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公开(公告)号：KR1020130108001A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：KR1020120030245
申请日：2012-03-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/331 , H01L29/737
CPC classification number: H01L21/268 , H01L21/28575 , H01L21/3245 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L29/517 , H01L29/66462
Abstract: PURPOSE: A method for forming a selective low-temperature ohmic contact for group III nitride heterostructure device is provided to form the ohmic contact at a low temperature, thereby reducing thermal stress on a substrate. CONSTITUTION: A conductive film (50) is formed on an epi substrate (10). The epi substrate includes ohmic contact area (A). A capping layer is formed on the upper part of the conductive film or is interposed between the conductive film and a group III nitride heterostructure layer (30,32). The capping layer is formed only in one area of the ohmic contact area or a non-ohmic contact area (B). The capping layer is composed of the dual membrane of a laser reflection film and a barrier film. The ohmic contact is selectively formed in the ohmic contact area by applying laser annealing (70), induction heating or a combination of the laser annealing and the induction heating to the front surface of the substrate at a temperature less than 750°C.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成第III族氮化物异质结构器件的选择性低温欧姆接触的方法，以在低温下形成欧姆接触，从而降低衬底上的热应力。 构成：在外延衬底（10）上形成导电膜（50）。 外延衬底包括欧姆接触面积（A）。 在导电膜的上部形成覆盖层，或者介于导电膜和III族氮化物异质结构层（30,32）之间。 覆盖层仅形成在欧姆接触区域的一个区域或非欧姆接触区域（B）中。 盖层由激光反射膜和阻挡膜的双膜组成。 通过在小于750℃的温度下对激光退火和感应加热进行激光退火（70），感应加热或组合激光退火和感应加热，在欧姆接触区域选择性地形成欧姆接触。
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公开(公告)号：KR100667471B1
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：KR1020040097649
申请日：2004-11-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1339
Abstract: 본 발명은 분리 격벽 제조용 몰드 및 이를 이용한 이중층 분리 격벽의 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로 제조하고자 하는 분리 격벽의 양각에 대응하는 형상의 음각부 및 제조하고자 하는 분리격벽의 음각에 대응하는 형상을 가지고 상기 음각부에 대해 돌출되어 있고, 양 측면이 테이퍼진 양각부를 포함하고, 상기 양각부 및 음각부가 소정의 간격을 두고 규칙적으로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 분리 격벽 제조용 몰드 및 이를 이용한 이중층 분리 격벽의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 분리 격벽 제조용 몰드에 의하면 단일 엠보싱 공정에 의해 간단한 공정과 저렴한 비용으로 잉크젯용 이중층 분리 격벽을 제조할 수 있다.
잉크젯, 분리 격벽, 엠보싱, 몰드, 이중층, 잉크 혐오성층, 잉크 친화성층, 양각부, 음각부, 테이퍼-
公开(公告)号：KR1020040079794A
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：KR1020030014839
申请日：2003-03-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02B6/00
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a preform for plastic optical fiber using additive in-diffusion is provided, which has a continuous refractive index distribution along a radius direction. CONSTITUTION: According to the method for fabricating a preform for plastic optical fiber using additive in-diffusion, a virgin preform having a hollow in a cylindrical reactor is fabricated. The cylindrical reactor is dipped into a diffusion medium mixed with an additive having a different refractive index from the virgin preform. The additive is in-diffused by swelling the virgin preform with a diffusion medium from a hollow surface of the preform. And the diffusion medium is removed without any bubble formation or damage on the preform.
Abstract translation: 目的：提供一种使用添加剂扩散的塑料光纤预制棒的制造方法，其具有沿着半径方向的连续的折射率分布。 构成：根据使用添加剂扩散的制造用于塑料光纤的预制棒的方法，制造在圆柱形反应器中具有中空的原始预制件。 将圆柱形反应器浸入与来自原始预制件的具有不同折射率的添加剂混合的扩散介质中。 通过从预成型件的中空表面扩散介质使原始预制件膨胀，添加剂被扩散。 并且扩散介质被去除而没有任何气泡形成或损坏预型件。
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公开(公告)号：KR1020160099386A
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：KR1020150021778
申请日：2015-02-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14647 , H01L27/1446 , H01L27/14601 , H01L27/14607 , H01L27/14627 , H01L27/14692 , H01L31/022408 , H01L31/022425 , H01L31/035227 , H01L27/14625 , H01L27/1461 , H01L27/14636
Abstract: 광검출소자및 그제조방법과, 이미지센서및 그제조방법이개시된다. 개시된광검출소자는, 제1 절연층과상기제1 절연층에마련되는실리콘층과, 상기실리콘층에마련되는적어도하나의실리콘나노와이어와, 상기적어도하나의실리콘나노와이어와전기적으로마련되는전극을포함한다. 여기서, 제1 절연층및 실리콘층에는적어도하나의금속플러그가관통하도록마련되어있다.
Abstract translation: 公开了一种光电检测装置及其制造方法，以及图像传感器及其制造方法。 所公开的光检测装置包括第一绝缘层，设置在第一绝缘层上的硅层，设置在硅层上的至少一个硅纳米线，以及设置在至少一个硅纳米线上的电极。 至少一个金属插头设置在第一绝缘层和待渗透的硅层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140052785A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020120120623
申请日：2012-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/324 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02667 , H01L29/66765 , H01L29/78678
Abstract: A semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device using a metal oxide are disclosed. The disclosed manufacturing method of the semiconductor device comprises forming a metal oxide layer on a substrate; forming an amorphous semiconductor layer on the metal oxide layer; and crystallizing the amorphous semiconductor layer into a polycrystalline semiconductor layer by using the metal oxide layer. Therefore, metal contamination can be reduced in a crystallization process.
Abstract translation: 公开了使用金属氧化物的半导体器件和半导体器件的制造方法。 所公开的半导体器件的制造方法包括在衬底上形成金属氧化物层; 在所述金属氧化物层上形成非晶半导体层; 以及通过使用所述金属氧化物层将所述非晶半导体层结晶成多晶半导体层。 因此，在结晶过程中可以减少金属污染。
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公开(公告)号：KR1020140051639A
公开(公告)日：2014-05-02
申请号：KR1020120117914
申请日：2012-10-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/86
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/0245 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/02658 , H01L21/02667 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L29/2003
Abstract: Disclosed are a structure having a large area gallium nitride (GaN) substrate and a method for manufacturing the same. The disclosed structure having a large area GaN comprises multiple silicone rods on a silicone substrate; a silicone layer on the multiple rods; and a GaN substrate on the silicone layer.
Abstract translation: 公开了具有大面积氮化镓（GaN）衬底的结构及其制造方法。 所公开的具有大面积GaN的结构在硅基底上包括多个硅酮棒; 多个棒上的硅树脂层; 和硅树脂层上的GaN衬底。
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8.发明公开나노와이어를 이용한 에어 갭에 의해 분리된 자기 정렬구조 형성 방법 및 이를 적용한 메모리 소자 제조 방법 및메모리 소자 无效通过使用纳米线形成通过空气隙分离的自对准结构的方法和用于制造使用其的存储器件和存储器件的方法
公开(公告)号：KR1020090025955A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：KR1020070091188
申请日：2007-09-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L21/28273 , B82Y10/00 , H01L21/0223
Abstract: A self-aligned structure formation method is provided to reduce the processing stage by forming the charge storage layer/air-gap insulating layer/control gate structure at the same time. A self-aligned structure formation method includes the step for forming a nano wire(20) separated from a substrate(10); the step for forming the second material layer(25) on the nano wire surface and the first material layer(15) on the top of the substrate at the same time through the deposition process; the step for forming the self-aligned structure of the first material layer/air-gap insulating layer/second material layer including an air gap insulating layer(23).
Abstract translation: 提供了自对准结构形成方法，通过同时形成电荷存储层/气隙绝缘层/控制栅极结构来减少处理阶段。 自对准结构形成方法包括形成与基板（10）分离的纳米线（20）的工序。 通过沉积工艺同时在纳米线表面上形成第二材料层（25）和在衬底顶部上的第一材料层（15）的步骤; 形成包括气隙绝缘层（23）的第一材料层/气隙绝缘层/第二材料层的自对准结构的步骤。
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公开(公告)号：KR100745945B1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：KR1020030090217
申请日：2003-12-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1335
Abstract: 본 발명은 레플리케이션 마스터 및 이를 이용한 분리격벽 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광 투과성 재질의 기판 (a) 및, 제조하고자 하는 분리 격벽에 대응하여 반대의 프로파일을 가지도록(즉, 상기 분리격벽에 대해 음각으로), 상기 기판(a) 위에 형성된 광투과성 지지층(b)과 상기 지지층(b)의 상면에 형성된 광 차단층(c)을 포함하는 분리 격벽 제조용 레플리케이션 마스터에 대한 것이고, 아울러, 상기 레플리케이션 마스터를 이용하여 분리격벽을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방법에 의할 경우, 소정의 패턴을 가지는 몰드형 레플리케이션 마스터를 사용하여, 잉크젯 프린팅이나 시린지 디스펜싱(syringe-dispensing) 등의 직접 기록방식(direct writing method)에서 용액간의 혼합방지 혹은 직선 엣지(edge) 패턴 형성을 위해 미리 제작되는 격벽을 경제적으로 간편하게 제조할 수 있으며, 본 발명에 따라 제조된 격벽은 포토리소그라피 등 종래 기술에 의해 제조된 격벽에 비해 보다 정확한 프로파일을 가진다.
디스플레이, 컬러 필터, 유기 블랙매트릭스, UV 경화, 마이크로 레플리케이션, 분리 격벽-
公开(公告)号：KR1020050113117A
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：KR1020040097649
申请日：2004-11-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1339
CPC classification number: G03F7/0002 , G02F1/133516 , G02F1/137 , G02F2001/1672 , H01L51/0005
Abstract: 본 발명은 분리 격벽 제조용 몰드 및 이를 이용한 이중층 분리 격벽의 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로 제조하고자 하는 분리 격벽의 양각에 대응하는 형상의 음각부 및 제조하고자 하는 분리격벽의 음각에 대응하는 형상을 가지고 상기 음각부에 대해 돌출되어 있고, 양 측면이 테이퍼진 양각부를 포함하고, 상기 양각부 및 음각부가 소정의 간격을 두고 규칙적으로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 분리 격벽 제조용 몰드 및 이를 이용한 이중층 분리 격벽의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 분리 격벽 제조용 몰드에 의하면 단일 엠보싱 공정에 의해 간단한 공정과 저렴한 비용으로 잉크젯용 이중층 분리 격벽을 제조할 수 있다.
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