公开(公告)号：KR100653083B1

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：KR1020040113065

申请日：2004-12-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤석출 ,  남광우 ,  송인상 ,  심동하

IPC: H01H59/00 ,  B82Y25/00

CPC classification number: G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C23/00 ,  H01H1/0094 ,  Y10S977/708

Abstract: RF 신호의 손실을 줄일 수 있는 RF 스위치가 개시된다. 본 발명에 의한 RF 스위치는, 구동전원의 일단자와 연결되는 제1전극유닛; 상기 구동전원의 타단자와 연결되는 제2전극; 및 상기 구동전원으로부터 전원의 인가여부에 따라 상기 제1전극유닛 및 제2전극과 선택적으로 접촉되는 유전체;를 포함한다.
RF 신호손실, 유전체, 임피던스, 스위치

公开(公告)号：KR100601929B1

公开(公告)日：2006-07-14

申请号：KR1020010044203

申请日：2001-07-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전상윤 ,  송기무 ,  서용교 ,  이숭원 ,  심동하 ,  남상민 ,  송인상 ,  김학선

IPC: H04B1/40

Abstract: 본 발명은, 복수의 무선주파수 대역들의 신호들을 수신하여 기저 대역의 신호들로 변환시켜 기저 대역 처리부로 입력시키고, 이 기저 대역 처리부로부터의 기저 대역의 신호들을 무선주파수 대역들의 신호들로 변환시켜 송신하는 다중-대역 무선주파수 모듈이다. 이 모듈은, 사용자로부터의 서비스 선택 신호에 따라 그 캐페시턴스가 변하는 적어도 한 엠.이.엠.에스(Micro-Electro-Mechanical Systems) 가변 캐페시터, 및 사용자로부터의 서비스 선택 신호에 따라 그 인덕턴스가 변하는 적어도 한 엠.이.엠.에스(MEMS) 가변 인덕터를 포함한다. 여기서, 사용자로부터의 서비스 선택 신호에 따라 상기 엠.이.엠.에스(MEMS) 가변 캐페시터의 두 전극들중에서 적어도 어느 하나가 움직여서 상기 두 전극들 사이의 거리가 변한다. 또한, 사용자로부터의 서비스 선택 신호에 따라 상기 엠.이.엠.에스(MEMS) 가변 인덕터의 두 전극들중에서 적어도 어느 하나가 움직여서 상기 두 전극들 사이의 거리가 변한다.
엠.이.엠.에스(MEMS)

公开(公告)号：KR1020060057070A

公开(公告)日：2006-05-26

申请号：KR1020040096120

申请日：2004-11-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송인상 ,  하병주 ,  김덕환 ,  홍석우 ,  윤석출 ,  남광우 ,  심동하 ,  박해석 ,  박윤권

IPC: H03H9/70

CPC classification number: H03H3/02 ,  H03H9/0571 ,  H03H9/706 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/49155

Abstract: 모놀리식 듀플렉서가 개시된다. 본 모놀리식 듀플렉서는, 기판, 기판 상부 표면 상의 소정의 제1영역에 제작된 송신단필터, 기판 상부 표면 상의 소정의 제2영역에 제작된 수신단필터, 기판 상부 표면 상의 소정 영역에 결합되어 송신단필터 및 수신단필터를 밀봉상태로 패키징 하는 패키징 기판, 및, 패키징 기판의 일표면 상에 제작되어 송신단필터 및 수신단필터와 각각 연결되며, 송신단필터 및 수신단필터 상호 간의 신호유입을 차단하는 위상천이부를 포함한다. 이에 따라, 초소형, 고성능 듀플렉서를 구현할 수 있게 된다.
듀플렉서, 필터, 위상천이부, 패키징 기판, 트리밍 인덕터

公开(公告)号：KR1020060005596A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：KR1020040054449

申请日：2004-07-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송일종 ,  심동하 ,  신형재 ,  권순철 ,  김재흥 ,  이상훈 ,  홍영택

IPC: H01L29/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  H01H2059/0018

Abstract: 교류신호전달동작을 ON/OFF 제어하는 멤스 RF-스위치가 개시된다. 본 멤스 RF-스위치는, 외부 전원의 일단자와 연결된 제1전극, 제1전극의 상부표면에 결합하며, 전원으로부터 바이어스 신호가 인가되면 전위배리어(barrier)를 형성하여 절연성을 띄게 되는 반도체층, 및 반도체층과 일정거리 이격된 위치에 제작되며, 전원의 타단자와 연결되어 전원으로부터 바이어스 신호가 인가되면 반도체층과 접촉하는 제2전극을 포함한다. 이에 따라, 바이어스 신호가 인가된 후 끊어지더라도 반도체층 내부에서 전자 및 정공의 재결합으로 인해 전하 축적 현상 및 이로 인한 스티킹 현상 등이 사라지게 된다.
멤스, 반도체, PN-정션 다이오드, 전위배리어

公开(公告)号：KR1020040017178A

公开(公告)日：2004-02-26

申请号：KR1020020049319

申请日：2002-08-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송인상 ,  김영일 ,  이문철 ,  심동하 ,  홍영택 ,  박선희 ,  남광우

IPC: H01L29/417

CPC classification number: H01P1/127 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006

Abstract: PURPOSE: A micro switch is provided to be capable of increasing on/off rate and the degree of isolation, simplifying the structure of the micro switch, and easily carrying out manufacturing processes. CONSTITUTION: A micro switch is provided with a substrate, a dielectric layer(2) having an oscillating region, a conductive layer(3) located at the upper predetermined portion of the oscillating region, a dielectric film(3') formed at the upper portion of the conductive layer, and the first and second conductive part(9a,9b) spaced apart from each other at the upper portion of the dielectric film. The micro switch further includes a plurality of lower electrodes(4) arranged at the upper surface of the oscillating region and a plurality of upper electrodes(10) spaced apart from each other at the upper portion of the lower electrodes for flowing an AC(Alternating Current) signal between the first and second conductive part.

Abstract translation: 目的：提供微型开关，以提高开/关速率和隔离度，简化微动开关的结构，并易于进行制造工艺。 构成：微型开关设置有基板，具有振荡区域的介电层（2），位于振荡区域的上部预定部分的导电层（3），形成在上部的电介质膜（3'） 导电层的一部分，以及在电介质膜的上部彼此间隔开的第一和第二导电部（9a，9b）。 微型开关还包括布置在振荡区的上表面处的多个下电极（4）和在下电极的上部彼此间隔开的多个上电极（10），用于使AC流动 电流）信号在第一和第二导电部分之间。

公开(公告)号：KR1020020078703A

公开(公告)日：2002-10-19

申请号：KR1020010018640

申请日：2001-04-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송인상 ,  심동하

IPC: H01L29/00

Abstract: PURPOSE: An MEMS switch is provided using an RF blocking resistor instead of a relatively large-sized RF choke inductor conventionally used to block RF signals. CONSTITUTION: The MEMS switch has a semiconductor or dielectric substrate(10), a signal line(12) formed on the substrate(10) and having a gap(13) to form an open circuit, an RF ground(14a,14b) separated from the signal line(12), an anchor(20a,20b) formed on the substrate(10) and near both sides of the signal line(12), a driving electrode formed on the substrate(10) and between the signal line(12) and the anchor(20a,20b), a coupling dielectric(18) formed on the driving electrode, a flexible beam(22) extending from the top of the anchor(20a,20b) to face the opposite, a driving plate(24) connected to the beam(22) above the coupling dielectric(18) to form coupling capacitance structure together with the driving electrode and the dielectric(18), a contact plate(28) disposed above the gap(13) and between the driving plates to form resistance coupling together with the signal line(12), the RF blocking resistor(40) formed between the driving electrode and the ground(14a,14b), and an RF blocking part(42) formed between a pad(44) on the substrate(10) and the anchor(20a,20b).

Abstract translation: 目的：使用RF阻断电阻器代替通常用于阻止RF信号的较大尺寸的RF扼流圈电感器来提供MEMS开关。 构成：MEMS开关具有半导体或电介质基板（10），形成在基板（10）上并具有间隙（13）以形成开路的信号线（12），分离的RF接地（14a，14b） 形成在基板（10）上且靠近信号线（12）两侧的固定器（20a，20b），形成在基板（10）上的信号线（12）和信号线 12）和锚（20a，20b），形成在驱动电极上的耦合电介质（18），从锚固体（20a，20b）的顶部延伸以面对相对的柔性梁（22），驱动板 24），其连接到耦合电介质（18）上方的光束（22），以与驱动电极和电介质（18）一起形成耦合电容结构;接触板（28），设置在间隙（13）上方和驱动 板形成与信号线（12），形成在驱动电极和接地（14a，14b）之间的RF阻断电阻器（40）和电阻耦合的RF阻断 g部分（42）形成在衬底（10）上的衬垫（44）和锚固件（20a，20b）之间。

公开(公告)号：KR100666693B1

公开(公告)日：2007-01-11

申请号：KR1020040096120

申请日：2004-11-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송인상 ,  하병주 ,  김덕환 ,  홍석우 ,  윤석출 ,  남광우 ,  심동하 ,  박해석 ,  박윤권

IPC: H03H9/70

CPC classification number: H03H3/02 ,  H03H9/0571 ,  H03H9/706 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/49155

Abstract: 모놀리식 듀플렉서가 개시된다. 본 모놀리식 듀플렉서는, 기판, 기판 상부 표면 상의 소정의 제1영역에 제작된 송신단필터, 기판 상부 표면 상의 소정의 제2영역에 제작된 수신단필터, 기판 상부 표면 상의 소정 영역에 결합되어 송신단필터 및 수신단필터를 밀봉상태로 패키징 하는 패키징 기판, 및, 패키징 기판의 일표면 상에 제작되어 송신단필터 및 수신단필터와 각각 연결되며, 송신단필터 및 수신단필터 상호 간의 신호유입을 차단하는 위상천이부를 포함한다. 이에 따라, 초소형, 고성능 듀플렉서를 구현할 수 있게 된다.
듀플렉서, 필터, 위상천이부, 패키징 기판, 트리밍 인덕터

公开(公告)号：KR1020050073312A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：KR1020040001667

申请日：2004-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하병주 ,  송인상 ,  박윤권 ,  남광우 ,  윤석출 ,  심동하

IPC: H01P1/205

CPC classification number: H01P1/213 ,  H03H9/0542 ,  H03H9/173 ,  H03H9/564

Abstract: 필터 및 위상변조부가 일체로 제작된 듀플렉서가 개시된다. 본 듀플렉서는, 기판, 기판 상에 집적되어 제1 주파수 대역의 신호만을 통과시키는 송신단 필터, 기판 상에 집적되어 제1 주파수 대역과 서로 다른 제2 주파수 대역의 신호만을 통과시키는 수신단 필터 및 기판 소정영역에 형성된 에어갭 상부에 배치되는 적어도 하나의 인덕터를 포함하고, 송신단 및 수신단 필터 중 어느 하나와 일체로 제작되며, 송신단 및 수신단 필터가 각각 통과시키는 신호를 상호 격리시키는 위상변조부를 포함한다. 이 경우, 위상변조부는 송신단 및 수신단 필터 중 어느 하나와 일체로 제작되므로, 간단한 공정으로 소형의 듀플렉서를 제조할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020050062708A

公开(公告)日：2005-06-27

申请号：KR1020030094375

申请日：2003-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송인상 ,  하병주 ,  박윤권 ,  남광우 ,  심동하

IPC: H03H9/56

CPC classification number: H03H9/173 ,  H03H9/0571 ,  H03H9/564 ,  H03H9/706 ,  Y10T29/42

Abstract: A duplexer having a filter (300) implemented using thin Film Bulk Acoustic Resonators and an isolation part (200) which are integrally formed including a substrate (110), a transmitter filter (300) integrated on the substrate (110) to pass signals only in a frequency band for transmission, a receiver filter integrated on the substrate to pass signals only in a frequency band for reception, and an isolation part integrally formed with either one of the transmitter filter and the receiver filter to isolate the signals passed through the transmitter filter and the receiver filter from each other. The isolation part (200) includes a capacitor and an inductor. The capacitor is build using the FBAR membrane (130) as a dielectric layer. Since the isolation part is integrally formed with either one of the transmitter filter and the receiver filter, the duplexer can be manufactured in a small size by simplified processes.

公开(公告)号：KR1020030082045A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：KR1020020020554

申请日：2002-04-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심동하 ,  송인상 ,  김영일 ,  박선희 ,  홍영택 ,  민동기

IPC: G01R23/00

CPC classification number: G01R21/00 ,  G01R1/06772

Abstract: PURPOSE: An RF power sensor for measuring the power for RF signal by the capacitance is provided to measure the displacement amount of capacitance generated through the electrostatic force between the signal line formed on the substrate and the bridge. CONSTITUTION: An RF power sensor for measuring the power for RF signal by the capacitance includes a substrate(100), a fixing member(110) fixed by the substrate(100) for forming a signal line(110a) and a ground line(112a) to transmit the RF signals, a bridge(120) connected to the ground line(112a) lifted above the signal line(110a). In the RF power sensor, the bridge(120) is driven by the external driving force and the capacitance is generated between the bridge(120) and the signal line(110a) by the external driving force.

Abstract translation: 目的：提供一种用于通过电容测量RF信号功率的RF功率传感器，以测量通过形成在基板和桥之间的信号线之间的静电力产生的电容的位移量。 构成：用于通过电容测量RF信号的功率的RF功率传感器包括基板（100），由基板（100）固定以形成信号线（110a）的固定部件（110）和接地线（112a） ）传送RF信号，连接到在信号线（110a）上方提升的接地线（112a）的桥（120）。 在RF功率传感器中，桥（120）由外部驱动力驱动，并且通过外部驱动力在桥（120）和信号线（110a）之间产生电容。