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公开(公告)号：KR1020150093471A
公开(公告)日：2015-08-18
申请号：KR1020140014294
申请日：2014-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/28 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/76897 , G11C5/063 , H01L21/768 , H01L21/76895 , H01L23/528 , H01L27/1052 , H01L27/10814 , H01L27/10885
Abstract: Provided is a semiconductor device. The semiconductor device includes a semiconductor substrate; a bit line structure which includes a first upper surface which is located on the semiconductor substrate and is closed to a first side and a second upper surface which is closed to the second side facing the first side; and a storage contact plug which is located on the first side of the bit line structure and covers the first upper side of the bit line structure. The level of the first upper surface of the bit line structure becomes lower as getting close to the first side of the bit line structure.
Abstract translation: 提供一种半导体器件。 半导体器件包括半导体衬底; 位线结构，其包括位于所述半导体基板上并且与第一侧相对的第一上表面和与所述第一侧相对的所述第二侧闭合的第二上表面; 以及位于位线结构的第一侧并覆盖位线结构的第一上侧的存储接触插塞。 位线结构的第一上表面的电平随着接近位线结构的第一侧而变低。
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公开(公告)号：KR100603929B1
公开(公告)日：2006-07-24
申请号：KR1020020011277
申请日：2002-03-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 실린더형 커패시터 및 그 제조방법을 제공한다. 이 커패시터는 반도체기판 상에 적층된 실린더형 스토리지 노드를 구비한다. 상기 실린더형 스토리지 노드는 기저부 및 상기 기저부 상에 위치하는 계단형 측벽을 갖는다. 상기 계단형 측벽은 차례로 적층된 적어도 2개의 부 측벽들 및 상기 부 측벽들중 하부 측벽을 상부 측벽에 연결시키는 적어도 하나의 연결부를 갖는다. 상기 각 부 측벽들의 상부 직경은 그 하부 직경보다 넓다. 또한, 상기 하부 측벽의 상부직경은 상기 하부 측벽 상에 적층된 상기 상부 측벽의 하부직경보다 넓다. 상기 실린더형 커패시터를 제조하는 방법은 반도체기판 상에 복수개의 주형층들을 차례로 형성하는 것을 포함한다. 상기 복수개의 주형층들중 하부 주형층의 식각률은 상기 하부 주형층 상의 상부 주형층의 식각률보다 빠르다. 상기 복수개의 주형층들을 패터닝하여 상기 반도체기판의 일 부분을 노출시키는 예비 스토리지 노드 홀을 형성한다. 상기 패터닝된 주형층들을 등방성 식각하여 스토리지 노드 홀을 형성한다. 이에 따라, 상기 스토리지 노드 홀은 계단형 측벽 프로파일을 갖는다. 이어서, 상기 결과물 상에 콘포말한 도전층을 형성하고 상기 주형층들의 상부면이 노출될 때까지 상기 도전층을 평탄화시킨다.
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公开(公告)号：KR1020000000859A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980020759
申请日：1998-06-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정훈
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A forming method of contact holes is provided to prevent a degradation of junction property by removing an anti-reflection layer without damage of an active silicon layer. CONSTITUTION: The contact hole forming method comprises the steps of forming an anti-reflection coating(ARC) layer(190) on an interlayer dielectric(180) formed on a semiconductor substrate(105) or a conductive layer(114); forming contact holes(150,160); coating a photoresist on the resultant structure filled into the contact holes; removing the photoresist and the ARC layer(190) to expose the portion of the interlayer dielectric(180); and removing the photoresist pattern buried into the contact holes(150,160).
Abstract translation: 目的：提供接触孔的形成方法，以通过去除抗反射层而不损坏活性硅层来防止接合性能的劣化。 构成：接触孔形成方法包括在形成在半导体衬底（105）或导电层（114）上的层间电介质（180）上形成抗反射涂层（ARC）层（190）的步骤。 形成接触孔（150,160）; 在填充到接触孔中的所得结构上涂覆光致抗蚀剂; 去除所述光致抗蚀剂和所述ARC层（190）以暴露所述层间电介质（180）的所述部分; 以及去除掩埋在接触孔（150,160）中的光致抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：KR100218925B1
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：KR1019970017137
申请日：1997-05-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F25D23/00
Abstract: 본 발명은, 냉장실을 형성하는 본체와, 상기 본체내벽에 전후방향을 따라 형성되는 안내레일과, 전후 슬라이딩 출입가능하도록 상기 안내레일에 접촉지지되어 저장물을 수용하는 저장용기를 갖는 냉장고에 관한 것으로서, 상기 안내레일의 접촉연부를 따라 소정 길이구간에 걸쳐 형성되는 랙치형부와; 상기 랙치형부에 맞물려 상대운동가능하도록 상기 저장용기의 접촉연부에 설치되는 피니언을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 특선저장부도어의 급격한 폐쇄회동을 방지하여 충격소음 및 충돌에 기인된 특선저장부도어와 저장용기의 손상을 억제시킬 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990027084A
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019970049456
申请日：1997-09-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정훈
IPC: F25D25/00
Abstract: 본 발명은 커버가 닫힐 때 선반과 부딪힘에 따라 발생되는 충격을 감소시키고, 아울러 이에 따라 발생되는 소음을 감소시키도록 한 냉장고의 특선실 커버에 관한 것으로, 본 발명의 구성은 가이드레일이 형성된 냉장실 내벽과, 상기 가이드레일에 슬라이딩 가능하도록 설치된 선반과, 상기 선반의 양측에 연장된 지지단의 곡률반경에 따라 회동되도록 상기 냉장실의 내벽에 힌지결합된 커버를 포함하는 냉장고의 특선실에 있어서, 상기 커버(20)의 힌지핀(22)에는 스프링(30)이 개재되어 본체 내벽에 결합된 것을 특징으로 한다.
이에 따른 본 발명에 의하면, 특선실을 개폐하는 커버에 스프링이 결합되어 있으므로, 스프링의 탄성에 의해 커버가 천천히 회동되어 닫히기 때문에 커버가 닫힐 때 충격이 없으며, 아울러 소음도 발생되지 않는다는 이점이 있다.-
公开(公告)号：KR2019980060559U
公开(公告)日：1998-11-05
申请号：KR2019970004644
申请日：1997-03-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F25C1/24
Abstract: 본 고안은 냉장고용 아이스 트레이의 배면부에 형성한 보강리브를 형상을 개선하여 아이스 트레이의 수명을 연장시키는 것으로서,
일정한 두께와 폭을 가지고 소정의 강성을 제공하는 바디와; 상기 바디에서 하부가 좁아지며 일체로 함몰되어, 상부만 개방되는 셀벽에 의해 소정 크기의 공간을 형성하는 다수의 아이스 셀과; 상기 아이스 셀에 얼려진 얼음을 인출시킬 때 상기 바디와 아이스 셀에 발생하는 파손 정도를 줄이기 위하여, 상기 바디와 아이스 셀의 셀벽에 형성한 보강리브를 구비한 냉장고용 아이스 트레이에 있어서,
상기 보강리브는 아이스 셀의 배면부와 상기 아이스 셀과 인접한 아이스 셀의 배면부에서 상기 바디의 배면부까지 연장 형성된 것을 특징으로 하는 냉장고용 아이스 트레이를 제공한다.-
公开(公告)号：KR102053353B1
公开(公告)日：2019-12-09
申请号：KR1020130079029
申请日：2013-07-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8234 , H01L21/28 , H01L21/768
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公开(公告)号：KR1020150005817A
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：KR1020130079029
申请日：2013-07-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L21/764
CPC classification number: H01L27/10855 , H01L21/28132 , H01L21/76838 , H01L21/76897 , H01L21/823468
Abstract: 반도체 소자는, 복수의 활성 영역을 가지는 기판과, 상기 복수의 활성 영역 위에 형성되고 제1 측벽 및 제2 측벽을 가지는 도전 패턴과, 상기 복수의 활성 영역 위에서 제1 에어 스페이서(air spacer)를 사이에 두고 상기 도전 패턴의 제1 측벽에 대면하고 제1 방향으로 연장되는 제1 도전 라인, 및 상기 복수의 활성 영역 위에서 제2 에어 스페이서를 사이에 두고 상기 도전 패턴의 제2 측벽에 대면하고 상기 제1 방향으로 연장되는 제2 도전 라인을 포함하고, 상기 제1 에어 스페이서 내에서는 상기 제1 도전 라인이 노출된다.
Abstract translation: 半导体器件包括：衬底，其包括多个有源区; 形成在有源区上并包括第一侧壁和第二侧壁的导电图案; 第一导电线，其通过在所述有源区上插入第一空气隔离物并且沿第一方向延伸而面对所述导电图案的所述第一侧壁; 以及第二导线，其通过在所述有源区上插入第二空气隔离物并沿所述第一方向延伸而面向所述导电图案的所述第二侧壁。 第一导电线暴露在第一空气间隔件中。
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公开(公告)号：KR1020100082505A
公开(公告)日：2010-07-19
申请号：KR1020090001838
申请日：2009-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L29/7841
Abstract: 반도체메모리소자및 그제조방법에서, 상기반도체메모리소자는기판상부면전체를덮는매립절연막이구비된다. 상기매립절연막상에, 2개의돌출부를포함하고, 상기돌출부들사이에는요부가생성되고, 데이터가저장되기위한플로팅바디로제공되는액티브패턴이구비된다. 상기액티브패턴의돌출부상부면에불순물이도핑된제1 및제2 불순물영역이구비된다. 상기액티브패턴의외측벽표면에게이트절연막이구비된다. 상기게이트절연막상에는상기액티브패턴의외측벽을둘러싸면서상기요부내부를부분적으로채우는형상을갖고, 상기액티브패턴의제1 및제2 불순물영역의저면보다낮은상부면을갖는게이트전극을포함한다. 상기반도체메모리소자는게이트전극의조절능력이우수하고, 데이터보유특성이양호하다.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体存储器件及其制造方法，通过用一个晶体管形成单元单元来高集成半导体存储器件。 构成：嵌入绝缘层（12）覆盖基板（10）的整个上表面。 活动图案包括两个突起（16a）。 在突起之间产生凹部。 第一和第二掺杂剂区域（20a，20b）形成在活性图案的突起的上侧。 在活性图案的外侧壁的表面上形成栅极绝缘层。 栅电极（24）形成在栅极绝缘层上。
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