公开(公告)号：KR1020070016485A

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：KR1020050071198

申请日：2005-08-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신승만 ,  신희종 ,  이종건 ,  한경희

IPC: G11C29/00

CPC classification number: G11C5/04 ,  G11C29/08 ,  G11C2029/2602

Abstract: 메모리 모듈 및 그 테스트 방법이 개시되어 있다. 메모리 모듈은 복수의 메모리들; 및 N개의 입력 채널을 통하여 외부로부터 인가되는 테스트 신호를 상기 복수의 메모리들로 인가하고, 상기 인가된 테스트 신호에 응답하여 상기 복수의 메모리들로부터 출력되는 복수의 출력 데이터를 M개의 그룹으로 나눈 뒤, 외부로부터 입력되는 출력 그룹 선택 신호에 따라 상기 M개의 그룹 중 적어도 어느 하나를 선택하여 K개의 출력 채널을 통하여 출력하는 허브로 구성된다. 따라서, 트랜스페어런트 모드를 이용한 테스트 시에 외부의 출력 그룹 선택 신호를 이용하여 출력될 DQ 그룹을 온-더-플라이(On-the-Fly) 형식으로 선택할 수 있다.

Abstract translation: 存储器模块及其测试方法被公开。 存储器模块包括多个存储器; 以及控制单元，用于响应于施加的测试信号将通过N个输入通道从外部施加的测试信号施加到多个存储器并将从多个存储器输出的多个输出数据分成M个组 以及集线器，用于根据从外部输入的输出组选择信号选择M个组中的至少一个，并通过K个输出通道输出。 因此，通过在使用透明模式的测试中使用外部输出组选择信号，可以以即时格式选择要输出的DQ组。

公开(公告)号：KR100713013B1

公开(公告)日：2007-04-30

申请号：KR1020050071198

申请日：2005-08-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신승만 ,  신희종 ,  이종건 ,  한경희

IPC: G11C29/00

CPC classification number: G11C5/04 ,  G11C29/08 ,  G11C2029/2602

Abstract: 메모리 모듈 및 그 테스트 방법이 개시되어 있다. 메모리 모듈은 복수의 메모리들; 및 N개의 입력 채널을 통하여 외부로부터 인가되는 테스트 신호를 상기 복수의 메모리들로 인가하고, 상기 인가된 테스트 신호에 응답하여 상기 복수의 메모리들로부터 출력되는 복수의 출력 데이터를 M개의 그룹으로 나눈 뒤, 외부로부터 입력되는 출력 그룹 선택 신호에 따라 상기 M개의 그룹 중 적어도 어느 하나를 선택하여 K개의 출력 채널을 통하여 출력하는 허브로 구성된다. 따라서, 트랜스페어런트 모드를 이용한 테스트 시에 외부의 출력 그룹 선택 신호를 이용하여 출력될 DQ 그룹을 온-더-플라이(On-the-Fly) 형식으로 선택할 수 있다.

公开(公告)号：KR100735575B1

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：KR1020050043939

申请日：2005-05-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신승만 ,  서승진 ,  신희종 ,  이종건 ,  한경희

IPC: G11C29/00

CPC classification number: G06F11/267

Abstract: 메모리 시스템에 실장된 메모리 모듈이나 메모리 모듈상에 장착된 메모리들을 용이하게 테스트 모드로 진입시킬 수 있는 방법 및 이를 수행하기 위한 메모리 제어용 레지스터들의 구조가 개시된다. 메모리 제조사 마다 테스트 모드로 진입하기 위한 MRS 코드 및 진입 방법을 달리하므로, 메모리 제어용 레지스터에 메모리의 테스트 MRS 횟수를 입력하고, 테스트 MRS 코드를 설정한다. 또한 테스트 MRS 횟수를 결정하는 레지스터의 각각의 비트에는 테스트 MRS 코드들을 저장하고 있는 레지스터들이 할당되어 있다.

公开(公告)号：KR1020060046164A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：KR1020050043939

申请日：2005-05-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신승만 ,  서승진 ,  신희종 ,  이종건 ,  한경희

IPC: G11C29/00

CPC classification number: G06F11/267

Abstract: 메모리 시스템에 실장된 메모리 모듈이나 메모리 모듈상에 장착된 메모리들을 용이하게 테스트 모드로 진입시킬 수 있는 방법 및 이를 수행하기 위한 메모리 제어용 레지스터들의 구조가 개시된다. 메모리 제조사 마다 테스트 모드로 진입하기 위한 MRS 코드 및 진입 방법을 달리하므로, 메모리 제어용 레지스터에 메모리의 테스트 MRS 횟수를 입력하고, 테스트 MRS 코드를 설정한다. 또한 테스트 MRS 횟수를 결정하는 레지스터의 각각의 비트에는 테스트 MRS 코드들을 저장하고 있는 레지스터들이 할당되어 있다.