Abstract:
무선통신시스템에서지연을고려한다중노드협력방법을제안한다. 지연속성이유사한상향링크협력단말기들을상향링크협력영역으로구분하도록스케줄링하고상향링크협력영역과비협력영역간간섭을제거하는프레임구조를제안한다. 또한, 다중노드협력적용시발생하는지연속성에따라확장된주기적전치부호를적용하고확장된주기적전치부호를고려한상향링크와하향링크의협력기지국을결정하는방법을제안한다.
Abstract:
PURPOSE: A clock signal generating circuit and a semiconductor device are provided to stabilize an operation by generating a latency control clock and an inner read command signal through the same clock domain. CONSTITUTION: A signal generation circuit(110) generates a first clock signal divided from an external clock signal. A determining unit(140) compares the phase of the first clock signal with the phase of the control clock signal. The determining unit outputs a clock signal with the same phase as or opposite phase to the first clock signal. A latency control clock signal generator(120) generates a first latency control clock signal by delaying the clock signal. A latency generator(150) controls the latency of the inner read command signal.
Abstract:
반도체 메모리 장치의 테스트 회로가 게시된다. 본 발명은 반도체 메모리 장치에 있어서 복수개의 메모리 뱅크, 메모리 뱅크 제어신호들 및 테스트용 프로그래머블 수단의 테스트신호에 응답해서 상기 복수개의 메모리 뱅크 중 일부의 메모리 뱅크의 제어신호를 테스트하는 것을 특징으로 하는 테스트 회로이다. 상기 테스트용 프로그래머블 수단은 다이내믹 랜덤 억세스 메모리에서의 테스트 모드 레지스터 셋 명령일수 있다. 상기 복수개의 메모리 뱅크 중 한 개의 메모리 뱅크의 제어신호만을 테스트한다. 따라서 테스트 회로는 복수개의 메모리 뱅크를 구비한 반도체 메모리 장치에 있어서, 뱅크별 신호간의 스큐를 최소화하여 고주파 동작이 가능하도록 하는 효과가 있다. 테스트, 모드 레지스터 셋(mode register set), 뱅크, 로우 어드레스, 컬럼 어드레스
Abstract:
조절 커패시터를 사용하여 서로 비슷한 전압 값을 갖는 두 전원에 각각 연결된 디커플링 커패시턴스를 선택적으로 조절할 수 있는 디커플링 커패시턴스 조절회로가 개시되어 있다. 디커플링 커패시턴스 조절회로는 한 쌍의 제 1 전원라인들, 한 쌍의 제 2 전원라인들, 제 1 디커플링 커패시터, 제 2 디커플링 커패시터, 조절 커패시터, 및 커패시턴스 조절부를 구비한다. 한 쌍의 제 1 전원라인들은 제 1 전원전압을 공급하고, 한 쌍의 제 2 전원라인들은 제 2 전원전압을 공급하고 한 쌍의 제 1 전원라인들과 분리되어(isolated) 있다. 제 1 디커플링 커패시터는 한 쌍의 제 1 전원라인들 사이에 연결되어 있고, 제 2 디커플링 커패시터는 한 쌍의 제 2 전원라인들 사이에 연결되어 있다. 커패시턴스 조절부는 제 1 전원라인들 사이의 커패시턴스 또는 제 2 전원라인들 사이의 커패시턴스를 변화시키기 위하여, 제어신호에 응답하여 조절 커패시터의 양단을 상기 제 1 전원라인들 사이 또는 상기 제 2 전원라인들 사이에 전기적으로 연결한다. 따라서, 디커플링 커패시턴스 조절회로는 서로 비슷한 전압 값을 갖는 두 전원에 각각 연결된 디커플링 커패시턴스를 선택적으로 조절할 수 있고, 반도체 메모리 장치의 불량률을 줄일 수 있고 칩 사이즈를 줄일 수 있다.
Abstract:
서로 다른 단위 지연 시간을 가지는 지연소자를 구비하는 지연 시간 보상 회로가 개시된다. 본 발명에 따른 지연 시간 보상 회로 중 지연 동기 루프는 위상 검출기 지연 라인 및 필터 부를 구비하는 것을 특징으로 한다. 위상 검출기는 상기 외부 클럭 신호의 위상과 상기 피드백 클럭 신호의 위상을 비교하고 그 차이를 오차 제어 신호로서 출력한다. 지연 라인은 서로 다른 단위 지연 시간을 가지는 복수개의 지연 소자들을 구비하며 소정의 쉬프트 신호에 응답하여 상기 지연 소자들의 개수가 조절되고, 상기 외부 클럭 신호를 수신하여 상기 외부 클럭 신호의 위상이 제어된 출력 클럭 신호를 발생한다. 필터 부는 상기 오차 제어 신호에 응답하여 상기 지연 라인의 지연 소자들의 개수를 선택하는 상기 쉬프트 신호를 발생한다. 상기 지연 라인은 앞 단의 지연 소자들로부터 뒷 단의 지연 소자들로 갈수록 단위 지연 시간이 점점 커지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 지연 시간 보상 회로는 외부 클럭 신호가 고주파수일 경우 사용되는 앞쪽의 지연 소자들의 단위 지연 시간을 작게 하여 양자화(quantization)오차에 의한 지터(jitter)를 줄일 수 있고, 외부 클럭 신호가 저주파수일 경우 사용되는 뒤쪽의 지연 소자들의 단위 지연 시간을 크게 하여 지연 보상에 필요한 지연 소자들의 개수를 줄일 수 있는 장점이 있다.
Abstract:
PURPOSE: A synchronous semiconductor device having constant data output time without regard to bit configuration and a method for controlling data output time are provided, which increase operation reliability by making a constant access time(tAC or tSAC). CONSTITUTION: According to the synchronous semiconductor device, an internal clock generator generates an internal clock by receiving an external clock. A clock control unit(414) generates a data output clock by controlling a phase of the above internal clock in response to bit configuration information. And a data output buffer(330) outputs data read from a memory cell to the external in response to the above data output clock.
Abstract:
PURPOSE: A DLL circuit capable of adjusting delay time according to period of external clock signal is provided to be capable of reducing the number of delay stages for compensating a delay time. CONSTITUTION: A period classifying circuit(210) senses a period of the first clock signal(CLK1) and generates period classification signals(Q1,Q2) for classifying the period of the first clock signal(CLK1). A control voltage generating circuit(230) generates a control voltage(CV) for controlling a delay time of delay stages in a delay line(250), based on logic states of the first and second period classification signals(Q1,Q2). A phase detector(270) compares the first clock signal(CLK1) with the second clock signal(CLK2) to generate a detection signal(PD) indicating a phase error between the first and second clock signals(CLK1,CLK2). A control circuit(290) responds to the detection signal(PD) and generates control signals(CNT) for controlling the delay stages in the delay line(250), respectively. The delay line(250) responds to the control voltage(CV) and the control signals(CNT) and delays the first clock signal(CLK1) to generate the second clock signal(CLK2) synchronized with the first clock signal(CLK).