고집적 반도체 메모리장치의 제조방법
    12.
    发明授权
    고집적 반도체 메모리장치의 제조방법 失效
    制造半导体存储器件的方法

    公开(公告)号:KR1019960015122B1

    公开(公告)日:1996-10-28

    申请号:KR1019930005901

    申请日:1993-04-08

    CPC classification number: H01L27/10817

    Abstract: forming an etching obstruction layer on a plat semiconductor plate after forming a transistor on the first electrode of a capacitor; forming a first material by laminating on an upper side of the etching obstruction layer; making a contact hole in order to contact the first electrode with a source area of transistor by etching the material layers laminated on the first material layer and a semiconductor plate; forming a first conductive layer having a constant thickness with reference to the first material layer by filling up the contact hole; forming a first pattern in order to form a cylindrical electrode on the first conductive layer; forming a second material layer by laminating on the first pattern; forming spacer consisting of the second material layer in a side barrier by aeolotropy etching the second material layer; forming a second conductive layer at front side of the result material and removing the first pattern after etching the first conductive layer by using the spacer as a mask; forming the first electrode of the capacitor by forming cylindrical electrodes comprising the second conductive layer at both barriers of the spacer by aeolotropy etching of the second conductive layer; and removing the spacer and the first material layer.

    Abstract translation: 在电容器的第一电极上形成晶体管之后,在平板半导体板上形成蚀刻阻挡层; 通过在所述蚀刻阻挡层的上侧层叠形成第一材料; 通过蚀刻层叠在第一材料层上的材料层和半导体板,形成接触孔,以使第一电极与晶体管的源极区域接触; 通过填充接触孔形成相对于第一材料层具有恒定厚度的第一导电层; 形成第一图案以在第一导电层上形成圆柱形电极; 通过层压在第一图案上形成第二材料层; 通过蚀刻第二材料层在侧壁中形成由第二材料层构成的间隔物; 在所述结果材料的前侧形成第二导电层,并且通过使用所述间隔物作为掩模,在蚀刻所述第一导电层之后移除所述第一图案; 通过在所述间隔物的两个阻挡层处形成包括所述第二导电层的圆柱形电极,通过对所述第二导电层进行自蚀刻来形成所述电容器的第一电极; 并移除间隔物和第一材料层。

    변조방식을 이용한 플라즈마 발생장치 및 방법
    14.
    发明授权
    변조방식을 이용한 플라즈마 발생장치 및 방법 失效
    利用调制方法产生等离子体的设备和方法

    公开(公告)号:KR1019930004713B1

    公开(公告)日:1993-06-03

    申请号:KR1019900008939

    申请日:1990-06-18

    Inventor: 안태혁

    Abstract: The apparatus comprises a magnetic coil, a signal generator for modulation, a voltage synthesizer producing a modulated voltage waveform by synthesizing the output voltage of the signal generator for modulation and the reference voltage to change from the fixed current to the variable current, a power supplier varying current by means of the output voltage. The plasma generating method modulates the reference voltage and the signal generator voltage for modulation by using the voltage synthesizer, varies current of the coil forming a magnetic field, and increases uniformity of the plasma.

    Abstract translation: 该装置包括:电磁线圈,用于调制的信号发生器,通过合成用于调制的信号发生器的输出电压和从固定电流变化到可变电流的参考电压产生调制电压波形的电压合成器;电源 通过输出电压改变电流。 等离子体产生方法通过使用电压合成器来调制参考电压和信号发生器用于调制的电压,改变形成磁场的线圈的电流,并且增加等离子体的均匀性。

    습식처리장치
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1019930008972A

    公开(公告)日:1993-05-22

    申请号:KR1019910018316

    申请日:1991-10-17

    Inventor: 안태혁

    Abstract: 반도체 소자의 제조공정중 습식에칭, 화학세정, 순수세정에 공용 가능한 습식처리장치을 개시한다. 시료(반도체 웨이퍼)는 그 표면이 아래를 향하도록 진공척에 흡착고정되며, 그 진공척이 구동되는 것에 의하여 회전되어진다. 처리액은 용기에 설치된 압출관으로부터 웨이퍼 표면을 향해 수직상방으로 압출되고 용기로 낙하된다. 상기 웨이퍼의 회전중심과 상기 압출관의 중심은 약간 어긋난다. 이로써 처리액이 웨이퍼의 회전중심부에서 정체되는 현상은 없으며, 전표면이 고르고 높은 표면마찰로 처리액에 의하여 처리된다. 여기서 구동부는 웨이퍼보다 높게 위치하므로 그 구동부에 처리액이 묻을 염려가 없다. 즉, 순수는 물론 부식성강한 화학에칭액, 화학세정제의 처리액 사용이 가능하다.
    또한 개시된 장치는 처리효과가 높아 표면의 요철이 심한 고집적소자에 유리하며, 일련의 습식처리공정을 순차 처리할 수 있는 형태로 그 용융이 가능하다.

    트랜치 캐패시터의 제조방법
    17.
    发明授权
    트랜치 캐패시터의 제조방법 失效
    TRENCH电容器的制造方法

    公开(公告)号:KR1019920003321B1

    公开(公告)日:1992-04-27

    申请号:KR1019890008128

    申请日:1989-06-13

    Inventor: 안태혁

    Abstract: A trench capacitor is manufactured by (A) forming pad oxide film, silicon nitride film and low temperature oxide film for masking on polycrystalline silicon substrate, (B) etching them to form a trench, (C) coating oxide film layer (7) on substrate (1), (D) etching back by anisotropic etching to form oxide film layer (7) only on the side part of trench, (E) depositing polysilicon film (8), (F) etching polycrystalline silicon film (8) on the nitride film layer (8) to form a silicon column (8'), (G) forming oxide film (9), (H) removing side wall oxide film (7), (I) forming impurity region by ion injection, and (J) forming dielectric film of capacitor and plate electrode successively.

    Abstract translation: 通过(A)形成衬垫氧化膜,氮化硅膜和用于在多晶硅衬底上掩蔽的低温氧化膜来制造沟槽电容器,(B)蚀刻它们以形成沟槽,(C)涂覆氧化膜层(7) 基板(1),(D)通过各向异性蚀刻回蚀刻,仅在沟槽的侧面形成氧化膜层(7),(E)沉积多晶硅膜(8),(F)蚀刻多晶硅膜(8) 氮化物膜层(8),通过离子注入形成杂质区的硅柱(8'),(G),形成氧化膜(9),(H)去除侧壁氧化膜(7),(I) (J)依次形成电容器和平板电极的电介质膜。

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