公开(公告)号：KR1020100101426A

公开(公告)日：2010-09-17

申请号：KR1020090019912

申请日：2009-03-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박혜정

IPC: H04N9/77 ,  H04N9/78 ,  H04N5/44

CPC classification number: H04N9/646 ,  H04N9/78

Abstract: PURPOSE: A device for processing an image and a method for controlling the same are provided to control bandwidth applying to a filtering of a color signal by corresponding to the noise level of an image signal, thereby filtering a color signal by controlled bandwidth. CONSTITUTION: A first image processing unit converts a input image signal into a brightness signal and a chromaticity signal. A bandwidth applying the filtering of the chromaticity signal is controlled by corresponding to the noise level of the image signal. A processing block(310) filters and processes the chromaticity signal by bandwidth. A sensing block(320) draws in the size of the noise level.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理图像的装置及其控制方法，用于通过对应于图像信号的噪声电平来控制对彩色信号进行滤波的带宽，从而通过受控带宽对彩色信号进行滤波。 构成：第一图像处理单元将输入图像信号转换为亮度信号和色度信号。 通过对应于图像信号的噪声电平来控制施加色度信号的滤波的带宽。 处理块（310）通过带宽过滤和处理色度信号。 感测块（320）吸收噪声水平的大小。

公开(公告)号：KR1020070013165A

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：KR1020050067558

申请日：2005-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박혜정 ,  박은경

IPC: H04N7/08

CPC classification number: H04N5/44513 ,  H04N5/21 ,  H04N21/435 ,  H04N21/44209 ,  H04N21/4884

Abstract: A broadcasting receiving apparatus for displaying closed caption data and a method therefor are provided to improve image quality by omitting the display of caption information although a caption information display function is activated when a large amount of noise exists in a composite image signal and preventing broken caption information from being displayed on a screen. A signal receiving unit(110) receives a certain composite image signal. A signal processing unit(120) processes the composite image signal to be converted into a certain output format signal. A noise calculating unit(130) calculates a noise level of the composite image signal. A caption data detecting unit(140) detects closed caption data from the composite image signal, provides the closed caption data to the signal processing unit(120) to be inserted into the output format signal only when the noise level is smaller than a certain threshold level.

Abstract translation: 提供用于显示隐藏字幕数据的广播接收装置及其方法，用于通过省略字幕信息的显示来提高图像质量，尽管当在合成图像信号中存在大量噪声并且防止断开的字幕时激活字幕信息显示功能 信息显示在屏幕上。 信号接收单元（110）接收特定的合成图像信号。 信号处理单元（120）处理要转换为特定输出格式信号的合成图像信号。 噪声计算单元（130）计算合成图像信号的噪声电平。 字幕数据检测单元（140）从复合图像信号中检测隐藏字幕数据，仅在噪声电平小于特定阈值时才将隐藏字幕数据提供给信号处理单元（120）才能插入输出格式信号 水平。

公开(公告)号：KR102255301B1

公开(公告)日：2021-05-24

申请号：KR1020140059965

申请日：2014-05-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  김상우 ,  신경식 ,  박혜정 ,  조은비

IPC: H01L31/0256 ,  H01L31/042

Abstract: 광전자소자에관해개시되어있다. 개시된광전자소자는제1 및제2 전극사이에구비된광활성층(photoactive layer)과, 상기제1 및제2 전극중 적어도어느하나에대응하도록구비된강유전층(ferroelectric layer)을포함할수 있다. 상기제1 및제2 전극중 적어도하나는그래핀을포함할수 있다. 상기광활성층은이차원반도체를포함할수 있다. 상기광전자소자는제3 전극을더 포함할수 있고, 이경우, 상기강유전층은상기제2 전극과제3 전극사이에구비될수 있다. 상기제2 전극, 상기강유전층및 상기제3 전극은나노발전기(nanogenerator)를구성할수 있다.

公开(公告)号：KR1020150133088A

公开(公告)日：2015-11-27

申请号：KR1020140059966

申请日：2014-05-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  김상우 ,  이강혁 ,  박혜정 ,  조은비

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/267 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66015 ,  H01L31/028 ,  Y02E10/547

Abstract: 그래핀-반도체멀티접합을갖는전자소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된전자소자는적어도하나의그래핀돌기를갖는그래핀층과이러한그래핀층을덮는반도체층을포함한다. 상기그래핀돌기의측면은비평면으로멀티에지(edge)를가질수 있는데, 상기그래핀돌기는계단식측면을가질수 있다. 상기그래핀층은복수의나노결정(nano-crystal) 그래핀을포함한다. 상기그래핀층은복수의나노결정그래핀을포함하는하부그래핀층과상기하부그래핀층상에형성된상기그래핀돌기를포함한다. 상기반도체층은전이금속디켈코게나이드(Transition Metal Dichalcogenide)(TMDC)층을포함할수 있다. 상기복수의그래핀돌기는각각복수의나노결정그래핀을포함할수 있다.

Abstract translation: 公开了具有石墨烯半导体多结的电子器件及其制造方法。 所公开的电子元件包括：具有至少一个石墨烯突起的石墨烯层; 以及覆盖石墨烯层的半导体层。 石墨烯突起的一侧不是平面的并且具有多边缘，并且石墨烯突起具有梯田侧。 石墨烯层包括多个纳米晶体石墨烯。 石墨烯层包括形成在下部石墨烯层上的石墨烯突起，该石墨烯层包括多个纳米晶体石墨烯。 半导体层包括过渡金属二硫族元素（TMDC）层。 每个石墨烯突起包括多个纳米晶体石墨烯。

公开(公告)号：KR1020150133087A

公开(公告)日：2015-11-27

申请号：KR1020140059965

申请日：2014-05-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  김상우 ,  신경식 ,  박혜정 ,  조은비

IPC: H01L31/0256 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/032 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/04 ,  H01L31/08 ,  Y02E10/50

Abstract: 광전자소자에관해개시되어있다. 개시된광전자소자는제1 및제2 전극사이에구비된광활성층(photoactive layer)과, 상기제1 및제2 전극중 적어도어느하나에대응하도록구비된강유전층(ferroelectric layer)을포함할수 있다. 상기제1 및제2 전극중 적어도하나는그래핀을포함할수 있다. 상기광활성층은이차원반도체를포함할수 있다. 상기광전자소자는제3 전극을더 포함할수 있고, 이경우, 상기강유전층은상기제2 전극과제3 전극사이에구비될수 있다. 상기제2 전극, 상기강유전층및 상기제3 전극은나노발전기(nanogenerator)를구성할수 있다.

Abstract translation: 公开了一种光电子器件。 所公开的光电子器件可以包括：设置在第一和第二电极之间的光敏层; 以及设置成对应于来自第一和第二电极的至少一个的铁电层。 来自第一和第二电极的电极可以包含石墨烯。 光活性层可以包括二维半导体。 光电子器件可以另外包括第三电极，并且在这种情况下，铁电层可以设置在第二和第三电极之间。 第二电极，铁电体层和第三电极可以具有纳米发生器。

公开(公告)号：KR100564576B1

公开(公告)日：2006-03-28

申请号：KR1020030066498

申请日：2003-09-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구경모 ,  구자흠 ,  박혜정

IPC: H01L21/24

CPC classification number: C23C14/5806 ,  C23C14/021 ,  C23C14/165 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/28052 ,  H01L29/665

Abstract: 양질의 코발트 실리사이드막 형성이 가능한 개선된 코발트 실리사이드 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법이 제공된다. 실리콘을 포함하는 도전 영역 위에 코발트를 포함하는 막을 형성한 후, 코발트를 포함하는 막 위에 티타늄의 원자% / 나머지 원소의 원자%가 1 보다 큰 티타늄이 풍부한 캡핑막을 형성한다. 이후 열처리에 의해 코발트가 실리콘과 반응하여 코발트 실리사이드막을 형성하도록 한다. 또, 선택적으로 코발트를 포함하는 막의 형성 공정을 고온에서 실시하여 확산 억제 계면막이 형성되도록 한다.
코발트 실리사이드, 캡핑막, 티타늄, 고온 증착

公开(公告)号：KR1020040034394A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：KR1020030066498

申请日：2003-09-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구경모 ,  구자흠 ,  박혜정

IPC: H01L21/24

CPC classification number: C23C14/5806 ,  C23C14/021 ,  C23C14/165 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/28052 ,  H01L29/665

Abstract: PURPOSE: An improved cobalt silicide forming method for forming an excellent cobalt silicide layer and a method for manufacturing a semiconductor device using the same are provided to be capable of easily controlling surface resistance. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is defined with an insulation region and a silicon region. A predetermined layer containing cobalt is formed on the silicon region of the semiconductor substrate(S3). A capping layer is formed on the predetermined layer(S4). At this time, the titanium atom% to residual element atom% is larger than 1, so that the capping layer has abundant titanium. A heat treatment is performed on the resultant structure for forming a cobalt silicide layer by reacting the cobalt to the silicon of the silicon region.

Abstract translation: 目的：提供用于形成优异的钴硅化物层的改进的硅化钴形成方法和使用其的半导体器件的制造方法，以能够容易地控制表面电阻。 构成：半导体衬底被限定有绝缘区域和硅区域。 在半导体衬底的硅区上形成含有钴的预定层（S3）。 在预定层上形成覆盖层（S4）。 此时，钛原子％与残留元素原子％的比例大于1，因此覆盖层具有丰富的钛。 通过使钴与硅区域的硅反应，对所形成的钴硅化物层的结构进行热处理。