公开(公告)号：KR1020020045366A

公开(公告)日：2002-06-19

申请号：KR1020000074799

申请日：2000-12-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유국열 ,  김윤수 ,  김재균 ,  서광덕 ,  노규찬 ,  허성철

IPC: H04N19/40

CPC classification number: H04N19/40 ,  H04N19/126 ,  H04N19/14 ,  H04N19/18 ,  H04N19/20 ,  H04N19/61 ,  H04N19/70

Abstract: PURPOSE: A transcoding device is provided to convert a digital bit stream having a quantizer without a dead zone into a digital bit stream having a quantizer having a dead zone, thereby easily converting bit streams having the same or different compression methods. CONSTITUTION: A VLD(Variable Length Decoding) block(1302) restores syntax elements and video elements from the first bit stream in accordance with the first compression method. An MPEG-4 dequantization block(1304) dequantizes the video elements with the first compression method, and restores video data. An MPEG-4 quantization block(1306) re-quantizes the video data according to the second compression method. A syntax generator(1310) maps the syntax elements to syntax elements in accordance with the second compression method. A VLC(Variable Length Coding) block(1308) outputs a coded second bit stream according to the second compression method for the quantized video data and the syntax elements.

Abstract translation: 目的：提供一种代码转换装置，用于将没有死区的量化器的数字比特流转换为具有死区的量化器的数字比特流，从而容易地转换具有相同或不同压缩方法的比特流。 构成：根据第一压缩方法，VLD（可变长度解码）块（1302）从第一位流恢复语法元素和视频元素。 MPEG-4去量化块（1304）利用第一压缩方法去量化视频元素，并恢复视频数据。 MPEG-4量化块（1306）根据第二压缩方法重新量化视频数据。 语法生成器（1310）根据第二压缩方法将语法元素映射到语法元素。 VLC（可变长度编码）块（1308）根据用于量化视频数据和语法元素的第二压缩方法输出编码的第二比特流。

公开(公告)号：KR1019980007757A

公开(公告)日：1998-03-30

申请号：KR1019960024164

申请日：1996-06-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태용 ,  김재균 ,  박계호

IPC: H04N19/94

公开(公告)号：KR102061696B1

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：KR1020130133820

申请日：2013-11-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김준연 ,  김재균 ,  김주성 ,  박영수 ,  탁영조

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/02 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR101926609B1

公开(公告)日：2018-12-10

申请号：KR1020120062862

申请日：2012-06-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 탁영조 ,  김재균 ,  김준연 ,  이재원 ,  최효지

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L29/778

Abstract: 웨이퍼의 보우를 줄여서 웨이퍼의 파손 및 변형을 감소시킴과 동시에 발광 파장의 균일도를 향상시킨 질화갈륨계 반도체 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 유형에 따른 반도체 소자는, 보론(B)과 게르마늄(Ge)이 동시에 도핑된 실리콘계 기판; 상기 실리콘계 기판 위에 배치된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 배치된 질화물 적층체;를 포함할 수 있다. 여기서 상기 보론(B)의 도핑 농도는 10
19 /cm
3 보다 높으며, 상기 게르마늄(Ge)의 도핑 농도는 10
19 /cm
3 보다 높을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020150052465A

公开(公告)日：2015-05-14

申请号：KR1020130133820

申请日：2013-11-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김준연 ,  김재균 ,  김주성 ,  박영수 ,  탁영조

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/02 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02458 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: 반극성질화물반도체구조체및 반극성질화물반도체구조체의제조방법이개시된다. 개시된반극성질화물반도체구조체는 7≤k≤13를만족하는 Si(11k) 표면을갖는실리콘기판상에형성되는질화물반도체층을포함하며, 질화물반도체층의분극전계가 0 근방이되는반극성을특성을갖는다.

Abstract translation: 公开了半极性氮化物半导体结构和制造半极性氮化物半导体结构的方法。 所公开的半极性氮化物半导体结构包括形成在硅板上的氮化物半导体层，该硅板具有在7 <= k <13范围内的Si（11k）表面，并且示出了接近的极化电场 到0。

公开(公告)号：KR101505555B1

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：KR1020130088249

申请日：2013-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 탁영조 ,  김재균 ,  김주성 ,  김준연 ,  이재원 ,  최효지

IPC: H01L27/115 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L29/267 ,  G11C11/161 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003

Abstract: 개시된반도체소자제조방법은실리콘기판상에, AlInGaN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)을포함하며, 격자상수가상기실리콘기판의격자상수 LP0보다작은 LP1인제1층과, 상기제1층위에형성되고, AlInGaN (0≤x

公开(公告)号：KR1020150025264A

公开(公告)日：2015-03-10

申请号：KR1020130102667

申请日：2013-08-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김재균 ,  김주성 ,  김준연 ,  박영수 ,  탁영조

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 정공주입층을 이용하여 활성층으로의 정공 주입을 증가시켜 발광 효율을 향상시킨 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 반도체 발광 소자는, 제 1 도전형으로 도핑된 제 1 반도체층, 상기 제 1 반도체층 위에 배치되며 경사진 사면을 갖는 다수의 피트가 표면에 형성된 활성층, 상기 활성층의 표면 위에 배치되며 상기 다수의 피트의 경사진 사면을 따라 일정한 두께로 형성된 정공주입층, 및 상기 정공주입층 위에 배치되며 제 2 도전형으로 도핑된 제 2 반도체층을 포함할 수 있다.

Abstract translation: 公开了一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件包括能够通过使用空穴注入层增加空穴注入有源层而提高发光效率的空穴注入层。 半导体发光器件可以包括掺杂有第一导电类型的第一半导体层，布置在第一半导体层上的有源层和在其表面上具有倾斜表面的凹坑，布置在表面上的空穴注入层 并且沿着凹坑的倾斜表面具有恒定的距离，以及布置在空穴注入层上并掺杂有第二导电类型的第二半导体层。

公开(公告)号：KR1020140010521A

公开(公告)日：2014-01-27

申请号：KR1020120076286

申请日：2012-07-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김준연 ,  김재균 ,  김주성 ,  양문승 ,  채수희 ,  탁영조 ,  홍현기

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/13 ,  H01L2933/0066

Abstract: Disclosed are a light emitting diode package and a method for manufacturing the same. The disclosed light emitting diode package comprises at least one light emitting structure, wherein the light emitting structure includes a first compound semiconductor layer; an active layer; a second compound semiconductor layer; at least one first metal layer which is arranged to be connected to the first compound semiconductor layer; a second metal layer which is arranged to be connected to the second compound semiconductor layer; a substrate having a conductive adhesion layer formed on a first surface thereof; and a bonding metal layer for eutectic bonding, which is arranged between the first metal layer and the conductive adhesion layer.

Abstract translation: 公开了一种发光二极管封装及其制造方法。 所公开的发光二极管封装包括至少一个发光结构，其中发光结构包括第一化合物半导体层; 活性层 第二化合物半导体层; 布置成连接到第一化合物半导体层的至少一个第一金属层; 布置成连接到第二化合物半导体层的第二金属层; 具有形成在其第一表面上的导电性粘合层的基板; 以及用于共晶接合的接合金属层，其布置在第一金属层和导电粘合层之间。

公开(公告)号：KR1020130062736A

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：KR1020110129159

申请日：2011-12-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김준연 ,  김재균 ,  채수희 ,  홍현기

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02658

Abstract: PURPOSE: A silicon substrate, an epitaxial structure having the same, and a method of manufacturing a silicon substrate are provided to reduce the generation of cracks by using a crack prevention part formed in a silicon edge part. CONSTITUTION: A silicon edge part(11) is formed around a silicon main part(12). A crack prevention part(15) is formed on a silicon edge part. The crack prevention part includes a dielectric layer. The dielectric layer is formed in the upper part of the silicon edge part. The dielectric layer includes a nitride layer or an oxide layer.

Abstract translation: 目的：提供硅衬底，具有该硅衬底的外延结构和制造硅衬底的方法，以通过使用形成在硅边缘部分中的防裂部分来减少裂纹的产生。 构成：围绕硅主要部分（12）形成硅边缘部分（11）。 在硅边缘部分上形成防裂部分（15）。 防裂部分包括电介质层。 电介质层形成在硅边缘部分的上部。 电介质层包括氮化物层或氧化物层。

公开(公告)号：KR1020080024292A

公开(公告)日：2008-03-18

申请号：KR1020060088464

申请日：2006-09-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박상준 ,  김재균

IPC: H04W36/36 ,  H04W36/14 ,  H04B7/26

CPC classification number: H04W36/08 ,  H04W36/26 ,  H04W48/20 ,  H04W48/10

Abstract: A cell reselection device of a portable terminal and a method are provided to enable the terminal receiving a broadcasting message to read the broadcasting message to conduct cell reselection which supports an HSDPA(High Speed Downlink Packet Access) service, thus it is unnecessary to perform cell reselection to a cell which does not support the service. A communication unit(210) receives a broadcasting message. A broadcasting message reader(202) reads the received broadcasting message by receiving instructions of a controller(200), confirms whether a cell which supports an HSDPA service exists, and provides the confirmed results to the controller. The controller controls the communication unit and the broadcasting message reader. The controller enables cell reselection to be conducted to a cell having the best cell reselection condition among cells which support the HSDPA service confirmed by the reader.

Abstract translation: 提供便携式终端的小区重选设备和方法，以使接收广播消息的终端能够读取广播消息以进行支持HSDPA（高速下行链路分组接入）业务的小区重选，因此不需要执行小区 重新选择不支持该服务的单元。 通信单元（210）接收广播消息。 广播消息阅读器（202）通过接收控制器（200）的指令来读取所接收的广播消息，确认是否存在支持HSDPA服务的小区，并将确认的结果提供给控制器。 控制器控制通信单元和广播消息阅读器。 控制器使小区重选被传送到支持由读取器确认的HSDPA服务的小区之间具有最佳小区重选条件的小区。