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公开(公告)号：KR1020130012500A
公开(公告)日：2013-02-04
申请号：KR1020110073772
申请日：2011-07-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L23/13 , H01L21/563 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/1312 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16238 , H01L2224/26175 , H01L2224/27013 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2224/92125 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0132 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/15159 , H01L2924/157 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/01079 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2924/0665 , H01L2224/81 , H01L2224/83
Abstract: PURPOSE: A chip package structure and a manufacturing method thereof are provided to reduce a distance between chips formed on a substrate and to improve the degree of integration thereof. CONSTITUTION: A bonding layer(130) is formed on a substrate(110). Multiple chips(140) are adhered to the substrate by using the bonding layer. Multiple grooves(120) are formed between a bonding pad(115) of the substrate and the chip. A groove includes a first groove and multiple second grooves. At least one bonding pad(145) is formed on the chips. The bonding pads are electrically connected to wires(150).
Abstract translation: 目的：提供一种芯片封装结构及其制造方法，以减小形成在基板上的芯片之间的距离并提高其集成度。 构成：在基板（110）上形成接合层（130）。 多个芯片（140）通过使用粘合层粘合到基板上。 在衬底的焊盘（115）和芯片之间形成多个凹槽（120）。 凹槽包括第一凹槽和多个第二凹槽。 在芯片上形成至少一个焊盘（145）。 接合焊盘电连接到电线（150）。
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公开(公告)号：KR100761476B1
公开(公告)日：2007-09-27
申请号：KR1020040054449
申请日：2004-07-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01H59/0009 , H01H2059/0018
Abstract: 교류신호전달동작을 ON/OFF 제어하는 멤스 RF-스위치가 개시된다. 본 멤스 RF-스위치는, 외부 전원의 일단자와 연결된 제1전극, 제1전극의 상부표면에 결합하며, 전원으로부터 바이어스 신호가 인가되면 전위배리어(barrier)를 형성하여 절연성을 띄게 되는 반도체층, 및 반도체층과 일정거리 이격된 위치에 제작되며, 전원의 타단자와 연결되어 전원으로부터 바이어스 신호가 인가되면 반도체층과 접촉하는 제2전극을 포함한다. 이에 따라, 바이어스 신호가 인가된 후 끊어지더라도 반도체층 내부에서 전자 및 정공의 재결합으로 인해 전하 축적 현상 및 이로 인한 스티킹 현상 등이 사라지게 된다.
멤스, 반도체, PN-정션 다이오드, 전위배리어-
公开(公告)号：KR100652950B1
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：KR1020000049447
申请日：2000-08-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02B26/08
Abstract: 본 발명은 미소 거울 주위에 형성되는 코일에 의하여 생성되는 전자기력에 의해 회전 구동되는 미소 거울 구동장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 미소 거울 구동장치는 기판에 이격되어 지지되어 있는 미소거울과, 미소거울 상에 부착되어 있는 자성체와, 미소거울 단부에 부착되어 있는 절첩형 굽힘 스프링과, 기판 위에 굽힘 스프링과 접속되게 형성된 앵커와, 미소거울 주위의 기판상에 형성된 코일을 포함한다. 이러한 미소 거울 및 그 제조방법에 의하면 단위 미소거울의 구동에 필요한 요소의 집적화에 의해 보다 소형화 될 수 있고, 미소거울을 지지하는 굽힘 스프링의 비틀림력 완화에 의해 수직으로 회전구동하는데 소용되는 구동 전력이 감소되는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR1020060092424A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：KR1020050013182
申请日：2005-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01H59/0009 , H01H2059/0054 , H01H2059/0081
Abstract: 신호의 흐름을 스위칭하는 스위치패드 및 그것을 구비한 마이크로 스위치가 개시된다. 스위치패드는 중심에서 주변으로 갈수록 기판에 설치된 정전구동부로부터 더 이격되게 형성된 몸체를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 스위치패드가 중심에서 주변으로 갈수록 기판에 설치된 정전구동부로부터 더 이격되게 형성된 구조를 가짐으로써, 낮은 구동전압에서도 안정적으로 구동될 수 있다.
스위치, 정전기력, 효율, 증가, 구동전압, 감소, 스위치패드, 계단,-
公开(公告)号：KR100442830B1
公开(公告)日：2004-08-02
申请号：KR1020010076235
申请日：2001-12-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00269 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15312 , H01L2924/16152 , H01L2924/16195 , H01L2924/163 , Y10T29/49002 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/49146 , Y10T29/49789 , Y10T29/49794 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 움직이는 초소형 기계구조물 소자에 대해 산화를 방지하고 저온에서 실링할 수 있는 허메틱 실링 방법이 개시되어 있다.
이 개시된 저온의 산화 방지 허메틱 실링 방법은, 준비된 리드 프레임에 접합층, 웨팅층 및 솔더층을 증착하는 단계; 상기 솔더층 위에 산화 방지를 위한 제1 보호층을 증착하여 리드를 형성하는 단계; 소자가 배치되고, 상기 소자 주변에 메탈층과 제2 보호층이 형성된 패키지 베이스를 준비하는 단계; 상기 리드와 패키지 베이스를 조립하고 열을 가하여 실링하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하다.
본 발명에 따른 저온의 산화방지 허메틱 실링 방법은 리드에 형성된 솔더층에 보호층을 적층하여 플럭스 없이 산화 방지를 할 수 있으며, 저온으로 실링할 수 있으므로 특히 MEMS 소자와 같이 열이나 수분, 기타 부산물에 취약한 소자에 적합하다.Abstract translation: 一种气密密封方法，其能够防止微机电系统（MEMS）的氧化并且在低温下密封MEMS。 具有钝化层的低温气密密封方法包括在准备的盖框架上沉积接合层，润湿层和焊料层，在焊料层上沉积用于防止氧化的第一保护层并形成盖，制备封装 在其上设置器件，并且其中在器件周围形成金属层和第二保护层，并且组装盖和封装基座，加热并密封它们。 保护层层叠在由盖形成的焊料层上，由此防止不使用助熔剂而氧化。 具有钝化层的低温气密密封方法适用于密封对热，水和其他副产品敏感的装置，例如MEMS。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100396551B1
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：KR1020010005256
申请日：2001-02-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/04
CPC classification number: H01L23/10 , B81B7/0077 , B81C1/00269 , B81C1/00357 , B81C2201/019 , H01L21/50 , H01L24/48 , H01L2224/05599 , H01L2224/45099 , H01L2224/48227 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/16235 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 수분이나 입자 등에 의한 영향이 배제되도록 하고 고온 등에 약하거나 열순환에 의해 영향을 받는 반도체 소자를 저온으로 실링할 수 있는 웨이퍼 레벨 허메틱 실링 방법이 개시되어 있다.
이 개시된 웨이퍼 레벨 허메틱 실링 방법은, 웨이퍼상에 반도체 소자를 제작하는 단계; 리드 웨이퍼를 형성하는 단계; 상기 웨이퍼 또는 리드 웨이퍼상의 소정 위치에 솔더로 이루어진 접합부를 형성하는 단계; 상기 접합부에 의해 상기 웨이퍼와 상기 리드 웨이퍼를 실링하는 단계; 상기 실링한 웨이퍼 레벨의 소자를 칩 단위로 다이싱하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이상과 같이 본 발명은 웨이퍼 레벨로 실링하여 절단하므로 공정시간이 단축되고, MEMS와 같이 움직이는 구조물이 있는 경우에 조작하기가 용이할 뿐 아니라 솔더에 의해 저온으로 실링하므로 열에 약한 반도체 소자를 패키징하는데 유용하다.Abstract translation: 一种在晶圆级密封的装置或一种对高温敏感或受加热周期影响的装置密封的方法。 半导体器件形成在晶片上。 盖晶片被形成。 在晶片和/或盖晶片上的预定位置形成粘合剂。 晶圆和盖晶圆被晶圆级的粘合剂密封。 可以使用焊料在低温下执行密封以保护对热敏感的器件。 密封的设备被切成单个芯片。 在晶圆级密封方法中，在器件密封后进行锯切操作。 因此，总体处理时间减少，器件受到湿气或颗粒的影响，并且诸如MEMS器件的具有移动结构的器件更容易处理。
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公开(公告)号：KR1020010109867A
公开(公告)日：2001-12-12
申请号：KR1020000030583
申请日：2000-06-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02B26/10
Abstract: 전위차에 의한 전극과 마이크로미러 사이의 점착을 방지할 수 있도록 된 마이크로미러 디바이스 및 그 제조방법이 개시되어 있다.
개시된 마이크로미러 디바이스는, 기판과; 기판의 상면에 형성된 복수의 어드레스전극과; 이 어드레스전극 주변에 마련된 바이어스전극과; 바이어스 전극에 인가된 전압에 의해 소정 전압이 인가되는 마이크로미러와; 마이크로미러를 회동가능하게 지지하는 지지수단과; 적어도 어드레스전극의 상면을 덮도록 마련된 절연되도록 하는 절연층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 개시된 마이크로미러 디바이스 제조방법은, 기판을 마련하고, 이 기판 상에 제1절연층을 형성하는 단계와; 제1절연층 상에 소정 패턴으로 어드레스전극 및 바이어스전극을 형성하는 단계와; 제2절연층을 형성하고, 바이어스전극의 상부에 형성된 적어도 일부의 제2절연층을 제거하는 단계와; 제2절연층 상부에 소정 두께의 제1희생층을 형성하고, 바이어스전극 상방으로 연장형성되는 제1포스트 및 이 제1포스트 상부에 형성되는 수평지지보를 증착 형성하는 단계와; 수평지지보 상에 소정 두께의 제2희생층을 형성하고, 수평지지보의 상방으로 연장형성되는 제2포스트 및 이 제2포스트 상부에 형성되는 마이크로미러를 증착 형성하는 단계와; 제1 및 제2희생층을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1020010003589A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019990023946
申请日：1999-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11B7/1387 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B11/10534 , G11B11/10554 , G11B11/1058 , G11B2007/13725
Abstract: PURPOSE: An optical magnetic head of an optical magnetic recording and reproducing apparatus and the manufacturing method thereof is provided to reduce assembling processes by adhering a thin type micro-coil to a lens through a solder bump. The coil is formed by patterning in the semiconductor process. CONSTITUTION: The optical magnetic head of an optical magnetic recording and reproducing apparatus and the manufacturing method thereof includes following units. An optical head is mounted to a slider(110) being moved on an optical magnetic recording media(100), floating by air pressure. The optical magnetic head includes a lens(120), a coil member(140) and an adhering member. The lens(120) is mounted to the slider(110) and condenses an incident light in order to be imaged a light spot to the optical magnetic recoding media(100). The coil member(140) is adhered to a surface of the lens(120) facing to the optical magnetic recoding media(100). The adhering member adheres the coil member to the lens(120) and connects the outside power source to the coil member(140).
Abstract translation: 目的：提供光磁记录和再现装置的光磁头及其制造方法，以通过焊料凸块将薄型微型线圈粘附到透镜来减少组装过程。 在半导体工艺中通过图案化形成线圈。 构成：光磁记录和再现装置的光磁头及其制造方法包括以下单元。 光学头安装在滑动器（110）上，该光滑头（110）在光学磁记录介质（100）上移动，由气压浮动。 光磁头包括透镜（120），线圈构件（140）和粘附构件。 透镜（120）被安装到滑块（110）并且聚集入射光，以将光点成像到光学记录介质（100）。 线圈构件（140）粘附到面向光学记录介质（100）的透镜（120）的表面。 粘接构件将线圈构件粘附到透镜（120），并将外部电源连接到线圈构件（140）。
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公开(公告)号：KR100242660B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970055245
申请日：1997-10-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04R17/02
Abstract: 본 발명은 초소형 정밀가공기술을 이용하여 각 음파방사판 픽셀들을 격자형태로 원하는 갯수만큼 실리콘웨이퍼상에 한꺼번에 형성한 초소형의 판형 초음파 트랜스듀서에 관한 것으로, 전기적으로 그라운드가 되어 있고, 상면부에 차단층이 형성된 실리콘웨이퍼; 상기 실리콘웨이퍼상에 형성된 차단층위에 구성되어 음의 바이어스전압이 인가되는 음전극들; 상기 음전극들에 각각 수직입설형성되어 있으며, 상단부에 파지편이 구비되어 있는 지지봉들; 상기 지지봉들의 상단에 상기 실리콘웨이퍼와 평행하게 소정간격 이격되어 지지되어 있는 음파방사판; 상기 파지편과 음파방사판 사이에 연결되어 상기 음파방사판이 진동할 수 있도록 상기 음파방사판의 모서리를 파지고정하고 있는 탄성체들; 및 상기 음파방사판과 대향하는 상기 실리콘웨이퍼의 차단층상에 형성돼 재생시키고자 하는 초음파신호가 인가되면, 음의 바이어스전압이 걸린 음파방사판과의 정전력에 의해 상기 음파방사판을 진동시키는 양전극층을 포함하며, 이상과 같은 구조를 갖는 본 발명의 초음파 트랜스듀서는 반도체공정에서 이미 보편화돼 널리 사용되고 있는 초소형 정밀가공기술을 이용하여 각 음파방사판 픽셀들을 격자형태로 원하는 갯수만큼 실리콘웨이퍼상에 한꺼번에 형성하므로 판형구조로 초소형화할 수 있어 스피커의 박형소형화를 이룩할 수 있게 하는 첨단의 기술이다.
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公开(公告)号：KR1019990021184A
公开(公告)日：1999-03-25
申请号：KR1019970044708
申请日：1997-08-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 신형재
IPC: G02F1/015
Abstract: 개시된 내용은 투사방식의 영상장치에 있어서 광원으로부터 투사되는 광을 부분적으로 반사하여 화상을 생성하는 광경로변환 미소거울 화상소자장치에 관한 것이다. 본 발명의 광경로변환 미소거울 화상소자장치는 미소거울의 하부와 기계적으로 분리된 상태에서 접촉에 의해 기준전압을 공급하는 기준전극과, 미소거울을 구동하기 위해 공간구조물 상부와 내부하단에 2층적인 구조로 형성된 구동전극과, 미소거울을 지지하고 일정각도내 회전구동이 가능하며 이탈을 방지할 수 있는 공간구조물과, 정전기적 흡인력에 의해 거울면이 회전함으로써 빛의 진행경로를 변환시켜 화상을 형성하는 미소거울로 이루어져 있다. 따라서, 본 발명은 극장의 대형화면을 가정에서도 시청할 수 있는 가정용 극장의 핵심적 기반기술은 물론, 높은 반사효율을 갖는 미소거울을 이용하고 디지탈신호방식으로 화상을 제어함으로써 고화질의 화면을 제공한다.
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