公开(公告)号：KR1020090087557A

公开(公告)日：2009-08-18

申请号：KR1020080012869

申请日：2008-02-13

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 박성권 ,  김준우 ,  오윤제 ,  강준혁 ,  김나영 ,  이정수 ,  김수진 ,  김재환

IPC: G01S5/02

CPC classification number: G01S5/0221 ,  G01S11/02 ,  G01S11/06

Abstract: An indoor location system and method thereof are provided to estimate the delay time of the exact transmission signal by effectively separating the overlapped multi-path signals of the indoor channel. The indoor positioning system(100) comprises the transmitting node(200) and receiving node(300). The transmitting node produces the transmission packet including a plurality of same symbols. The transmitting node comprises the symbol generating unit(210), and the packet generator(220) and wireless communications unit(260). The distance between the receiving node and the transmitting node are measured based on the transfer time of the transmission packet from the transmitting node to the receiving node. The packet generator produces the transmission packet. The receiving node receives the transmission packet transmitted from the transmitting node.

Abstract translation: 提供室内定位系统及其方法，通过有效地分离室内信道的重叠多路径信号来估计精确传输信号的延迟时间。 室内定位系统（100）包括发射节点（200）和接收节点（300）。 发送节点产生包括多个相同符号的发送分组。 发送节点包括符号生成单元（210），分组生成器（220）和无线通信单元（260）。 基于从发送节点到接收节点的传输分组的传输时间来测量接收节点和发射节点之间的距离。 分组生成器产生传输分组。 接收节点接收从发送节点发送的发送分组。

公开(公告)号：KR1020080060710A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：KR1020060135138

申请日：2006-12-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동원 ,  이정수

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L51/0015 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/56

Abstract: A method for manufacturing an organic electroluminescent device is provided to prevent a light emitting region from being damaged without requiring a photo process of an organic layer. A method for manufacturing an organic electroluminescent device includes the steps of: forming a thin film transistor(TFT) on a substrate(100); forming a first electrode layer(160) connected to the thin film transistor; forming an organic layer(170) on an upper part of the first electrode layer; and forming a wall(180) through LITI(Laser Induced Thermal Imaging) to expose a light emitting region of the organic layer on an upper part of the organic layer. The step of forming the wall includes the steps of: fixing a donor substrate(200) including a base substrate(210), a light-to-heat conversion layer(220), and a transfer layer on the substrate; transferring the transfer layer to the substrate by irradiating laser beams through a mask(300); and separating the donor substrate from the substrate and forming the wall.

Abstract translation: 提供一种用于制造有机电致发光器件的方法，以防止发光区域被损坏而不需要有机层的光刻工艺。 一种制造有机电致发光器件的方法包括以下步骤：在衬底（100）上形成薄膜晶体管（TFT）; 形成连接到所述薄膜晶体管的第一电极层（160） 在所述第一电极层的上部形成有机层（170）; 以及通过LITI（激光诱导热成像）形成壁（180）以暴露有机层的上部上的有机层的发光区域。 形成壁的步骤包括以下步骤：在衬底上固定包括基底衬底（210），光热转换层（220）和转移层的施主衬底（200） 通过照射激光束通过掩模（300）将转印层转印到基底上; 并将供体基材与基材分离并形成壁。

公开(公告)号：KR1020070068832A

公开(公告)日：2007-07-02

申请号：KR1020050130875

申请日：2005-12-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최준호 ,  정진구 ,  이동원 ,  이정수 ,  홍상미

IPC: B41J29/38 ,  B41J29/393 ,  B41J2/125

CPC classification number: B41J29/393 ,  B41J2/125

Abstract: An ink-jet apparatus is provided to promptly and easily manufacture a display substrate by repairing a bad pixel and easily check a dropping state of ink. An ink-jet apparatus includes a stage(10), a nozzle head(31), and a head body(30). A substrate(100) is installed on the stage. The nozzle head is installed on a top of the stage to have a plurality of nozzles for dropping ink(120). A pair of drive units(21,23) move the stage and the nozzle head in a first direction at a level with the stage and in a second direction at right angles to the first direction. The head body has a plurality of nozzle heads for dropping the ink and a pixel checking unit(40) coupled with the nozzle heads. The pixel checking unit has a light source(41) to illuminate the light on pixels dropped thereon the ink and an imaging device(42) to take a photograph of a dropping state of the ink.

Abstract translation: 提供了一种喷墨装置，通过修复不良像素并容易地检查墨水的下落状态来快速且容易地制造显示基板。 喷墨装置包括台（10），喷嘴头（31）和头本体（30）。 衬底（100）安装在平台上。 喷嘴头安装在台的顶部上，以具有多个用于滴墨的喷嘴（120）。 一对驱动单元（21,23）使工作台和喷嘴头在第一方向上与台架水平移动，并且在与第一方向成直角的第二方向上移动。 头体具有多个用于滴下墨的喷嘴头和与喷嘴头连接的像素检查单元（40）。 像素检查单元具有用于照亮落在其上的像素上的光源的光源（41）和成像装置（42），以拍摄墨水的下落状态。

公开(公告)号：KR1020070066648A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：KR1020050128066

申请日：2005-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정수

IPC: B41J25/308 ,  B41J2/13

CPC classification number: B41J25/308 ,  B41J2/14 ,  B41J29/00

Abstract: An ink-jet apparatus and an ink-jet method are provided to accurately measure and regulate the distance between a stage and a nozzle head. An ink-jet apparatus includes a stage(10), at least one nozzle head(31), and a distance measuring section(40). The stage has a positioning region on which a substrate is positioned. The nozzle head has a plurality of nozzles. The distance measuring section has a sensor detecting a wave source for transferring waves to the nozzle head and the waves reflected from the nozzle head. The distance measuring section includes a calculation section calculating the jetting distance between the stage and the nozzle head on the basis of the speed of the waves and the time for reaching the sensor.

Abstract translation: 提供喷墨装置和喷墨方法以精确地测量和调节台架与喷嘴头之间的距离。 一种喷墨设备包括一个台（10），至少一个喷嘴头（31）和一个距离测量部分（40）。 该台具有其上定位有基板的定位区域。 喷嘴头具有多个喷嘴。 距离测量部分具有检测用于将波浪传送到喷嘴头的波长的传感器和从喷嘴头反射的波。 距离测量部分包括计算部分，其基于波速和到达传感器的时间来计算平台和喷嘴头之间的喷射距离。

公开(公告)号：KR1020070054050A

公开(公告)日：2007-05-28

申请号：KR1020050112031

申请日：2005-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동원 ,  정진구 ,  이정수 ,  이주현 ,  최준호 ,  홍상미 ,  왕지안푸

IPC: H01L21/02 ,  G02F1/13

Abstract: 본 발명은 표시장치용 기판의 제조장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 표시장치용 기판의 제조장치는 유체가 주입되는 주입구와 유체가 배출되는 배출구를 가지는 챔버와; 상기 주입구와 상기 배출구를 연결하는 유체이동부와; 상기 유체이동부 상에 마련되어 있으며 유체를 순환시키는 순환부와; 상기 순환부와 상기 주입구 사이에 위치하며, 유체를 냉각시키는 냉각부를 포함한다. 이에 의해 기판의 열화가 감소된 표시장치용 기판의 제조장치가 제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造用于显示装置的基板的设备。 根据本发明的用于制造用于显示装置的基板的装置包括：腔室，其具有流体通过其注入的入口和流体通过其排出的出口; 连接注入口和排出口的流体移动部分; 循环部分，其设置在流体运动部分上并使流体循环; 以及位于循环单元和喷射口之间并冷却流体的冷却单元。 从而，提供了一种用于制造用于显示器的基板的设备，其中基板的劣化减少。

公开(公告)号：KR1020070050226A

公开(公告)日：2007-05-15

申请号：KR1020050107535

申请日：2005-11-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동원 ,  정진구 ,  이주현 ,  이정수 ,  홍상미 ,  왕지안푸 ,  최준호

IPC: H05B33/22 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5275 ,  H01L51/56

Abstract: 본 발명은 표시장치와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 표시장치는 적어도 어느 일 면에 돌출패턴을 가지는 절연기판과; 상기 절연기판 상에 위치하는 제 1전극 및 제 2전극과; 상기 제 1전극 및 상기 제 2전극의 사이에 마련되는 발광층을 포함한다. 이에 의하여 휘도가 향상된 표시장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020070019814A

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：KR1020050073741

申请日：2005-08-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 왕지안푸 ,  고준철 ,  이동원 ,  이정수 ,  홍상미

IPC: H05B33/22 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L51/0003

Abstract: 본 발명은 디스플레이 장치와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 디스플레이 장치는 복수의 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터 상에 형성되어 있는 보호막과; 상기 보호막 상에 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 화소전극과; 주벽과 상기 주벽과 함몰부를 사이에 두고 위치하며 상기 주벽보다 높이가 낮은 보조벽을 가지며, 인접한 상기 화소전극 간을 구획하는 격벽층과; 상기 화소전극 상에 형성되어 있는 유기층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 유기층이 비교적 평탄한 디스플레이 장치가 제공된다.

Abstract translation: 显示装置及其制造方法本发明涉 根据本发明的显示装置包括：多个薄膜晶体管; 在薄膜晶体管上形成的保护膜; 多个像素电极，形成在钝化层上并电连接到薄膜晶体管; 阻挡层，设置在周壁和凹部之间并且具有比周壁低的高度，隔壁分隔相邻的像素电极; 并在像素电极上形成有机层。 由此，提供了其中有机层相对平坦的显示装置。

公开(公告)号：KR1020060096855A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：KR1020050018113

申请日：2005-03-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정수 ,  정진구 ,  이동원 ,  홍상미 ,  왕지안푸

IPC: H05B33/22 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/56

Abstract: 본 발명은, 기판, 기판 위에 형성되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 형성되어 있으며 상기 제1 전극을 노출시키는 개구부를 가지는 제1 격벽, 상기 제1 격벽 위에서 상기 제1 격벽보다 넓게 형성되어 발광 영역을 정의하며 감광성 유기 물질로 이루어지는 제2 격벽, 상기 발광 영역에 형성되어 있는 발광층 및 상기 발광층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 소자 및 그 제조 방법을 제공한다.
유기EL, 격벽, 잉크젯, 발광층

公开(公告)号：KR1020060014778A

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：KR1020040063470

申请日：2004-08-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정재훈 ,  김남덕 ,  이정수 ,  최범락 ,  임종선 ,  정창오

IPC: H05B33/00 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5221 ,  H01L2227/323

Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에서는 절연 기판의 상부에 비정질 규소 또는 다결정 규소로 이루어진 제1 및 제2 반도체층을 형성하고, 제1 게이트 전극을 가지는 게이트선 및 제2 게이트 전극을 형성한다. 이어, 게이트선 및 제2 게이트 전극과 제1 및 제2 반도체층 사이에 게이트 절연막을 형성한 다음, 게이트 절연막 상부에 제1 및 제2 소스 전극, 데이터선, 제1 및 제2 드레인 전극, 전원 전압용 전극을 형성한다. 이어, 제1 및 제2 소스 전극, 데이터선, 제1 및 제2 드레인 전극, 전원 전압용 전극을 덮는 층간 절연막을 형성한 다음, 몰리브덴, ITO 또는 IZO의 제1 도전막과 반사도를 가지는 도전 물질의 제2 도전막을 적층하고 함께 패터닝하여 층간 절연막 상부에 제2 드레인 전극과 연결되는 응력 완충막과 화소 전극을 형성한다. 이어, 화소 전극을 드러내는 개구부를 격벽과 격벽에 의하여 구획된 화소 전극 위의 소정 영역에 유기 발광층을 형성하고, 유기 발광층과 접하는 공통 전극을 형성한다.
유기발광층, 격벽, 응력, 반사막

Abstract translation: 所述第一和第二以形成半导体层，栅线，并具有第一栅电极上的TFT阵列面板的绝缘基板的制造方法的顶部由非晶硅或多晶硅的根据本发明的一个实施例的第二栅电极 形式。 接着，栅极线和所述第二栅电极和所述第一和第二以形成栅极的半导体层之间，然后绝缘膜，栅极绝缘膜的第一和顶部上，所述数据线，所述第一和第二漏电极，所述电源的第二源电极 由此形成用于电压的电极。 然后，与第一和第二源电极，所述数据线，所述第一和第二漏电极，以形成层间绝缘膜覆盖了电源电压的电极上，然后，钼，ITO或第一导电膜的IZO和反射性导电材料 以及形成在与在层间绝缘膜具有上应力缓冲膜和象素电极的第二漏电极连接图案化第二导电层压膜构成。 接着，将有机发光层而形成的开口暴露在由分隔壁和隔壁限定的像素电极上面的一个预定区域中的像素电极，以及与所述有机发光层接触形成的公共电极。

公开(公告)号：KR100378190B1

公开(公告)日：2003-03-29

申请号：KR1020000084160

申请日：2000-12-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유재윤 ,  이정수 ,  이내인

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/76237

Abstract: A method of fabricating a trench isolation structure in a high-density semiconductor device that provides an isolation characteristic that is independent of the properties of adjacent MOS transistor devices, wherein a first trench in a first isolation area and a second trench implanted are formed on a semiconductor substrate, a nitrogen (N)-rich silicon layer is formed on the sidewall in a second isolation area, a subsequent oxidation process may be employed to fabricate oxide layers, each having a different thickness, on the sidewall surfaces of the first and second trenches. When the first and second oxide-layered trenches are filled with a stress relief liner and a dielectric material, the different thicknesses of the oxides prevent leakage currents from flowing to an adjacent semiconductor device, regardless of the doping properties of each device.

Abstract translation: 一种在高密度半导体器件中制造沟槽隔离结构的方法，所述沟槽隔离结构提供独立于相邻MOS晶体管器件的特性的隔离特性，其中在第一隔离区域和第二沟槽中注入的第一沟槽形成在 半导体衬底，在第二隔离区域中的侧壁上形成富含氮（N）的硅层，随后的氧化工艺可用于在第一和第二半导体衬底的侧壁表面上制造各自具有不同厚度的氧化物层 战壕。 当第一和第二氧化物层的沟槽填充有应力消除衬垫和电介质材料时，氧化物的不同厚度防止漏电流流向相邻的半导体器件，而不管每个器件的掺杂性质如何。