Abstract:
The information storage apparatus includes a recording medium (10) and a head. The recording medium has an electrode layer (15), a ferroelectric film (13) that is stacked on the electrode layer, and a semiconductor layer (11) that is stacked on the ferroelectric film. The head has a semiconductor probe (21) for forming a dielectric polarization on the ferroelectric film to record information and reproducing information from the dielectric polarizations on the ferroelectric film by making a p-n junction with the recording medium. Thus, it is possible to manufacture a small-sized information storage apparatus which is capable of repeatedly recording and reproducing information at a high speed.
Abstract:
PURPOSE: A high speed and high density information storage device applying a time division multiplexing, and a method for recording information and a method for reproducing information using the same are provided to accurately detect signals with a plurality of cantilevers and drive the plurality of cantilevers with lower power by controlling the plurality of cantilevers with one control unit. CONSTITUTION: A recording medium is provided to store information at an information storage area. A stage(24) supports the recording medium. A scanner(28) drives the stage. A cantilever array(30) is formed of a plurality of cantilevers(P_11,...,P_NM) recording information on the recording medium according to an order of detecting information or reproducing the information from the recording medium. A control unit(26) applies a driving signal driving the scanner, and applies a voltage signal for information recording or a voltage modulation signal for information reproduction to the plurality of cantilevers for detecting the information. A plurality of switches(W_11,...,W_NM) connect the control unit with the cantilevers.
Abstract:
PURPOSE: A probe of a scanning probe microscope(SPM) having a field-effect-transistor(FET) channel structure is provided to form a structure composed of a source, a channel and a drain, by etching a semiconductor substrate such as a single crystal silicon wafer to fabricate a probe structure, and by performing a doping process regarding an inclined etch surface of a tip portion at the end of the probe structure. CONSTITUTION: A probe(210) of a bar type is composed of a semiconductor. The first impurity is doped to a central inclined surface of a V-shaped tip at the end portion of the probe to form a channel region. The second impurity is doped to both inclined surfaces of the V-shaped tip of the end portion of the probe with the channel region as a center.
Abstract:
스토리지 시스템 및 그의 동작 방법이 개시된다. 일 양상에 따른 스토리지 시스템 제어 장치는, 복수의 저장 장치 중에서 명령을 처리할 저장 장치를 결정하는 저장 장치 결정부와, 결정된 저장 장치에게 타임 아웃 내에 명령의 처리를 요청하는 명령 처리 요청부를 포함하되, 저장 장치 결정부는, 명령 처리 요청에 대응하여 결정된 저장 장치로부터 명령을 타임 아웃 이내에 처리할 수 있는지 여부를 판단한 결과를 수신하여, 명령을 처리할 저장 장치를 재결정할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 확장된 단문 메시지를 이용한 사용자 이동 통신 단말기와 음성 메일 서버 간의 상호 통보 기능을 통한 음성 메일 시스템에서의 음성 사서함의 관리 방법에 관한 것으로, (a) 상기 음성 메일 서버 상의 음성 사서함에 보관되어 있는 음성 메시지를 수신하는 단계; (b) 상기 음성 메일 서버 상의 음성 사서함에 보관되어 있는 신규 음성 메시지를 저장하거나, 신규 또는 저장 음성 메시지를 삭제하는 사용자 입력을 상기 음성 메일 서버로 전송하고, 상기 음성 메일 서버에의 접속을 끊는 단계; (c) 상기 음성 메일 서버로부터 상기 음성 메일 서버 상의 음성 사서함에 보관되어 있는 음성 메시지의 상태의 변화를 통보하는 단문 메시지를 수신하는 단계; 및 (d) 상기 (c) 단계에서 수신된 단문 메시지에 따라, 상기 사용자 이동 통신 단말기 상의 음성 사서함에 보관되어 있는 음성 메시지의 정보를 수정하는 단계를 포함함을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 음성 메일 서버 상의 음성 사서함의 상태 변화 및 사용자 단말기 상의 음성 사서함의 상태 변화가 발생할 경우에 이를 상호 통보하는 단문 메시지를 전송하고, 수신된 단문 메시지에 따라 음성 메일 서버 및 사용자 단말기 상의 음성 사서함의 상태를 수정함으로써, 음성 메일 서버와 사용자 단말기 상의 음성 사서함은 상호 동일한 정보를 유지할 수 있게 된다.
Abstract:
A method for processing data, in a wireless application protocol for wireless applications using Unstructured Supplementary Service Data (USSD), includes the steps of: (a) receiving data from an upper layer into a Wireless Datagram Protocol (WDP) layer; (b) storing the data received in the WDP layer in step (a) in a common buffer which is commonly used by the WDP layer and a USSD Dialogue Control Protocol (UDCP) layer; and (c) forming packets in the UDCP layer using the data stored in the common buffer in step (b), and then transmitting the packets through the USSD. According to the method, memories for the WDP layer and the UDCP layer, which is an adaptation layer for a Global System for Mobile communication (GSM) USSD bearer, are integrated into one, effectively reducing a required memory size compared to conventional methods in which the WDP layer and the UDCP layer use separate memories.
Abstract:
커패시턴스 변화를 이용하는 정보 재생 장치 및 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 정보 재생 장치는 상기 기록 매체에 대한 상기 팁의 위치를 결정할 수 있도록 상기 캔틸레버를 이동시키는 위치결정부와, 정전력(electrostatic force)이 발생되도록 상기 기록 매체와 캔틸레버 사이에 전압을 인가하기 위하여 상기 기록 매체 및 캔틸레버에 연결되어 있는 전원과, 상기 기록 매체와 캔틸레버와의 사이에 발생되는 정전력을 측정하는 정전력 측정부와, 상기 정전력 측정부에서 측정한 정전력으로부터 상기 기록 매체의 국부 커패시턴스를 결정하는 제어부를 포함한다. 본 발명에서는 기록 매체로부터 정보를 재생하기 위하여 전도성 캔틸레버의 자유 단부에 지지되어 있는 팁을 기록 매체의 소정 위치에 접촉시킨다. 상기 팁 및 기록 매체가 접촉 상태로 유지되는 동안 상기 팁 및 기록 매체에 전압을 인가하여 정전력을 발생시킨다. 발생된 정전력을 측정하고, 이로부터 기록 매체의 소정 위치에서의 커패시턴스를 결정한다. 상기 결정된 커패시턴스의 크기에 의거하여 상기 기록 매체에 기록된 정보를 재생한다.
Abstract:
열적으로 안정한 강유전성 정보 저장 매체를 포함하는 강유전성 메모리 장치가 개시된다. 개시된 메모리 장치의 강유전성 정보 저장 매체는 정보 저장 매체 및 상기 정보 저장 매체에 데이타를 저장하거나 재생하는 탐침을 포함하는 메모리 장치에 있어서, 상기 정보 저장 매체는, 하부전극; 및 상기 하부전극의 상면에 적층되는 강유전체막;을 구비하며, 상기 강유전체막에 형성되는 유전 분극 도메인은 메모리 소자의 비트로 작용되도록 하고, 상기 강유전체막의 두께는 상기 비트의 지름보다 크지 않은 것을 특징으로 한다. 열적으로 안정한 비휘발성 강유전체 메모리 장치를 제공하여 고속으로 고밀도로 정보를 저장할 수 있으며 정보 보유력을 향상시켜 신뢰성 있는 정보 저장 매체를 구현할 수 있다.