Abstract:
An organic insulator composition is provided to be used in manufacture of a flexible display device by thinning it by a low temperature wet processing due to low temperature curing of 130 deg.C or less and excellent chemical resistance. An organic insulator composition comprises an -OH-containing oligomer or -OH-containing polymer and a crosslinking aid. The -OH-containing polymer is selected in a group consisting of polyvinyl alcohol, polyvinylphenol, poly (hydroxyphenyl maleimide-co-ydroxystyrene), polyhydroxy imide, poly (vinyl alcohol-co-ethylene) and their copolymers.
Abstract:
본 발명은 탄소나노튜브의 표면에 라디칼 중합에 참여할 수 있는 이중결합을 갖는 작용기를 도입하고, 상기 탄소나노튜브를 광개시제와 함께 유기용매에 분산시켜 기재 위에 코팅한 후 포토마스크를 통해 UV에 노광시켜 노광부에서 탄소나노튜브의 라디칼 중합을 유발한 다음 비노광부를 현상액으로 제거함으로써 탄소나노튜브의 네가티브 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법에 의하면 기존의 포토리소그래피 방식으로 다양한 재질의 기재 상에 탄소나노튜브 패턴을 용이하게 형성할 수 있다. 탄소나노튜브, 포토리소그래피, 패턴, 이중결합, 라디칼 중합
Abstract:
본 발명은 탄소나노튜브의 표면에 라디칼 중합에 참여할 수 있는 이중결합을 갖는 작용기를 도입하고, 상기 탄소나노튜브를 광개시제와 함께 유기용매에 분산시켜 기재 위에 코팅한 후 포토마스크를 통해 UV에 노광시켜 노광부에서 탄소나노튜브의 라디칼 중합을 유발한 다음 비노광부를 현상액으로 제거함으로써 탄소나노튜브의 네가티브 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법에 의하면 기존의 포토리소그래피 방식으로 다양한 재질의 기재 상에 탄소나노튜브 패턴을 용이하게 형성할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 감광성 폴리이미드 전구체용 가용성 폴리이미드 및 이를 포함한 감광성 폴리이미드 전구체 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 측쇄에 히드록시기와 아세탈기를 포함하고, 한 쪽 또는 양 쪽 말단에 반응성 봉쇄기를 포함한 가용성 폴리이미드, 및, 상기 가용성 폴리이미드, 한 쪽 또는 양 쪽 말단에 반응성 봉쇄기를 포함한 폴리아믹산, 광에 의한 산발생제(Photo Acid Generator: PAG) 및 필요에 따라 용해억제제를 포함하는 감광성 폴리이미드 전구체 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 가용성 폴리이미드는 산의 존재하에 알칼리 수용액에 대한 용해성의 변화가 크고, 코팅시 매우 평탄한 필름을 수득할 수 있으며, 말단 반응성 봉쇄기의 존재로 이어지는 열경화시 중합체 간 가교가 형성될 수 있는 바, 감광성 폴리이미드에 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 경우, 코팅시 평탄성이 우수하며, 노광부와 비노광부 간의 용해속도의 차가 커서, 적은 양의 감광제로도 고해상도의 패턴을 수득할 수 있을 뿐만 아니라 두꺼운 폴리이미드층의 제조가 가능하며, 후속의 경화공정에 있어 필름의 막 수축률이 낮고, 수득된 폴리이미드 필름의 물성이 우수하다.
Abstract:
The mode selecting circuit selects initial operating mode when the power is applied to a dual port memory device. The circuit includes an initial operating mode selecting circuit for selecting initial operating mode to stabilize the operation of the memory device. The initial operating mode selecting circuit comprises a pulse generator for generating a third mode control signal having the form of single pulse when initial power is applied to the memory device, a switch comprising a MOS transistor, and a diode to pass the third mode control signal.