公开(公告)号：KR100090542B1

公开(公告)日：1995-10-18

申请号：KR1019910020525

申请日：1991-11-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박선후 ,  김영선 ,  박영욱 ,  이형규

IPC: H01L21/28

公开(公告)号：KR100084856B1

公开(公告)日：1995-05-17

申请号：KR1019910023473

申请日：1991-12-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김성태 ,  이형규 ,  고재홍

IPC: H01L27/108

公开(公告)号：KR100084847B1

公开(公告)日：1995-05-17

申请号：KR1019910020524

申请日：1991-11-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박선후 ,  박영욱 ,  이형규 ,  신유균

IPC: H01L21/28

公开(公告)号：KR1019930020578A

公开(公告)日：1993-10-20

申请号：KR1019920004017

申请日：1992-03-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박선후 ,  박영욱 ,  이형규

IPC: H01L21/28

Abstract: 반도체 소자 형성시 콘택의 크기가 감소함에 따라 선택적 텅스텐을 화학기상 증착법에 의하여 접속창을 텅스텐으로 매몰시킨후 스퍼터링 방식으로 금속 배선을 형성시켜 왔다. 여기서 접속창을 형성하면 알루미늄이 드러나고, 이를 선택적 화학 기상 증착으로 텅스텐을 증착하면 알루미늄과 반응 기체인 WF
6 가 반응하여 AlF
3 가 생겨 접속창 저항이 증가하므로 금속 배선 구조를 변형시켜서 접속창 형성시 텅스텐이 드러나게 하여 텅스텐 상에서 선택적으로 텅스텐을 증착함으로써 AlF
3 에 의한 문제를 해결하여 저항 특성을 향상시켰다.

公开(公告)号：KR1019930018690A

公开(公告)日：1993-09-22

申请号：KR1019920002812

申请日：1992-02-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이형규 ,  신유균

IPC: H01L21/76

Abstract: 본 발명은 반도체장치의 제조 방법에 관한 것으로 반도체기판상에 제1절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1절연막을 식각하여 상기 반도체기판의 소자형성영역을 노출시키는 공정과, 상기 식각된 제1절연막의 내벽에 표면이 매끄러운 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 노출된 반도체기판을 통하여 에피택셜층을 선택적으로 성장시키는 공정을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서 본 발명에 따른 반도체장치의 제조방법은 종래의 SEG기술에서의 문제점인 소자분리영역과 소장형성영역간의 계면 결함을 제거하여 실제 반도체소장의 생산에 SEG 기술을 적용 가능하게 한다.

公开(公告)号：KR1019930017093A

公开(公告)日：1993-08-30

申请号：KR1019920000514

申请日：1992-01-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박선후 ,  박영욱 ,  이형규 ,  신유균

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 선택 CVD텅스텐공정에 의해 콘택홀을 매몰하는 방법에 관한 것으로, 반도체장치의 제조방법에 있어서, H
2 환원분위기에서 열처리공정,플라즈마처리공정 또는 레이저 처리공정을 행하여 제조공정중에 발생할수 있는 잔유물을 제거하는 것을 특징으로 하는 본 발명에 의하면, 선택 CVD텅스텐공정시 텅스텐과 실리콘과의 접착특성을 향상시킴으로써 텅스텐의 필오프현상을 방지하고 콘택저항값을 감소시킬수 있으므로 디바이스에 적용했을 경우 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019930011117A

公开(公告)日：1993-06-23

申请号：KR1019910020525

申请日：1991-11-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박선후 ,  김영선 ,  박영욱 ,  이형규

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 블랭킷 CVD텅스텐 형성방법에 관한 것으로, Ti/TiN막을 밀착층으로 사용하고 WF
6 와 SiH
4 의 환원반응 및 WF
6 와 H
2 의 환원반응의 2단계공정에 의해 블랭킷 CVD텅스텐을 증착하여 반도체장치의 콘택홀을 메몰하는 방법에 있어서, 상기 제1단계공정인 SiH
4 환원반응시의 증착시간을 길게하거나 증착온도를 고온으로 하는 것을 특징으로 하는 본 발명에 의하면, 밀착층인 TiN의 어닐링 유무와 관계없이 안정된 텅스텐의 증착이 가능하므로 디바이스의 전기적 특성의 안정화를 도모할수 있으며, 증착온도와 시간을 변화시키면 종래와 동일한 공정으로도 텅스텐의 리프팅을 방지할수 있으므로 TiN막의 변화에 따른 공정의 변화가 불필요하게 되어 공정의 단순화가 가능하게 된다.

公开(公告)号：KR1019930005179A

公开(公告)日：1993-03-23

申请号：KR1019910014535

申请日：1991-08-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박선후 ,  이형규

IPC: H01L21/28

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR101909490B1

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：KR1020120006101

申请日：2012-01-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

Inventor： 이형규 ,  김종백 ,  박준아 ,  이재익 ,  김민욱 ,  표순재 ,  정태영

IPC: B25J19/02 ,  G01L1/20

CPC classification number: G01L5/16 ,  G01L5/161

Abstract: 유연촉각센서장치가제공된다. 유연촉각센서장치는가해지는힘에비례하여조정되는상판의제1 나노와이어어레이와하판의제2 나노와이어어레이간의간격에따라, 변화되는제1, 2 나노와이어어레이간의저항을이용하여상기힘에관한정보를획득할수 있다.

公开(公告)号：KR1020140008546A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：KR1020120073343

申请日：2012-07-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박준아 ,  이형규 ,  임수철 ,  이보람 ,  이현정 ,  한승주

IPC: A61B34/37 ,  A61B34/00 ,  A61B17/29 ,  A61B90/00

CPC classification number: A61B34/76 ,  A61B34/30 ,  A61B34/37 ,  A61B2017/2926 ,  A61B2017/2936 ,  A61B2090/065

Abstract: Disclosed are a surgical tool, a surgical robot having the same and a remote control robot system. By aligning fiber bragg gratings which correspond to multiple detecting parts in below of the multiple detecting parts, the magnitude of the force as well as the distribution of the force of the surgical tool are measured. Accordingly, the surgical robot and the remote control robot system are able to provide more precise control and palpation function.

Abstract translation: 公开了一种外科手术工具，具有该手术工具的外科手术机器人和远程控制机器人系统。 通过对准与多个检测部件的下方的多个检测部件对应的纤维布拉格光栅，测量力的大小以及外科手术工具的力的分布。 因此，外科手术机器人和遥控机器人系统能够提供更精确的控制和触诊功能。