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公开(公告)号：KR102204387B1
公开(公告)日：2021-01-18
申请号：KR1020140182320
申请日：2014-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
Abstract: 기판내에제1, 제2, 및제3 액티브영역들을정의하는제1 및제2 소자분리영역, 상기제1 액티브영역은상기제2 및제3 액티브영역들사이에위치하고, 상기제1 소자분리영역은상기제1 및제2 액티브영역들사이에위치하고, 및상기제2 소자분리영역은상기제1 및제3 액티브영역들사이에위치하고, 상기제1 액티브영역의상면및 상기제1 및제2 소자분리영역의상면들을노출하는리세스영역및 상기제2 및제3 액티브영역들상의액티브버퍼패턴들을포함하고, 상기제2 및제3 액티브영역들의상부측벽들은상기리세스영역내에노출되는반도체소자가설명된다.
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公开(公告)号：KR102094477B1
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：KR1020130121502
申请日：2013-10-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L21/8242
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公开(公告)号：KR102086774B1
公开(公告)日：2020-03-09
申请号：KR1020140022884
申请日：2014-02-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김대익
IPC: H01L27/108 , H01L21/768
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101820022B1
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：KR1020100112260
申请日：2010-11-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/66
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L27/10876 , H01L29/1033 , H01L29/1087 , H01L29/66666 , H01L29/7831
Abstract: 본발명은수직채널트랜지스터를갖는반도체소자및 그제조방법에관한것으로, 기판으로부터수직신장되는복수개의수직채널들을형성하고, 상기복수개의수직채널들사이에서제1 방향으로신장되는복수개의비트라인들을형성하고, 상기복수개의수직채널들의제1 측면들상에배치되는복수개의게이트들을포함하며상기제1 방향과교차하는제2 방향으로신장되는복수개의워드라인들을형성하고, 그리고상기제1 측면들과반대되는상기복수개의수직채널들의제2 측면들상에배치되는복수개의도전체들과상기복수개의도전체들을연결하는연장선을포함하는도전체라인을형성하는것을포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明是多个其中形成多个垂直通道垂直高度，从基片的半导体装置和制造具有垂直沟道晶体管相同的方法，并且在第一方向上的多个垂直通道之间延伸的位线 形成沿第二方向延伸的多个字线，所述多个字线包括设置在所述多个垂直沟道的第一侧上并与所述第一方向相交的多个栅极， 并且形成整体线，该整体线包括布置在多个垂直通道的彼此相对的第二侧表面上的多个整体导体以及连接多个整体导体的延伸线。
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公开(公告)号：KR1020170076479A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020150186780
申请日：2015-12-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/768 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/0332 , H01L21/0338 , H01L21/3086 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/76816
Abstract: 패턴을형성하기위하여기판상의피쳐층위에복수의제1 라인패턴과복수의제1 스페이스매립패턴이하나씩교대로배치된제1 레벨패턴층을형성한다. 복수의제1 스페이스매립패턴중 일부를제거하여제1 레벨패턴층에서단속적또는연속적으로연장되는제2 방향패턴공간을형성한다. 제2 방향패턴공간을채우는제2 매립막을형성하여복수의제1 라인패턴과제2 매립막과의조합으로이루어지는망상구조패턴을형성한다. 망상구조패턴을식각마스크로이용하여피쳐층을식각하여복수의홀을가지는피쳐패턴을형성한다.
Abstract translation: 形成多个第一线图案和多个第一空间嵌入图案交替地布置在基板上的特征层上以形成图案的第一级图案层。 多个第一空间嵌入图案的一部分被去除以形成在第一级图案层中间断地或连续地延伸的第二方向图案空间。 填充第二方向图案空间的第二嵌入膜形成为与多个第一线图案投影2掩埋膜组合以形成网络结构图案。 使用网络结构图案作为蚀刻掩模蚀刻特征层以形成具有多个孔的特征图案。
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公开(公告)号：KR101732462B1
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020100112837
申请日：2010-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김대익
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L27/10876 , H01L29/4236 , H01L29/66666
Abstract: 수직채널트랜지스터를구비하는반도체장치및 그동작방법이제공된다. 이장치는, 서로교차하는제 1 트렌치들및 제 2 트렌치들에의해정의되는, 활성패턴들을구비하는기판그리고제 1 트렌치들에삽입되는게이트패턴들을포함한다. 활성패턴들각각은기판과다른도전형을가지면서수직하게이격된하부및 상부불순물영역들그리고기판과같은도전형을가지면서하부및 상부불순물영역들사이에개재되는채널영역을포함하고, 게이트패턴의하부면은하부불순물영역보다제 1 트렌치의바닥면에가깝다.
Abstract translation: 提供了具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其操作方法。 该器件包括具有由彼此相交的第一和第二沟槽限定的有源图案的基板以及嵌入第一沟槽中的栅极图案。 活动模式分别与基板和另一个之间的沟道区中也有同时具有典型下部和上部的杂质区域，并且还例如衬底，同时具有典型下部和上部的杂质区域垂直间隔开，栅极图案 比底部杂质区更接近第一沟槽的底部表面。
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公开(公告)号：KR101723864B1
公开(公告)日：2017-04-07
申请号：KR1020100098120
申请日：2010-10-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/10844 , H01L27/108 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10876 , H01L29/66666 , H01L29/7827 , H01L29/94
Abstract: 수직채널트랜지스터를구비하는반도체장치및 그제조방법이제공된다. 이장치는기판상에형성되는활성패턴들및 활성패턴들의사이에배치되는우회패턴을포함한다. 이때, 활성패턴은기판과다른도전형의불순물영역들사이에개재되는채널영역을포함하고, 우회패턴은채널영역과기판을전기적으로연결한다.
Abstract translation: 提供了一种包括垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法。 该器件包括形成在衬底上的有源图案和布置在有源图案之间的旁路图案。 此时，有源图案包括介于导电杂质区域和衬底之间的沟道区域，并且旁路图案将沟道区域和衬底电连接。
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