Abstract:
리드 프레임, 이를 이용한 반도체 칩 패키지 및 그의 제조 방법이 제공된다. 반도체 칩 패키지는, 네면에 형성된 다수의 리드와, 상기 네면의 각 모서리 부분에서 연장되어 형성되고 그 저면이 리세스된 타이바를 포함하는 리드 프레임과, 상기 타이바의 리세스면에 부착되는 반도체 칩과, 상기 반도체 칩 상부면에 형성된 다수의 칩 패드와 상기 다수의 리드를 전기적으로 연결시키는 연결수단과, 상기 반도체 칩의 상부와 상기 연결수단 및 그 접합 부분을 봉지하는 봉지 수단을 포함하여 구성된다. 여기서, 상기 타이바는 위로 구부러진 방식으로 업셋된 구조를 갖는 것이 바람직하다.
Abstract:
PURPOSE: A semiconductor package is provided to reduce a semiconductor package by shortening an electrical transmission path between a lead frame and a semiconductor chip. CONSTITUTION: A semiconductor chip is mounted on a die pad. A lead frame is electrically connected to the semiconductor chip. A flexible film substrate(120) includes a metal wire(126). The semiconductor chip is electrically connected to a film substrate through a first substrate pad(122) connected to the semiconductor chip and the metal wire. The film substrate is electrically connected to the lead frame through a second substrate pad(124) connected to the metal wire and the lead frame.
Abstract:
수지누설을 억제할 수 있는 반도체 패키지 몰드 금형 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조방법에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은 반도체 패키지를 몰딩(molding)할 수 있는 상부 및 하부 금형을 포함하는 금형 본체와, 금형 본체 내부에서 반도체 패키지가 몰딩되는 공간을 제공하는 다수개의 캐비티(cavity) 및 캐비티 내부 표면에 형성된 수지누설(resin bleed) 방지구조를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 몰드 금형 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조방법을 제공한다. 반도체 패키지 금형, 댐(dam), 홈(groove), 수지누설(resin bleed).
Abstract:
리드 프레임, 이를 이용한 반도체 칩 패키지 및 그의 제조 방법이 제공된다. 반도체 칩 패키지는, 네면에 형성된 다수의 리드와, 상기 네면의 각 모서리 부분에서 연장되어 형성되고 그 저면이 리세스된 타이바를 포함하는 리드 프레임과, 상기 타이바의 리세스면에 부착되는 반도체 칩과, 상기 반도체 칩 상부면에 형성된 다수의 칩 패드와 상기 다수의 리드를 전기적으로 연결시키는 연결수단과, 상기 반도체 칩의 상부와 상기 연결수단 및 그 접합 부분을 봉지하는 봉지 수단을 포함하여 구성된다. 여기서, 상기 타이바는 위로 구부러진 방식으로 업셋된 구조를 갖는 것이 바람직하다. 리드 프레임, 타이바, 리세스
Abstract:
본 발명은 비아 홀을 접속 패드로 사용하는 반도체 칩 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 회로기판의 내부에 형성된 비아 홀의 가운데를 통하여 직접 패키지 절단 공정을 진행하여 회로기판의 측면과 하부면으로 비아 홀을 노출시킨다. 따라서, 패키지의 크기를 대폭 축소할 수 있고, 종래의 볼 패드 대신에 비아 홀을 직접 패키지의 외부 접속 패드로 사용할 수 있다. 비아 홀, 볼 패드, 솔더 볼