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公开(公告)号:KR100612127B1
公开(公告)日:2006-08-11
申请号:KR1020040075920
申请日:2004-09-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G11C29/26 , G11C5/04 , G11C29/36 , G11C2029/3602
Abstract: 뱅크 억세스 순서를 외부에서 입력받아, 이를 적용하여 테스트 패턴 시퀀스를 생성하고 이에 따라 메모리 모듈에 대한 BIST를 수행하는 메모리 모듈의 테스트 방법 및 이를 위한 메모리 모듈의 허브가 개시되어 있다. 뱅크 억세스 순서에 따른 뱅크 어드레스들을 외부에서 순서대로 저장할 수 있도록 하여, 원하는 뱅크 억세스 순서대로 메모리 모듈의 테스트를 수행할 수 있다. 따라서, 메모리 모듈의 불량을 효과적으로 검출할 수 있다.
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公开(公告)号:KR1020060046164A
公开(公告)日:2006-05-17
申请号:KR1020050043939
申请日:2005-05-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G06F11/267
Abstract: 메모리 시스템에 실장된 메모리 모듈이나 메모리 모듈상에 장착된 메모리들을 용이하게 테스트 모드로 진입시킬 수 있는 방법 및 이를 수행하기 위한 메모리 제어용 레지스터들의 구조가 개시된다. 메모리 제조사 마다 테스트 모드로 진입하기 위한 MRS 코드 및 진입 방법을 달리하므로, 메모리 제어용 레지스터에 메모리의 테스트 MRS 횟수를 입력하고, 테스트 MRS 코드를 설정한다. 또한 테스트 MRS 횟수를 결정하는 레지스터의 각각의 비트에는 테스트 MRS 코드들을 저장하고 있는 레지스터들이 할당되어 있다.
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公开(公告)号:KR1020060027089A
公开(公告)日:2006-03-27
申请号:KR1020040075920
申请日:2004-09-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G11C29/26 , G11C5/04 , G11C29/36 , G11C2029/3602
Abstract: 뱅크 억세스 순서를 외부에서 입력받아, 이를 적용하여 테스트 패턴 시퀀스를 생성하고 이에 따라 메모리 모듈에 대한 BIST를 수행하는 메모리 모듈의 테스트 방법 및 이를 위한 메모리 모듈의 허브가 개시되어 있다. 뱅크 억세스 순서에 따른 뱅크 어드레스들을 외부에서 순서대로 저장할 수 있도록 하여, 원하는 뱅크 억세스 순서대로 메모리 모듈의 테스트를 수행할 수 있다. 따라서, 메모리 모듈의 불량을 효과적으로 검출할 수 있다.
Abstract translation: 一种测试存储器模块的方法,所述存储器模块从外部接收存储体访问序列,并且通过应用测试序列并且在存储器模块上执行BIST并为其存储器模块的集线器产生测试模式序列。 根据银行访问序列的银行地址可以从外部按顺序存储,并且存储器模块可以以期望的银行访问序列进行测试。 因此,可以有效检测存储器模块的故障。
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