公开(公告)号：KR100663338B1

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：KR1019990052457

申请日：1999-11-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김병동 ,  박연식 ,  김만수

IPC: H01L27/108

Abstract: 본 발명은 메모기 셀의 캐패시터 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 방법은 실리콘 기판 위에 폴리실리콘을 패턴닝하여 하부 전극을 형성하는 단계와 상기 하부 전극의 표면을 열산화시켜 산화막을 형성하는 단계와 상기 산화막을 관통하여 상기 하부 전극 내에 불순물을 이온 주입하는 단계와 상기 산화막을 식각율이 낮은 식각액으로 습식 식각하여 상기 산화막에 핀홀을 형성하는 단계와 상기 산화막에 형성된 핀홀을 통하여 상기 하부 전극을 선택비가 높은 폴리실리콘 식각액으로 습식 식각하여 상기 하부 전극 표면에 요철을 형성하는 단계와 상기 산화막을 제거하고 요철이 형성된 상기 하부 전극 표면에 유전체막을 도포하는 단계 및 상기 유전체막 상부에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에서는 하부 전극의 표면 형상이 요철 모양으로 형성하여 유전체막이 요철 부위에도 퇴적되어서 전체적으로 유전체막의 표면적이 넓어져서 캐패시터의 용량을 증가할 수 있다.

公开(公告)号：KR100568536B1

公开(公告)日：2006-04-07

申请号：KR1020000002362

申请日：2000-01-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김만수 ,  신충환 ,  박연식

IPC: H01L21/22

Abstract: 보트와 보트캡의 결합구조를 개선하여 보트 캡에 결합된 보트가 흔들리는 것을 방지한 반도체 소자 제조용 수직 확산로가 개시된다. 상기 수직 확산로는, 외벽체를 이루는 히터부, 상기 히터부의 내부에 수직으로 설치되며 잔류 가스를 배출하기 위한 배출관이 마련된 반응관, 상부판과 하부판 및 상기 상부판과 하부판 사이에 마련되어 웨이퍼가 적재되는 다수의 지지바를 가지며, 웨이퍼와 반응하는 가스가 반응관으로 유입되도록 안내하는 유로가 형성된 보트(Boat), 상기 유로와 연통되는 가스 공급로가 형성되며 상기 보트를 탑재시켜 승강하는 보트 캡, 상기 보트가 보트 캡 상에서 흔들리지 않으면서 탑재되어 있도록 하는 결합수단, 그리고 상기 보트의 유로와 보트 캡의 공급로를 상호 밀폐하여 연통시키는 수단을 구비한다. 상기 수직 확산로는 보트와 보트 캡이 이중으로 상호 직접 결합되어 있으므로, 보트 캡 상에서 보트가 유동되는 일이 없다. 이로인해, 증착 공정 중 웨이퍼가 파손되지 않는다.

公开(公告)号：KR1020010073606A

公开(公告)日：2001-08-01

申请号：KR1020000002362

申请日：2000-01-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김만수 ,  신충환 ,  박연식

IPC: H01L21/22

Abstract: PURPOSE: A vertical diffusion furnace for manufacturing a semiconductor device is provided to prevent a boat from shaking on a boat cap by directly coupling the boat with the boat cap. CONSTITUTION: When a boat(80) is unloaded in a reaction tube(60), a wafer(70) is carried in a slot(83a) of the boat(80). The boat(80) is loaded in the reaction tube(60) by an elevation device(55). If gas is supplied from the external gas supply, the gas is supplied to the reaction tube(60) via a coupler(95), a supply line(91), a protrusion tube, an inserting groove, a chimney(85a), a guide line(85b) and a deflator(85c). The deflator(85c) is formed in the side of the wafer(70) and between the wafer(70) and the wafer(70), so that a constant amount of gas is supplied to each wafer(70).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的垂直扩散炉，以通过将船与船帽直接联接来防止船在船帽上摇动。 构成：当船（80）卸载在反应管（60）中时，晶片（70）被携带在船（80）的槽（83a）中。 船（80）通过升降装置（55）装载在反应管（60）中。 如果从外部气体供应气体供应气体，则通过耦合器（95），供应管线（91），突出管，插入槽，烟囱（85a）， 引导线（85b）和平衡器（85c）。 平缩器（85c）形成在晶片（70）的侧面和晶片（70）与晶片（70）之间，从而向每个晶片（70）提供恒定量的气体。

公开(公告)号：KR1020010047999A

公开(公告)日：2001-06-15

申请号：KR1019990052457

申请日：1999-11-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김병동 ,  박연식 ,  김만수

IPC: H01L27/108

Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a capacitor of a memory cell is provided to increase the capacity of the capacitor by forming an uneven part on the surface of the lower electrode. CONSTITUTION: A lower electrode(11) is formed on the silicon substrate(9) by a silicon patterning. An oxidation layer(13) is formed by heat-oxidizing the surface of the lower electrode(11). Impurities are injected to the polysilicon through the oxidation layer(13). A pin-hole(15) is formed in the oxidation layer(13) by wet-etching the oxidation layer(13) with a low etch rate solution. An uneven concave part(17) is formed on the polysilicon surface by wet-etching with a high selectivity of polysilicon etch solution through the pin hole. The oxidation layer(13) is removed to deposite a dielectric layer on the surface of the polysilicon layer having the uneven part. An upper electrode is formed over the dielectric layer.

Abstract translation: 目的：提供一种制造存储单元的电容器的方法，以通过在下电极的表面上形成不均匀部分来增加电容器的容量。 构成：通过硅图案化在硅衬底（9）上形成下电极（11）。 通过对下部电极（11）的表面进行热氧化来形成氧化层（13）。 杂质通过氧化层（13）注入多晶硅。 通过用低蚀刻速率的溶液湿法蚀刻氧化层（13），在氧化层（13）中形成针孔（15）。 通过湿蚀刻以多孔蚀刻溶液的高选择性通过针孔在多晶硅表面上形成不均匀凹部（17）。 去除氧化层（13）以在具有不平坦部分的多晶硅层的表面上沉积介电层。 在电介质层上方形成上电极。

公开(公告)号：KR1020000019929A

公开(公告)日：2000-04-15

申请号：KR1019980038287

申请日：1998-09-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김병동 ,  박연식

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing semiconductor device is provided to minimize the formation of the oxide film in heat treatment of a polysilicon film, thereby previously preventing the generation of the failure and enhancing reliability and productivity. CONSTITUTION: A method for manufacturing semiconductor device comprises a step forming a polysilicon film as a gate of a transistor on a semiconductor substrate, and a heat treatment step. In the heat treatment step, the chamber containing the semiconductor substrate is heated by the temperature to perform heat treatment the polysilicon film in-situ, and at the same time remnant gas within the chamber is removed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，用于在多晶硅膜的热处理中使氧化膜的形成最小化，从而防止产生故障并提高可靠性和生产率。 构成：半导体器件的制造方法包括在半导体衬底上形成作为晶体管的栅极的多晶硅膜的步骤和热处理步骤。 在热处理步骤中，将包含半导体基板的室加热到该温度，对多晶硅膜进行原位热处理，同时除去室内的残留气体。