-
-
公开(公告)号：KR1020170012150A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020160093752
申请日：2016-07-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04J11/00 , H04L5/0044 , H04L5/0053 , H04L5/0091 , H04W56/00
Abstract: 본개시는 LTE와같은 4G 통신시스템이후보다높은데이터전송률을지원하기위한 5G 또는 pre-5G 통신시스템에관련된것이다. 본개시는셀룰러시스템의기지국에서디바이스의협대역(narrow band) IoT(Internet of things) 통신을지원하는방법에있어서, 상기협대역 IoT 통신을수행하는디바이스의상기기지국간동기화를위한동기시퀀스를전송하는동작; 다수의동작모드들중 하나에상응하는상기협대역 IoT 통신의동작모드를지시하는 2 비트의모드지시필드를시스템정보에포함하여전송하는동작; 및상기시스템정보에포함되는상기협대역 IoT 통신을위한파라메터에근거하여제어채널및 데이터채널을전송하는동작을포함하되, 상기동작모드들은독립(standalone) 모드, 가드밴드(guard-band) 모드, 상기셀룰러시스템과상기협대역 IoT 통신이동일한셀 ID를사용하는인밴드(in-band) 모드, 및상기셀룰러시스템과상기협대역 IoT 통신이상이한셀 ID를사용하는인밴드모드를포함함을특징으로하는방법을제공한다.
Abstract translation: 本公开涉及用于支持超越诸如LTE的4G通信系统之外的更高数据传输速率的5G或5G前通信系统。 本公开提供了一种用于支持由蜂窝系统中的基站执行物理窄带因特网（IoT）通信的设备的方法，所述方法包括以下操作：发送用于执行所述窄IoT通信的设备之间的同步的同步序列 和基站; 发送系统信息，其包括对应于多个操作模式之一的指示用于执行所述窄IoT通信的操作模式的两比特模式指示字段; 基于包括在系统信息中的窄带IoT通信的参数发送控制信道和数据信道，其中操作模式包括独立模式，保护带模式，带内模式，其中， 蜂窝系统和窄带IoT通信使用相同的小区ID，以及蜂窝系统和窄带IoT通信使用不同的小区ID的带内模式。
-
公开(公告)号：KR1020160029503A
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：KR1020140119136
申请日：2014-09-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B7/04
CPC classification number: H04B7/0421 , H04B7/0408 , H04B7/0413 , H04B7/0456 , H04B7/0617 , H04B7/0619 , H04B7/0626 , H04B7/0639 , H04B7/084 , H04L5/0048 , H04B7/0417
Abstract: 본발명은, 빔포밍시스템에서채널정보의피드백을위한송신기의방법에있어서, 수신기와의채널관련정보를이용하여, 상기수신기가상기수신기와의유효채널에대한이득정보를피드백할지 여부를결정하는과정과, 상기이득정보의피드백여부를지시하는피드백모드를상기수신기에게통보하는과정과, 상기수신기로부터상기피드백모드를기반으로구성된피드백정보를수신하면, 상기피드백정보를기반으로상기유효채널을재구성한후, 재구성된유효채널을통해서신호를송신하는과정을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于在波束形成系统中反馈信道信息的发射机的方法，其包括以下步骤：通过使用信道相关信息来确定接收机是否与接收机反馈关于有效信道的增益信息 接收器; 通知用于向所述接收机指示所述增益信息的反馈的反馈模式; 并且当从接收器接收到基于反馈模式构成的反馈信息时，基于反馈信息重建有效信道并通过重构的有效信道发送信号。
-
公开(公告)号：KR1020150128525A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：KR1020140153553
申请日：2014-11-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W72/1289 , H04W8/005 , H04W72/042 , H04W76/14 , H04W88/02 , H04W88/08
Abstract: 본개시는셀룰러통신시스템에서 D2D 통신하는커버리지내단말의자원할당방법에있어서, 기지국으로부터 PDCCH를통해 D2D 그랜트를수신하는동작; 및상기 D2D 그랜트에근거하여 D2D 프레임의 SA(scheduling assignment) 영역에서 SA 신호와데이터영역에서데이터를송신하는동작을포함하되, 상기스캐줄링그랜트는암시적, 명시적또는반명시적으로데이터전송을위한자원의자원패턴을지시함을특징으로하는방법을제안한다.
Abstract translation: 本公开涉及一种用于分配在蜂窝通信系统中通信的覆盖范围内终端设备到设备（D2D）的资源的方法，其包括以下操作：通过物理下行链路控制信道（PDCCH）接收D2D许可 ）从基站 以及在SA区域中发送调度分配（SA）信号以及基于所述D2D授权在D2D帧的数据区域中的数据。 调度授权建议一种用于隐式，明确或半显式地指示用于数据传输的资源的资源模式的方法。
-
公开(公告)号：KR1020150128397A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：KR1020140055737
申请日：2014-05-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04W56/00
CPC classification number: H04W56/001 , H04W52/242 , H04W52/383 , H04W72/0413
Abstract: 본발명은단말간 통신을위한동기신호전송방법및 장치를제공한다. 본발명에따르면, 제1 단말이제2 단말로부터 D2D 동기신호(D2DSS)와상기 D2DSS에대응하는물리 D2D 동기채널(PD2DSCH)을수신하고, 상기제1 단말이상기 D2DSS 또는상기 PD2DSCH를성공적으로수신하였음을알리기위해상기제2 단말과미리약속된방법에따라상기제2 단말로 D2DSS를전송한다.
Abstract translation: 本发明提供一种用于发送用于设备到设备（D2D）通信的同步信号的方法和装置。 根据本发明，第一终端从第二终端接收D2D同步信号（D2DSS）和对应于D2DSS的物理D2D同步信道（PD2DSCH），第一终端根据第一终端向D2SS发送D2DSS 方法与第二终端预先布置，以通知第一终端成功接收到D2DSS或PD2DSCH。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100572329B1
公开(公告)日：2006-04-18
申请号：KR1020040071389
申请日：2004-09-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/26586 , H01L21/28273 , H01L21/76202 , H01L21/76235 , H01L27/115
Abstract: 신뢰성을 향상시킬 수 있는 소자 분리막을 구비하는 반도체 소자의 형성 방법을 제공한다. 이 방법에 따르면, 반도체 기판 상에 패드산화막 및 마스크막을 적층한다. 상기 마스크막 및 상기 패드 산화막을 패터닝하여 상기 반도체 기판 상에 차례로 적층된 패드산화막 패턴 및 마스크 패턴을 형성하고 상기 반도체 기판을 노출시킨다. 상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 노출된 반도체 기판을 패터닝하여 트렌치를 형성한다. 상기 트렌치 상단부에서 상기 패드 산화막 패턴의 단부와 접하는 상기 반도체 기판의 모서리 부분을 일부 제거하여 완만한 포셋(facet) 영역을 형성한다. 상기 포셋 영역의 상기 반도체 기판에 이온 주입 공정을 진행하여 결함을 형성한다. 산화 공정을 진행하여 상기 포셋 영역에 산화막을 두껍게 형성한다. 그리고, 소자분리 물질로 상기 트렌치를 채운다.
소자 분리막-
公开(公告)号：KR1020040068441A
公开(公告)日：2004-07-31
申请号：KR1020030005079
申请日：2003-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정철
IPC: G11B33/12
Abstract: PURPOSE: A combination system is provided to install a main board having a microcomputer and a decoder in a lower part of a VCR deck, so that the VCR deck can absorb an EMI(Electromagnetic Interference) generated by the microcomputer and the decoder, thereby reducing the EMI by transmitting the absorbed EMI to the main board. CONSTITUTION: A DVD deck(20) is installed inside a housing(10). A VCR deck(30) is installed inside the housing(10). A main board(40) is installed under the VCR deck(30). A ground portion(50) connects the main board(40) with the VCR deck(30). The main board(40) controls a driving of the DVD deck(20). The main board(40) is connected to the DVD deck(20) through a cable. A microcomputer and a decoder are installed on the main board(40).
Abstract translation: 目的：提供一种组合系统，用于在VCR甲板的下部安装具有微型计算机和解码器的主板，使得VCR卡座可以吸收由微型计算机和解码器产生的EMI（电磁干扰），从而减少 通过将吸收的EMI发送到主板来进行EMI。 构成：一个DVD机架（20）安装在一个外壳（10）内。 VCR甲板（30）安装在壳体（10）的内部。 主板（40）安装在VCR板（30）的下面。 接地部分（50）将主板（40）与VCR板（30）连接。 主板（40）控制DVD板（20）的驱动。 主板（40）通过电缆连接到DVD机盖（20）。 微型计算机和解码器安装在主板（40）上。
-
公开(公告)号：KR1020020075532A
公开(公告)日：2002-10-05
申请号：KR1020010015561
申请日：2001-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정철
IPC: H01L21/82
Abstract: PURPOSE: A semiconductor having a fuse box using a dummy polysilicon layer and a method for fabricating the same are provided to prevent a shifting phenomenon of a via contact by forming a plate poly dummy pattern outside a fuse box guide ring. CONSTITUTION: A fuse layer is formed on a predetermined region according to a constant pattern by using a bit line polysilicon. A BPSG(Boron Phosphorous Silicate Glass) layer is formed on the fuse layer region and the remaining region except for the fuse layer region. A plate poly layer(4) having a constant pattern is formed on an upper surface of the BPSG layer. A BPSG layer is formed on an upper region of the plate poly layer(4). The first metal pattern having a constant pattern is formed on a lower portion of an upper surface of the BPSG layer. An IMD(Inter Metal Dielectric) layer(7) is formed on the BPSG layer including the first metal wiring. The second metal pattern is formed thereon.
Abstract translation: 目的：提供一种具有使用虚设多晶硅层的保险丝盒的半导体及其制造方法，以通过在保险丝盒导向环外部形成板状多模式图案来防止通孔接触的移动现象。 构成：通过使用位线多晶硅，根据恒定图案在预定区域上形成熔丝层。 熔丝层区域和保险丝层区域以外的剩余区域形成BPSG（硼硅酸盐玻璃）层。 在BPSG层的上表面上形成具有恒定图案的板状多层（4）。 在平板多层（4）的上部区域上形成有BPSG层。 具有恒定图案的第一金属图案形成在BPSG层的上表面的下部。 在包括第一金属布线的BPSG层上形成IMD（金属间介质）层（7）。 第二金属图案形成在其上。
-
公开(公告)号：KR100273704B1
公开(公告)日：2000-12-15
申请号：KR1019970071365
申请日：1997-12-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/08
CPC classification number: H01L21/302 , H01L21/28123
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor substrate is provided to prevent a bending phenomenon of a wafer by removing a material layer formed on a lower surface of a wafer. CONSTITUTION: A gate dielectric layer is formed on a wafer(10). The first material layer(20) is formed on the gate dielectric layer and a lower surface of the wafer(10). The second material layer(30) is formed on the first material layer(20) of the gate dielectric layer. The first material layer(20) formed on the lower surface of the wafer(10) is etched by using the second material layer(30) as an etching mask. The second material layer(30) is removed. A multitude of transistor gate electrode is formed by patterning the first material layer(20).
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体衬底的方法，以通过去除形成在晶片的下表面上的材料层来防止晶片的弯曲现象。 构成：在晶片（10）上形成栅介质层。 第一材料层（20）形成在栅极电介质层和晶片（10）的下表面上。 第二材料层（30）形成在栅介质层的第一材料层（20）上。 通过使用第二材料层（30）作为蚀刻掩模来蚀刻形成在晶片（10）的下表面上的第一材料层（20）。 去除第二材料层（30）。 通过图案化第一材料层（20）形成多个晶体管栅电极。
-
公开(公告)号：KR1019990075145A
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019980009194
申请日：1998-03-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 미세한 선 폭을 갖는 배선 형성을 위한 반도체 장치의 배선 형성방법에 관한 것이다.
본 발명의 반도체 장치의 배선 형성방법은 반도체 기판 상에 제 1 절연층을 형성하고 제 1 절연층 상에 배선이 형성될 영역 이외의 부분에만 제 2 절연층이 남아 있도록 제 2 절연층을 패터닝하는 단계, 패터닝된 제 2 절연층 및 제 1 절연층 상에 제 3 절연층을 형성하는 단계, 제 3 절연층을 전면 식각하여 패터닝한 제 2 절연층 측면에 측벽을 형성하는 단계, 패터닝한 제 2 절연층, 측벽 및 제 1 절연층 상에 도전층을 형성하는 단계 및 도전층을 전면 식각하여 측벽 사이에만 도전층으로 이루어진 배선을 형성하는 단계로 구성된다.
본 발명의 반도체 장치의 배선 형성방법은 절연층 측면에 형성된 측벽을 이용하여 배선을 형성하므로써 사진공정의 한계를 극복할 수 있고, 측벽의 두께를 조절하여 미세한 선 폭을 갖는 배선을 형성할 수 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
99
records
(took 0.029 seconds)
