公开(公告)号：KR1020060135126A

公开(公告)日：2006-12-29

申请号：KR1020050054804

申请日：2005-06-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류정도 ,  박영욱 ,  김봉현 ,  강만석 ,  장병현

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0338 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31144

Abstract: A method for forming a pattern in a semiconductor device is provided to form a pattern of a micro pattern by repeating a series of deposition and etching processes. A first sacrificial layer is formed on a substrate, and then is patterned to form a line type sacrificial pattern on the substrate. A spacer film is deposited along a profile of an upper portion of the sacrificial pattern in a uniform thickness. The spacer film is partially removed to expose the substrate and thus form spacer having a first line width on sidewalls of the sacrificial pattern and a second pattern(112) having a second line width wider than the first line width. A second sacrificial film is formed to sufficiently bury the spacers and the second pattern. The spacers and the second pattern are subjected to a planarization process to form first pattern(116).

Abstract translation: 提供了一种在半导体器件中形成图案的方法，以通过重复一系列沉积和蚀刻工艺形成微图案的图案。 第一牺牲层形成在衬底上，然后被图案化以在衬底上形成线型牺牲图案。 沿着牺牲图案的上部的轮廓以均匀的厚度沉积间隔膜。 间隔膜被部分去除以暴露衬底，从而形成具有在牺牲图案的侧壁上的第一线宽度的间隔物和具有比第一线宽宽的第二线宽的第二图案（112）。 形成第二牺牲膜以充分地埋置间隔物和第二图案。 对间隔物和第二图案进行平坦化处理以形成第一图案（116）。

公开(公告)号：KR1020060124816A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：KR1020050044346

申请日：2005-05-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류정도 ,  박영욱 ,  김봉현 ,  강만석 ,  이광영 ,  전두한 ,  김영민 ,  장병현 ,  김대옥

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32724 ,  H01J37/32871

Abstract: A substrate processing apparatus using plasma is provided to form a layer with uniform density and thickness on the entire region of a substrate by plasma source gas by improving the uniformity of nitrogen plasma acting upon the layer formed on the substrate. Gas of a plasma state is supplied to a reaction chamber to process the surface of a semiconductor substrate, and a plasma treatment is performed in the reaction chamber. A heater heats the substrate to a process temperature, installed in the reaction chamber and supporting the substrate. A space between the outer wall of the heater and the inner wall of the reaction chamber is sufficiently covered with a heater cover(140). Reaction byproducts and unreacted gas that are generated during the plasma treatment are exhausted by a plurality of exhaust holes(146) formed in the heater cover. The exhaust holes can be formed as a circular type along the upper surface of the heater cover.

Abstract translation: 提供使用等离子体的基板处理装置，通过提高作用于形成在基板上的层的氮等离子体的均匀性，通过等离子体源气体在基板的整个区域上形成均匀的密度和厚度的层。 将等离子体状态的气体供给到反应室以处理半导体基板的表面，并且在反应室中进行等离子体处理。 加热器将基板加热到安装在反应室中并支撑基板的工艺温度。 加热器的外壁和反应室的内壁之间的空间被加热器盖（140）充分地覆盖。 在等离子体处理期间产生的反应副产物和未反应气体被形成在加热器盖中的多个排气孔（146）排出。 排气孔可以沿着加热器盖的上表面形成为圆形。

公开(公告)号：KR100596488B1

公开(公告)日：2006-07-03

申请号：KR1020040044265

申请日：2004-06-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박건상 ,  박영욱 ,  홍진기

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01J37/32357 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192

Abstract: 플라스마 소스를 이용하여 반도체 기판을 가공하는 방법에 있어서, 반도체 기판을 가공하기 위한 소스를 리모트 플라스마 발생 유닛에 제공하여 제1 에너지 레벨의 플라스마 상태로 여기시킨다. 제1 에너지 레벨의 소스를 프로세스 챔버 내부에 배치된 다이렉트 플라스마 발생 유닛에 제공하여 상기 제1 에너지 레벨의 소스를 제1 에너지 레벨보다 높은 제2 에너지 레벨의 플라스마 상태로 재 여기시킨다. 상기 제2 에너지 레벨의 소스를 사용하여 저온의 반도체 기판을 가공한다. 반도체 기판의 온도 저하로 인한 소스의 반응율 감소는 소스 자체의 에너지 준위의 상승시킴으로써 보상된다. 공정 온도를 저하시킴에 따라 반도체 기판을 정밀하게 가공할 수 있을 뿐만 아니라, 후속 공정에서의 에러율 또한 크게 감소시킬 수 있다.

Abstract translation: 一种使用等离子体源处理半导体衬底的方法，所述方法包括：提供用于处理半导体衬底的源到远程等离子体产生单元以激发所述等离子体状态到第一能级; 将第一能级的源提供给设置在处理室内的直接等离子体生成单元，以将第一能级的源再激发至高于第一能级的第二能级的等离子态。 并且通过使用第二能级的源来处理低温的半导体衬底。 由于半导体衬底的温度下降引起的源的反应速率的降低通过提高源自身的能级来补偿。 由于工艺温度降低，不仅可以精确地处理半导体衬底，还可以大大降低后续工艺中的误差率。

公开(公告)号：KR1020060066602A

公开(公告)日：2006-06-16

申请号：KR1020050049565

申请日：2005-06-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정훈 ,  박영욱 ,  홍진기 ,  구경범 ,  이은택

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/324

Abstract: 금속 화합물 증착 방법 및 장치에 있어서, 금속 및 할로겐 원소를 포함하는 제1 소스 가스와, 상기 금속과 결합 가능한 물질과 상기 할로겐 원소와 결합 가능한 물질을 포함하는 제2 소스 가스를 표면 반응에 의한 증착율이 물질 전달에 의한 증착율보다 큰 제1 유량비로 공급하여 반도체 기판 상에 제1 금속 화합물을 증착한다. 이어서, 상기 제1 소스 가스와 제2 소스 가스를 상기 제1 유량비와 다른 제2 유량비로 공급하여 상기 제1 금속 화합물 상에 제2 금속 화합물을 증착함과 동시에 상기 제1 금속 화합물 및 상기 제2 금속 화합물로부터 원치 않는 물질(unwanted material)을 제거한다. 따라서 상기 원치 않는 물질에 의한 비저항 증가 및 하부막의 특성 열화를 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060020194A

公开(公告)日：2006-03-06

申请号：KR1020040068978

申请日：2004-08-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정훈 ,  박영욱 ,  홍진기 ,  이은택

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45544

Abstract: ALD(Atomic Layer Deposition) 박막 증착 장치가 제공된다. 상기 ALD 박막 증착 장치는 적어도 하나의 기판이 놓여지는 기판 블록, 다수 개의 가스가 분사되며 상기 기판 블록과 소정 거리 이격된 확산판을 포함하는 반응 용기, 제1 반응 가스 공급부와 커플링되고 상기 제1 반응 가스 공급부로부터 상기 반응 용기로 상기 제1 반응 가스의 흐름이 일어나도록 하는 제1 반응 가스 공급 라인, 제2 반응 가스 공급부와 커플링되고, 상기 제2 반응 가스 공급부로부터 상기 반응 용기로 상기 제1 반응 가스와 배타적으로 제2 반응 가스의 흐름이 일어나도록 하는 제2 반응 가스 공급 라인, 퍼지 가스 공급부와 커플링되고, 상기 퍼지 가스 공급부로부터 상기 반응 용기로 퍼지 단계에만 퍼지 가스의 흐름이 일어나도록 하는 퍼지 가스 공급 라인, 상기 반응 용기의 가스를 외부로 배출하는 배기 라인을 포함한다.
ALD 박막 증착 장치, ALD 박막 증착 방법, 퍼지 가스

公开(公告)号：KR1020060010313A

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：KR1020040058969

申请日：2004-07-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정훈 ,  박영욱 ,  홍진기

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4401 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67748

Abstract: 본 발명은 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로서, 즉 본 발명은 프로세스 챔버의 내부에서 하부에는 웨이퍼가 안치되는 히터를 구비하고, 상기 히터의 상부에는 반응 가스 분사용 샤워헤드를 구비한 화학 기상 증착 장치에 있어서, 상기 프로세스 챔버(10)의 일측에서 외측으로 구비되는 셔터 챔버(20)와; 상기 셔터 챔버(20)의 내부에 구비되어 구동 수단(32)에 의해서 선단부측 블레이드(31)를 상기 프로세스 챔버(10)측으로 직선 왕복이동시키는 이송 로봇(30)과; 상기 이송 로봇(30)의 블레이드(31)에 안치되어 상기 이송 로봇(30)에 의해 상기 프로세스 챔버(10)의 히터(12)에 안치되면서 상기 히터(12)측 복사열이 상기 샤워헤드(13)로 전달되지 않도록 하는 셔터 디스크(40)를 포함하는 구성으로 이루어지도록 하는 것인 바 반응실(11)의 아이들 또는 러닝 상태로의 상호 전환 시 반응실(11)내를 항상 러닝 분위기로 유지한 상태에서 러닝 타임을 보다 연장시키는 동시에 파티클 생성을 보다 억제시키면서 생산성을 대폭적으로 향상시키게 되는 특징이 있다.
화학 기상 증착, 히터, 샤워헤드, 파티클

公开(公告)号：KR1020060010031A

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：KR1020040058591

申请日：2004-07-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정훈 ,  박영욱 ,  홍진기

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45544

Abstract: 원자층 증착법(ALD)을 이용하여 TiN 박막을 형성하기 위한 방법과 그에 따른 박막 형성 장치를 개시한다. 원자층 증착법(ALD)으로 TiN 박막을 형성하는 방법은 TiCl
4 를 열분해 시키는 제 1단계와, TiCl
4 분해 생성물을 반응 챔버 내로 유입하는 제 2단계와, 상기 챔버 내로 제 1퍼지가스를 공급하는 제 3단계와, 상기 챔버 내에 반응가스를 공급하여 TiN 박막을 형성하는 제 4단계와, 상기 챔버 내로 제 2퍼지가스를 공급하는 제 5단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. TiN 박막 형성 장치는, 소스 가스 즉 TiCl
4 를 유입시키는 가스 인입관과, 상기 TiCl
4 를 미리 열분해 하여 제 2차적 소스 가스를 만들기 위해 상기 가스 인입관의 주변에 설치된 히터와, 상기 가스 인입관에 연결되며 제 2차적 소스 가스와 반응가스인 NH
3 와의 반응에 의하여 TiN 박막이 형성되도록 하기 위한 반응실을 갖는 챔버를 적어도 포함함을 특징으로 한다. 따라서 TiN 박막의 성장률을 개선시킬 수 있는 TiN 박막 형성방법과 그에 따른 박막 형성 장치를 제공할 수 있게 된다.
원자층 증착법, ALD, TiN, 박막 성장률, TiCl4

公开(公告)号：KR100505065B1

公开(公告)日：2005-07-29

申请号：KR1020020084218

申请日：2002-12-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임은택 ,  박영욱 ,  박인성 ,  최한메 ,  김경석

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4405 ,  B08B7/00 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/3162 ,  Y10S438/905

Abstract: 본 발명은 증착 챔버 세정 방법 및 인시튜 세정이 가능한 증착 장치가 개시되어 있다. 금속 산화물이 증착되어 있는 증착 챔버 내에 상기 금속 산화물에 포함되는 금속과 반응하여 반응물을 생성시키는 제1 가스와 상기 반응물을 분해시키는 제2 가스를 유입한다. 이어서, 상기 금속 산화물과 상기 제1 및 제2 가스를 반응시켜 상기 금속 산화물을 제거하여 증착 챔버를 세정한다. 상기 방법에 의하면, 증착 챔버를 열거나 분리하지 않은 상태로 단시간 내에 세정을 수행할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040102600A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：KR1020030034120

申请日：2003-05-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박인성 ,  박영욱 ,  임은택 ,  이병근 ,  김경석 ,  최한메

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A sputtering apparatus is provided to improve sputtering uniformity by using a rotary module. CONSTITUTION: A sputtering apparatus comprises a processing chamber(100), a substrate hold unit(200) for loading and supporting a semiconductor substrate, a gas supply unit(500) for supplying a reactive gas, a gas injection unit(300) for injecting the reactive gas supplied from the gas supply unit, and a gas exhaust unit(400) for exhausting a residual gas generated by sputtering. The gas injecting unit is located on the opposite side of the substrate hold unit. The gas injection unit includes a rotary module(320) connected to the gas supply unit and at least one injection arm(360) connected to the rotary module. The rotary module is capable of rotating and the injection arm has a plurality of injection holes which are in the lower and the side portions of the injection arm.

Abstract translation: 目的：提供溅射装置，以通过使用旋转模块来提高溅射均匀性。 构成：溅射装置包括处理室（100），用于装载和支撑半导体衬底的衬底保持单元（200），用于提供反应性气体的气体供应单元（500），用于注入 从气体供给单元供给的反应性气体，以及用于排出由溅射产生的残留气体的排气单元（400）。 气体注入单元位于基板保持单元的相对侧。 气体注入单元包括连接到气体供应单元的旋转模块（320）和连接到旋转模块的至少一个注入臂（360）。 旋转模块能够旋转，并且注射臂具有位于注射臂的下部和侧部中的多个喷射孔。

公开(公告)号：KR100443085B1

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：KR1020010025008

申请日：2001-05-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영관 ,  박영욱 ,  이주원 ,  김동찬

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/3185 ,  Y10S438/971

Abstract: An atomic layer deposition (ALD) method employing Si2Cl6 and NH3, or Si2Cl6 and activated NH3 as reactants. In one embodiment, the invention includes the steps of (a) placing a substrate into a chamber, (b) injecting a first reactant containing Si2Cl6 into the chamber, (c) chemisorbing a first portion of the first reactant onto the substrate and physisorbing a second portion of the first reactant onto the substrate, d) removing the non-chemically absorbed portion of the first reactant from the chamber, (e) injecting a second reactant including NH3 into the chamber, (f) chemically reacting a first portion of the second reactant with the chemisorbed first portion of the first reactant to form a silicon-containing solid on the substrate, and (g) removing the unreacted portion of the second reactant from the chamber. In other embodiments, the first reactant can contain two or more compounds containing Si and Cl, such as Si2Cl6 and SiCl4. In another embodiment of the invention, steps b-g are repeated one or more times to increase the thickness of the layer.

Abstract translation: 采用Si2Cl6和NH3或Si2Cl6和活化的NH3作为反应物的原子层沉积（ALD）方法。 在一个实施方案中，本发明包括以下步骤：（a）将衬底放入室中，（b）将含有Si 2 Cl 6的第一反应物注入室中，（c）将第一反应物的第一部分化学吸附到衬底上并物理吸附 将第一反应物的第二部分施加到基底上，d）从腔室移除第一反应物的非化学吸收部分，（e）将第二反应物包括NH 3注入腔室中，（f）使第一反应物的第一部分 第二反应物与第一反应物的化学吸附的第一部分反应以在基底上形成含硅固体，和（g）从腔室中除去未反应的第二反应物部分。 在其他实施方案中，第一反应物可以含有两种或更多种含有Si和Cl的化合物，例如Si2Cl6和SiCl4。 在本发明的另一个实施例中，重复步骤b-g一次或多次以增加层的厚度。