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公开(公告)号:KR1020140037983A
公开(公告)日:2014-03-28
申请号:KR1020120099927
申请日:2012-09-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76829 , H01L21/76837 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/4975 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L21/76832
Abstract: Provided is a method of manufacturing a semiconductor device which improves the density of a gap-fill insulating layer by using an expandable material. The method of manufacturing the semiconductor device includes forming a gate insulating layer on a substrate, forming a first and a second gate structure on the gate insulating layer, forming an expandable material on the first and the second gate structures, forming a gap-fill insulating layer between the expandable material and the first and the second gate structures, and performing a thermal process by increasing the volume of the expandable material.
Abstract translation: 提供一种通过使用可膨胀材料来提高间隙填充绝缘层的密度的半导体器件的制造方法。 制造半导体器件的方法包括在衬底上形成栅极绝缘层,在栅极绝缘层上形成第一和第二栅极结构,在第一和第二栅极结构上形成可膨胀材料,形成间隙填充绝缘 可膨胀材料与第一和第二栅极结构之间的层,并且通过增加可膨胀材料的体积来进行热处理。
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公开(公告)号:KR1020020054889A
公开(公告)日:2002-07-08
申请号:KR1020000084153
申请日:2000-12-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor: 이정규
IPC: H01L21/68
Abstract: PURPOSE: An apparatus for controlling a holder pin is provided to perform an unloading process while a wafer is not separated from a fixed position, by removing a pin for fixing the wafer when a holder reaches a precise unloading position. CONSTITUTION: A plurality of fixing holes(26) are formed in a main body plate(20). A stick-type bar(22) fastens or removes the pin of the holder for fixing the wafer. One end of the bar is curved by a predetermined slope, and the other end has a convex protrusion. A connection unit(24) connects the main body plate with the bar. The bar has such a predetermined length to remove the holder pin when the holder comes to the unloading position.
Abstract translation: 目的:提供一种用于控制保持器销的装置,用于当保持器到达精确卸载位置时,通过移除用于固定晶片的销来移除晶片未与固定位置分离的卸载过程。 构成:多个固定孔(26)形成在主体板(20)中。 棒状棒(22)固定或移除用于固定晶片的保持器的销。 杆的一端弯曲预定的斜率,另一端具有凸出的凸起。 连接单元(24)将主体板与杆连接。 当保持器到达卸载位置时,该杆具有这样的预定长度以移除保持销。
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公开(公告)号:KR100259039B1
公开(公告)日:2000-06-15
申请号:KR1019970004670
申请日:1997-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device is provided to prevent the reduction of static capacitance by forming a tungsten silicide film on a peripheral portion of a lower electrode. CONSTITUTION: A lower electrode(26) is formed on a semiconductor substrate(10). A hemispherical grain is formed on a surface of the lower electrode(26). A tungsten film is formed on a whole face of the semiconductor substrate(10). The tungsten film is changed to a tungsten silicide film(29) by performing an annealing process for the tungsten film. The tungsten film is etched in order that the tungsten film remains on a peripheral portion of the lower electrode(26). A dielectric layer is formed by laminating dielectric material on the lower electrode(26) formed with the hemispherical grain. An annealing process for the dielectric layer is performed. An upper electrode is formed on the dielectric layer.
Abstract translation: 目的:提供一种用于制造半导体器件的电容器的方法,以通过在下电极的周边部分上形成硅化钨膜来防止静电电容的降低。 构成:在半导体衬底(10)上形成下电极(26)。 在下电极(26)的表面上形成半球状的晶粒。 在半导体衬底(10)的整个表面上形成钨膜。 通过对钨膜进行退火处理,将钨膜改变为硅化钨膜(29)。 蚀刻钨膜,以使钨膜保留在下电极(26)的周边部分上。 通过在形成有半球形颗粒的下电极(26)上层叠电介质材料形成电介质层。 进行介电层的退火处理。 在电介质层上形成上电极。
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公开(公告)号:KR100229883B1
公开(公告)日:1999-11-15
申请号:KR1019970007353
申请日:1997-03-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor: 이정규
IPC: H04M3/42
Abstract: 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야:
본 발명은 키폰시스템에 관한 것으로, 특히 키폰시스템을 이용하여 미리 설정된 특정시간에 설정된 특정인을 자동호출하고, 미리 저장된 음성메시지를 자동 송출하는 방법에 관한 것이다.
나. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제:
종래에 키폰시스템을 이용하여 가입자 상대방을 호출하려 할 시에는 어떠한 방법을 이용하든지 가입자의 직접적인 동작이 수반되어야만 했으므로, 상기 가입자가 상기 키폰시스템을 직접적으로 사용하지 못하는 경우 상대방을 호출할 수 없는 문제점이 있었다.
다. 발명의 해결방법의 요지:
상기와 같은 문제점을 해소하기 위한 본 발명은 키폰시스템을 이용하여 미리 설정된 특정시간에 설정된 특정인을 자동호출하고, 미리 저장된 음성메시지를 자동 송출하는 방법을 제공한다.
라. 발명의 중요한 용도:
키폰시스템에서 자동발신 및 음성정보 송출방법.-
公开(公告)号:KR100203781B1
公开(公告)日:1999-06-15
申请号:KR1019960039906
申请日:1996-09-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/3021 , Y10S134/902
Abstract: 웨이퍼 상면에 형성된 PR 층으로부터 불필요한 부위를 제거하기 위해 공급되는 현상액을 현상액 내에 용존하는 미소 기체를 제거한 후 공급하도록 하는 반도체 포토리소그래피 공정의 현상액 공급시스템에 관한 것이다.
본 발명은 공급탱크에 제 1 연결관이 연결되고 상기 제 1 연결관의 다른 일단부가 단일관 형상의 제 2 연결관이 연결되며 상기 제 2 연결관의 다른 일단부에 복수개의 제 3 연결관이 연결되며 이들 연결관 사이에 탈기장치와 눈금게이지와 필터 및 차단밸브가 설치된 현상액 공급라인을 포함한 구성으로 이루어진 현상액 공급 시스템에 있어서, 상기 제 2 연결관상에 상기 탈기장치가 설치되고, 상기 복수개의 제 3 연결관상에 상기 차단밸브가 설치됨을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 탈기장치에 현상액의 공급압력이 충분히 전달됨에 따라 탈기장치의 효율이 높아 미소 기체에 의한 불량을 방지되고, 공정 진행에 따른 시간적 손실을 방지하며, 탈기장치 및 각종 부재의 설비 비용을 줄이는 효과가 있다.-
公开(公告)号:KR100203780B1
公开(公告)日:1999-06-15
申请号:KR1019960041741
申请日:1996-09-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/322
CPC classification number: C23C16/463 , C23C16/4557 , C23C16/46 , C23C16/481 , H01L21/67115
Abstract: 웨이퍼의 대구경화에 따른 공정의 균일성 및 품질을 개선시키도록 한 반도체 웨이퍼 열처리 장치에 관한 것이다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 열처리장치에 있어서, 밀폐된 공간을 형성하는 공정챔버(21)와, 상기 공정챔버내에 고정설치되어 공정을 위한 웨이퍼(23)가 놓여지는 서셉터(22)와, 상기 서셉터에 설치되어 서셉터를 가열하는 열저항히터(29)와, 상기 웨이퍼의 상부에 설치되어 공정챔버 내부의 온도를 공정에 필요한 온도로 상승시키는 램프(28)와, 상기 공정챔버의 일측에 구비되어 가스를 내부로 공급하는 가스인젝터(33)와, 상기 가스인젝터에 설치되어 공정챔버의 내부로 공급되는 가스를 예열하는 가스히터(34)로 구성된다.
따라서 공정챔버내의 공정온도범위가 넓어져 다양한 공정수행이 가능하고, 고온에 의한 열변형 및 온도의 급변화에 의한 스트레스가 감소되어 안정된 공정이 이루어지며, 특히 대구경의 웨이퍼 열처리시 공정의 균일성 및 품질을 개선시킬 수 있다.-
公开(公告)号:KR1019990001433A
公开(公告)日:1999-01-15
申请号:KR1019970024749
申请日:1997-06-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor: 이정규
IPC: H04M1/23
Abstract: 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야.
본 발명은 시각장애자를 위한 키폰전화기에 관한 것이다.
나. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제.
본 발명은 정상인 뿐만 아니라 시각장애자들도 키폰전화기를 용이하게 사용하도록 키폰전화기 키패드상에 설치된 키버튼 표면에 해당 기능명칭을 양각 표시하여 키버튼 기능을 인식 가능하게 하고, 각 키버튼에 대한 명칭을 음성으로 안내한다.
다. 발명의 해결방법의 요지.
본 발명은 키폰전화기의 키패드상에 설치된 키버튼 표면에 해당 기능명칭을 양각 표시하여 각 키의 기능을 인지하도록 하고, 키버튼이 눌러질 시 눌러진 키버튼에 대한 기능명칭을 음성메시지로 송출한다.
라.발명의 중요한 용도.
키폰전화기를 시각장애자들이 용이하게 사용할 수 있도록 하는데 적용한다.-
公开(公告)号:KR1019980082968A
公开(公告)日:1998-12-05
申请号:KR1019970018082
申请日:1997-05-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor: 이정규
IPC: H04M1/27
Abstract: 가. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
자동 연속 호출 방법
나. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
통화하고자하는 상대방의 전화번호 및 호출번호가 다수인 경우 순차적으로 호출한다.
다. 발명의 해결 방법의 요지
단축 다이얼 기능을 위한 단축번호에 우선 순위를 설정하여 다수의 전화번호를 등록하는 과정과, 상기 단축번호가 입력되면 상기 등록된 다수의 전화번호 중 최우선 순위의 전화번호를 다이얼링한 후 상대방이 무응답, 통화중 또는 연결상태 불량인 경우 다음 순위의 전화번호를 자동으로 다이얼링하는 과정으로 이루어진다.
라. 발명의 중요한 용도
통화하고자하는 상대방이 다수의 호출번호를 가진 경우 차례대로 호출하여 상대방과의 통화로를 형성할 수 있다.-
公开(公告)号:KR1019980072497A
公开(公告)日:1998-11-05
申请号:KR1019970007353
申请日:1997-03-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor: 이정규
IPC: H04M3/42
Abstract: 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 : 본 발명은 키폰시스템에 관한 것으로, 특히 키폰시스템을 이용하여 미리 설정된 특정시간에 설정된 특정인을 자동호출하고, 미리 저장된 음성메세지를 자동송출하는 방법에 관한 것이다.
나. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 : 종래에 키폰시스템을 이용하여 가입자 상대방을 호출하려 할 시에는 어떠한 방법을 이용 하든지 가입자의 직접적인 동작이 수반되어야만 했으므로, 상기 가입자가 상기 키폰시스템을 직접적으로 사용하지 못하는 경우 상대방을 호출할 수 없는 문제점이 있었다.
다. 발명의 해결방법의 요지 : 상기와 같은 문제점을 해소하기 위한 본 발명은 키폰시스템을 이용하여 미리 설정된 특정시간에 설정된 특정인을 자동호출하고, 미리 저장된 음성메세지를 자동송출하는 방법을 제공한다.
라. 발명의 중요한 용도 : 키폰시스템에서 자동발신 및 음성정보 송출방법.-
公开(公告)号:KR1019980051972A
公开(公告)日:1998-09-25
申请号:KR1019960070899
申请日:1996-12-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 건식식각장치는, 웨이퍼가 놓이는 서셉터, 상기 서셉터에 설치된 냉각수단 및 RF(Radio Frequency) 전계를 인가하여 플라즈마를 생성시키는 RF 전극을 구비하는 건식식각장치에 있어서, 상기 RF 전극 가운데 상부 전극의 형태를 조절하여 상기 RF 전극 상하의 대향면에 걸쳐 전극 사이의 간격을 부분적으로 다르게 한 것, 상기 웨이퍼에 대향되는 면에서 식각가스의 단위면적당 공급량을 부분적으로 다르게 한 가스분산기를 가지는 것, 상기 RF 전극 가운데 전원과 연결되는 전극의 전극면은 복수개의 영역으로 나누어지고, 각 영역에는 면적당 인가되는 RF 전력이 차별화 되도록 각각의 RF 전원이 연결되는 것, 상기 서셉터는 복수개의 영역으로 나누어지고, 각 영역은 다른 온도를 가지도록 상기 냉각수단의 설치분포를 다르게 � ��는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 고집적, 고정밀을 요하는 반도체장치의 제조에 있어서, 웨이퍼 내에서의 식각율을 조절하여 식각불균일성으로 인한 공정불량을 줄이는 효과가 있다.
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