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公开(公告)号：KR1020010017530A
公开(公告)日：2001-03-05
申请号：KR1019990033094
申请日：1999-08-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 장근하
IPC: H01L29/786
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film transistor(TFT) substrate for a liquid crystal display(LCD) is provided to increase transmittivity of the TFT substrate, by eliminating a gate insulating layer and a passivation layer in a pixel region. CONSTITUTION: A gate interconnection including a gate line(20) extended widthwise and a gate electrode(21) which is a branch of the gate line, is formed on an insulating substrate(10). A gate insulating layer(30) is deposited on the gate interconnection. A semiconductor pattern(40) is formed on the gate insulating layer. A resistive contact layer pattern(51,52) is formed on the semiconductor pattern. A data interconnection includes a source/drain electrode and a data line(60). The source/drain electrode is separately formed on the resistive contact layer pattern. The data line is extended lengthwise and connected to the source electrode, and intersects the gate line to define a pixel region. A passivation layer(70) is deposited on the gate insulating layer, the semiconductor pattern and the data interconnection. The passivation layer and the gate insulating layer under the passivation layer are patterned to form a contact hole exposing the drain electrode while the gate insulating layer and the passivation layer in the pixel region are eliminated. A pixel electrode(80) connected to the drain electrode through the contact hole is formed in the pixel electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种制造用于液晶显示器（LCD）的薄膜晶体管（TFT）基板的方法，通过消除像素区域中的栅极绝缘层和钝化层来增加TFT基板的透射率。 构成：在绝缘基板（10）上形成包括宽度方向的栅极线（20）和作为栅极线分支的栅电极（21）的栅极互连。 栅极绝缘层（30）沉积在栅极互连上。 半导体图案（40）形成在栅极绝缘层上。 电阻接触层图案（51,52）形成在半导体图案上。 数据互连包括源/漏电极和数据线（60）。 源极/漏极分别形成在电阻接触层图案上。 数据线纵向延伸并连接到源电极，并且与栅极线相交以限定像素区域。 钝化层（70）沉积在栅极绝缘层，半导体图案和数据互连上。 在钝化层下方的钝化层和栅极绝缘层被图案化以形成露出漏电极的接触孔，同时消除像素区域中的栅极绝缘层和钝化层。 在像素电极中形成有通过接触孔与漏电极连接的像素电极（80）。
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公开(公告)号：KR1019960042174A
公开(公告)日：1996-12-21
申请号：KR1019950012245
申请日：1995-05-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 장근하
IPC: G02F1/136
Abstract: 이 발명은 액정디스플레이의 박막트랜지스터에 있어서 하나의 화소에 대하여 두개의 트랜지스터를 병렬로 연결 장착하여 화소결함 발생시 리페어를 용이하게 할 수 있게 하는 액정디스플레이의 박막트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판 위에 게이트전극이 형성되어 있고; 상기 게이트전극의 상부에 게이트산화막이 형성되어 있고; 상기 게이트산화막의 상부에 실리콘층이 형성되어 있고; 상기 실리콘층의 상부에 n+실리콘층이 형성되어 있고; 상기 n+실리콘층의 상부에 소오스전극 및 드레인전극이 형성되어 있고;상기 게이트산화막의 상부에 화소전극이 형성되어 있는 것으로 이루어져 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970013427A
公开(公告)日：1997-03-29
申请号：KR1019950026632
申请日：1995-08-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 낮은 오프 전류(I
off )를 유지하면서, 높은 전계 효과 이동도를 갖도록 하여 온 전류(I
on )를 높일 수 있도록 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 게이트 절연막 위에 채널층인 미세 결정질 실리콘막이 형성되어 있으며, 상기 미세 결정질 실리콘막 위에 비정질 실리콘막이 형성되어 있으며, 상기 비정질 실리콘막 위에 중앙부가 식각된 형태로 외인성 반도체막이 형성되어 있고, 상기 외인성 반도체막 위에 중앙부가 식각된 형태로 형성되어 있는 도전 물질로 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1019950000847B1
公开(公告)日：1995-02-02
申请号：KR1019910008122
申请日：1991-05-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: The method includes the steps of forming on insulating layer (1) on the substrate (10), forming a contact hole (CH) into the layer (1), forming a 1st amorphous Si layer (2) of 500-2000 angstrom thickness at 550 deg.C by using a LPCVD process, implanting P ions of 5×1015 - 5×1016 ion/cm2 at 30-60 ke and P ions of 1×1015 - 5×1015 ion/cm2 at 80-150 keV into the layer (2), forming a 2nd amorphous Si layer (3) on the layer (2) to fill the hole (CH) with the layer (3), implanting impurities into the layer (3), etching-back the layers (2,3) to form an amorphous Si plug in the hole (CH), and forming a metallic wiring film (M) thereon, thereby using the polysilicon plug technology to improve the covering power of metal wiring.
Abstract translation: 该方法包括以下步骤：在衬底（10）上的绝缘层（1）上形成接触孔（CH）到层（1）中，形成500-2000埃厚度的第一非晶硅层（2） 550摄氏度，通过LPCVD法，将30×10 5 K的5×1015〜5×1016离子/ cm2的P离子注入到80-150keV的1×1015〜5×1015个离子/ cm 2的P离子 在层（2）上形成第二非晶Si层（3）以用层（3）填充孔（CH），将杂质注入到层（3）中，蚀刻层（2） ，3）在孔（CH）中形成非晶Si塞，并在其上形成金属布线膜（M），由此使用多晶硅插塞技术来提高金属布线的覆盖功率。
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公开(公告)号：KR1019940004597B1
公开(公告)日：1994-05-25
申请号：KR1019910006761
申请日：1991-04-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: Method of fabricating dielectric layer of capacitor in which a field oxide 2 is formed on a p-type silicon substrate 1, and a polysilicon 4 is deposited on the substrate to carry out photolithography, to form a pacitor dielectic layer 3 is disclosed, wherein a plate electrode is deposited and then a native oxide is formed using load-rock system, to form a silicon dielectric layer on the native oxide, and the silicon dielectric layer is thermal oxidised and a doped polysilicon is deposited, to form a dielectric layer, thereby reducing the power consumption and increasing the yield.
Abstract translation: 公开了一种在p型硅衬底1上形成场氧化物2的电容器的电介质层的制造方法，并且在衬底上沉积多晶硅4以进行光刻，以形成和子介电层3，其中a 沉积平板电极，然后使用负载 - 岩石系统形成天然氧化物，以在自然氧化物上形成硅介电层，并且硅介电层被热氧化并且沉积掺杂多晶硅以形成电介质层 降低功耗并提高产量。
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