沿着从接合垫的n型氮化物半导体层与所述焊盘和的上表面的四边延伸的延伸电极中的至少之一的边缘/ n侧电极，其包括在所述n型氮化物半导体层的上表面的对角线方向上从所述延伸电极延伸的至少一个电极指; 有源层和p型氮化物半导体层，顺序地堆叠在n型氮化物半导体层的未形成n侧电极的区域上; 并且在p型氮化物半导体层上形成高反射性的欧姆接触层。
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公开(公告)号：KR100780175B1
公开(公告)日：2007-11-27
申请号：KR1020060023747
申请日：2006-03-14
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 광 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있고 또한 칩 분리를 안정적으로 수행할 수 있게 하는 발광 다이오드 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 발광 다이오드 제조방법은, 복수의 소자 영역을 갖는 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 순차 적층된 발광 구조물을 형성하는 단계와; 상기 복수의 소자 영역들 간의 경계부에서 상기 n형 반도체층을 식각하여 상기 발광 구조물에 소자 분리용 트렌치를 형성하는 단계와; 상기 소자 분리용 트렌치에서 상기 기판을 절단하여 칩 분리하는 단계를 포함한다. 상기 소자 분리용 트렌치 형성 단계에서, 상기 트렌치 측면에 형성되어 상기 n형 반도체층에 거칠기를 제공하는 요철을 형성한다.
질화물 반도체, 발광 소자, LED, 광 추출 효율-
公开(公告)号：KR100721145B1
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：KR1020060002963
申请日：2006-01-11
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
Abstract: 본 발명은 발광 다이오드 소자에 관한 것으로서, 유효 발광면적을 최대화함으로써, 소자의 휘도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
이를 위한 본 발명에 의한 발광 다이오드 소자는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 n형 클래드층; 상기 n형 클래드층의 소정 영역 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 p형 클래드층; 상기 p형 클래드층 상에 형성된 p형 전극; 및 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 클래드층 상에 형성된 n형 전극을 포함하고, 상기 기판은, 그 외주변 중 인접하는 두 변이 서로 직교하지 않는 평행사변형 형상을 갖고, 상기 p형 전극 및 n형 전극은 상기 기판의 서로 대향하는 코너부에 각각 위치하는 것을 특징으로 한다.
LED, 발광면적, 휘도, p형 전극, n형 전극Abstract translation: 本发明涉及一种发光二极管器件，并且具有通过使有效发光面积最大化来提高元件的亮度的效果。
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公开(公告)号：KR1020070041151A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：KR1020050096993
申请日：2005-10-14
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 외부 발광 효율을 높일 수 있는 효과가 있다.
이를 위한 본 발명에 의한 질화물 반도체 발광소자는, 일측 끝단에 경사진 메사 월이 형성된 사파이어 기판; 상기 사파이어 기판 상에 형성되며, 그 일측 끝단에 상기 메사 월과 연장되는 메사 월이 형성된 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 차례로 형성되며, 그 일측 끝단에 상기 메사 월과 연장되는 메사 월이 형성된 활성층 및 p형 질화물 반도체층; 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 전극; 및 상기 활성층이 형성되지 않은 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 n형 전극을 포함한다.
발광 효율, 경사, 메사 월(mesa wall)-
公开(公告)号：KR1020060094720A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：KR1020050016110
申请日：2005-02-25
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/405 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: Disclosed herein is a flip-chip type nitride semiconductor light emitting diode. The light emitting diode comprises an n-type nitride semiconductor layer formed on a transparent substrate and having a substantially rectangular upper surface, an n-side electrode which comprises at least one bonding pad adjacent to at least one corner of the upper surface of the n-type nitride semiconductor layer, extended electrodes formed in a band from the bonding pad along four sides of the upper surface of the n-type nitride semiconductor layer and one or more fingers extended in a diagonal direction of the upper surface from the bonding pad and/or the extended electrodes, an active layer and a p-type nitride semiconductor layer sequentially stacked on a region of the n-type nitride semiconductor layer where the n-side electrode is not formed, and a highly reflective ohmic contact layer formed on the p-type nitride semiconductor layer.
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