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公开(公告)号：KR1020030073404A
公开(公告)日：2003-09-19
申请号：KR1020020012955
申请日：2002-03-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정훈
IPC: H01L27/108
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device with a capacitor is provided to prevent a bridge caused by upper sidewalls of adjacent storage nodes by making the width of the upper sidewalls of cylindrical storage nodes smaller than that of the lower sidewalls of the storage nodes. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(101) is prepared. A lower storage node(107a) is formed on a predetermined region of the semiconductor substrate. A cylindrical sidewall storage node(110b) extends toward the upper portion of the lower storage node, contacting the edge of the lower storage node. The lower storage node and the sidewall storage node constitutes a storage node(130a) wherein the sidewall storage node has a slanting profile in which the upper diameter of the sidewall storage node is smaller than that of the lower diameter of the sidewall storage node.
Abstract translation: 目的：提供具有电容器的半导体器件，以通过使圆柱形存储节点的上侧壁的宽度小于存储节点的下侧壁的宽度来防止由相邻存储节点的上侧壁引起的桥。 构成：制备半导体衬底（101）。 下部存储节点（107a）形成在半导体衬底的预定区域上。 圆筒形侧壁存储节点（110b）朝着下部存储节点的上部延伸，接触下部存储节点的边缘。 下存储节点和侧壁存储节点构成存储节点（130a），其中侧壁存储节点具有倾斜轮廓，其中侧壁存储节点的上直径小于侧壁存储节点的较低直径的上直径。
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公开(公告)号：KR1020030024213A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：KR1020010057264
申请日：2001-09-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정훈
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device using self-alignment and a method for fabricating the same are provided to obtain an alignment margin by forming a spacer on an upper end of a contact hole and forming a bit line prior to an interlayer dielectric. CONSTITUTION: The second contact hole and the third contact hole are formed on an interlayer dielectric(106) of a semiconductor substrate(100). The second contact hole is connected with a gate electrode pattern(102) having a spacer(104). The third contact hole is connected with the semiconductor substrate(100). The second contact hole is connected with the gate electrode pattern(102) through a silicide layer(103). A liner(120) is formed with a silicon nitride layer. The liner(120) is used for preventing the increase a size of a contact and protecting the contact. A bit line(132) including a conductive layer pattern(126), a metal silicide pattern(128), and a silicon nitride layer pattern(130) is formed by using a photoresist pattern as an etch mask.
Abstract translation: 目的：提供使用自对准的半导体器件及其制造方法，以通过在接触孔的上端形成间隔物并在层间电介质之前形成位线来获得取向裕度。 构成：第二接触孔和第三接触孔形成在半导体衬底（100）的层间电介质（106）上。 第二接触孔与具有间隔物（104）的栅电极图案（102）连接。 第三接触孔与半导体衬底（100）连接。 第二接触孔通过硅化物层（103）与栅电极图案（102）连接。 衬垫（120）形成有氮化硅层。 衬套（120）用于防止接触的尺寸增加并保护接触。 通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，形成包括导电层图案（126），金属硅化物图案（128）和氮化硅层图案（130）的位线（132）。
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公开(公告)号：KR200200685Y1
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：KR2019980012156
申请日：1998-07-03
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정훈
IPC: F25D25/02
Abstract: 본 고안은 냉장고에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 저장물 가운데 구(球)형 저장물의 보관이 용이하도록 곡면지지부가 형성된 선반에 관한 것이다.
본 고안에 따른 냉장고의 선반은 선반의 일부가 방사상으로 절개되어 내곡면을 형성하는 곡면지지부가 마련되고, 이 곡면지지부가 형성된 하측에는 횡방향으로 미끄럼운동 가능하게 설치되어 곡면지지부의 하측을 지지하거나, 지지를 해지하는 지지판이 마련되었다. 따라서, 평상시에는 곡면지지부가 지지판에 의해 지지되어 평면 상태를 유지하게 되고, 지지판의 지지가 해지될 때에는 내곡면을 형성하게 되어, 일반 저장물뿐만 아니라 수박이나 메론처럼 둥글고 부피가 큰 저장물의 저장이 용이한 이점이 있다.-
公开(公告)号：KR2019990035639U
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：KR2019980001257
申请日：1998-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정훈
IPC: F25D25/00
Abstract: 본 고안은 냉장고의 특선실에 관한 것으로서, 본 고안의 목적은 특선실 내부의 냉기가 누출되는 것을 방지하고, 특선실 선반을 넣고 꺼냄에 따라 발생되는 소음을 제거하며, 커버가 닫히면서 선반과 부딪치는 충격력을 감소시킬 수 있는 냉장고의 특선실을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 실현하기 위한 본 고안의 구성은 전면을 제외한 양측 및 뒤측의 둘레에 걸쳐 상향 연장된 지지단을 갖는 선반과, 상기 선반이 안착되어 왕복 이동 가능하도록 본체의 내벽에 돌출된 가이드레일과, 상기 선반의 개구부를 개폐하도록 상기 본체의 내벽에 힌지결합된 커버를 포함하는 냉장고의 특선실에 있어서, 상기 가이드레일은 소정의 간격을 유지하도록 상부레일과 하부레일로 구성되고, 상기 선반의 지지단 양측 외부면에는 상기 상부레일과 하부레일의 사이에 삽입되어 왕복 가능하도록 가드턱이 돌출된 것을 특징으로 한다.
상기와 같이 구성된 본 고안에 의하면 선반에 두 개의 캐스터를 설치하여 가이드레일의 상면과 하면에 지지되게 함으로써 선반이 상하로 유동되는 것을 방지한다는 효과가 있다. 또한 본 고안은 선반의 양측에 돌출된 가드턱에 완충재를 부착하여 선반이 좌우 상하로 유동되는 것을 방지함으로써 선반을 넣고 꺼낼 때에 소음이 발생되지 않는다는 효과가 있다.-
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR102198857B1
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：KR1020140009166
申请日：2014-01-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28 , H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 본발명의기술적사상은반도체소자및 반도체소자의제조방법에관한것이다. 복수의도전라인중 이웃하는도전라인사이에형성되는콘택플러그의단면적을증가시켜랜딩패드와의도전성을향상시키고, 랜딩패드의넥 현상을방지하기위하여, 활성영역을가지는기판; 상기활성영역에연결되는콘택플러그; 상기콘택플러그의상면에접하도록형성되는랜딩패드스페이서; 상기콘택플러그의상면에접하고, 상기랜딩패드스페이서로한정되는공간에형성되는콘택도전층; 상기콘택도전층상에형성되는금속실리사이드막; 상기금속실리사이드막을사이에두고상기콘택도전층과연결되는랜딩패드를포함하는반도체소자를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020150088635A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：KR1020140009166
申请日：2014-01-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10885 , H01L27/10855 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본발명의기술적사상은반도체소자및 반도체소자의제조방법에관한것이다. 복수의도전라인중 이웃하는도전라인사이에형성되는콘택플러그의단면적을증가시켜랜딩패드와의도전성을향상시키고, 랜딩패드의넥 현상을방지하기위하여, 활성영역을가지는기판; 상기활성영역에연결되는콘택플러그; 상기콘택플러그의상면에접하도록형성되는랜딩패드스페이서; 상기콘택플러그의상면에접하고, 상기랜딩패드스페이서로한정되는공간에형성되는콘택도전층; 상기콘택도전층상에형성되는금속실리사이드막; 상기금속실리사이드막을사이에두고상기콘택도전층과연결되는랜딩패드를포함하는반도체소자를제공한다.
Abstract translation: 本发明的技术思想涉及一种半导体器件及其制造方法。 为了防止着陆垫的颈部现象，并且通过增加形成在多根导线之间的相邻导线之间的接触插塞的横截面来改善着陆垫的导电性，所述半导体器件包括： 包括活跃区域; 连接到活动区域的接触插塞; 形成为与接触插塞的上侧接触的着陆垫间隔件; 接触导电层，其与所述接触插塞的上侧接触并形成在由所述着陆垫间隔件限定的空间中; 形成在所述接触导电层上的金属硅化物膜; 以及通过插入金属硅化物膜而与接触导电层连接的着陆焊盘。
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公开(公告)号：KR1020140143930A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：KR1020130065699
申请日：2013-06-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/88 , H01L21/764 , H01L27/10808 , H01L27/10811 , H01L27/10852 , H01L27/10894 , H01L28/90
Abstract: 커패시터를 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법에서, 상기 반도체 소자는, 기판 상에 구비되고, 제1 하부 전극, 제1 유전막 및 제1 상부 전극을 포함하는 제1 커패시터 구조물을 포함한다. 상기 기판 상에서 상기 제1 커패시터와 이웃하게 배치되고, 제2 하부 전극, 제2 유전막 및 제2 상부 전극을 포함하는 제2 커패시터 구조물을 포함한다. 상기 제1 및 제2 커패시터 구조물 사이 부위의 상부에는 에어갭이 생성되고 상기 제1 및 제2 커패시터 구조물의 하부를 지지하도록, 상기 제1 및 제2 커패시터 구조물 사이 부위의 적어도 일부를 채우는 절연 패턴을 포함한다. 상기 반도체 소자에 포함된 커패시터는 누설 전류가 감소되고 기울어지거나 쓰러지는 불량이 감소된다.
Abstract translation: 在包括电容器的半导体器件及其制造方法中，半导体器件包括：第一电容器结构，其包括形成在衬底上的第一下电极，第一电介质层和第一上电极。 半导体器件包括与衬底上的第一电容器相邻的第二电容器结构，并且包括第二下电极，第二电介质层和第二上电极。 在第一和第二电容器结构之间的部分的上部产生气隙。 绝缘图案填充在第一和第二电容器结构之间的部分的至少一部分中，以支撑第一和第二电容器结构的下部。 包括在半导体器件中的电容器减少了泄漏电流和诸如倾斜或塌陷的缺陷。
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公开(公告)号：KR1020110096803A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020100016267
申请日：2010-02-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정훈
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L27/1021 , H01L27/24 , H01L27/2463 , H01L27/2436
Abstract: 반도체소자, 그 제조방법들 및 전자 시스템을 제공한다. 이 반도체 소자의 제조방법은 반도체 기판 내에 웰 불순물 영역, 하부 불순물 영역 및 상부 불순물 영역을 형성하는 것을 포함한다. 상기 하부 불순물 영역은 상기 웰 불순물 영역과 다른 도전형을 갖고, 상기 상부 불순물 영역은 상기 하부 불순물 영역과 다른 도전형을 갖고, 상기 상부 불순물 영역은 상기 웰 불순물 영역과 같은 도전형이면서 상기 웰 불순물 영역보다 높은 불순물 농도를 갖는다. 상기 반도체 기판을 식각하여 하부 반도체 패턴들 및 상기 하부 반도체 패턴들의 소정 영역들로부터 상부로 돌출된 상부 반도체 패턴들을 형성한다. 상기 상부 반도체 패턴들은 상기 하부 반도체 패턴들의 서로 마주보는 측벽들과 수직 정렬되면서 서로 마주보는 측벽들을 갖고, 상기 하부 반도체 패턴들 사이의 공간은 상기 하부 불순물 영역보다 낮은 레벨에 위치하는 바닥면을 갖는다. 상기 상부 반도체 패턴들 사이에 위치하는 상기 하부 반도체 패턴들의 상부면은 상기 상부 불순물 영역보다 낮은 레벨에 위치하면서 상기 하부 불순물 영역의 하부면 보다 높은 레벨에 위치한다. 상기 하부 반도체 패턴들 사이 및 상기 상부 반도체 패턴들 사이를 채우는 소자분리 막을 형성한다.
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