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公开(公告)号：KR1020110118934A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：KR1020100038338
申请日：2010-04-26
IPC: G01S5/16 , G01B11/14 , G01B11/02 , A63F13/219
CPC classification number: G01S5/163 , A63F13/219 , G01B11/026 , G01B11/14
Abstract: PURPOSE: A position and orientation estimating system and method using infrared ray are provided to simultaneously estimate the position and orientation of an object using the attenuation characteristics of light receiving and transmitting signals according to the orientation of an infrared signal. CONSTITUTION: A position and orientation estimating system using infrared ray comprises a light transmitting device(320) comprising a light emitting unit, a light receiving device(330) comprising a light receiving unit, a remote device(310) comprising the light transmitting device or the light receiving device, and an estimating device(340) which measures the intensity of irradiated light and estimates the position and orientation of the remote device using the intensity and the light receiving and transmitting characteristics varying according to the distance of the irradiated light.
Abstract translation: 目的：提供使用红外线的位置和姿态估计系统和方法，以根据红外信号的方向，使用光接收和发射信号的衰减特性来同时估计对象的位置和姿态。 构成：使用红外线的位置和姿态估计系统包括包括发光单元的光发射装置（320），包括光接收单元的光接收装置（330），包括光发射装置的远程装置（310） 光接收装置和估计装置（340），其估计照射光的强度，并使用根据照射光的距离而变化的强度和光接收和发射特性来估计远程装置的位置和姿态。
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公开(公告)号：KR1020070042668A
公开(公告)日：2007-04-24
申请号：KR1020050098527
申请日：2005-10-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/45565 , C23C16/513
Abstract: 플라즈마를 이용하여 기판 상에 막을 형성하는 장치에 있어서, 공정 챔버 상부에는 반응 가스를 균일하게 제공하기 위한 샤워 헤드와 반응 가스를 플라즈마로 형성하기 위한 고주파 전극이 배치된다. 샤워 헤드는 제1 및 제2 가스 공급관들과 반응 가스 공급관을 통해 반응 가스 공급부와 연결되며, 제1 및 제2 가스 공급관들 사이에는 전기적 절연을 제공하기 위한 세라믹 재질의 절연 부재가 배치된다. 상기 공정 챔버 내부를 세정하기 위한 세정 가스 공급부는 세정 가스 공급관을 통해 제2 가스 공급관의 측면 부위에 연결되고, 상기 반응 가스 공급관은 상기 제2 가스 공급관의 상단부를 통해 상기 절연 부재를 향하여 연장하며, 반응 가스 공급관의 단부는 상기 세정 가스 공급관가 연결된 부위보다 상기 샤워 헤드에 더 인접하게 배치된다. 따라서, 공정 진행 중에 상기 반응 가스가 세정 가스 공급관으로 역류하는 현상이 억제될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060126166A
公开(公告)日：2006-12-07
申请号：KR1020050047870
申请日：2005-06-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C23C14/24
CPC classification number: H01L21/68735 , H01L21/68721
Abstract: A deposition equipment that reduces time required for cleaning the process chamber and minimizes deposition of a deposition gas or a reaction byproduct onto a fixing member for fixing a deposition prevention member caused by a vortex flow by smoothly flowing a fluid within the process chamber when proceeding a process or cleaning the inside of a process chamber is provided. A deposition equipment(1) comprises: a process chamber(100) to which an exhaust pipe(120) is connected; a holding member(200) disposed within the process chamber to hold a substrate; a process gas supply member(300) for supplying a process gas onto the substrate put on the holding member; a deposition prevention member(500) positioned on the edge of the substrate when proceeding a process to prevent the process gas from being supplied to the edge of the substrate put on the holding member; and a fixing member(600) disposed in a way that the fixing member surrounds the deposition prevention member to support the deposition prevention member, wherein the fixing member has a guiding face formed on an upper surface thereof in such a manner that height of the guiding face is increased as it goes from the inner side to the outer side of the guiding face so as to prevent generation of a vortex flow on the fixing member.
Abstract translation: 一种沉积设备，其减少清洁处理室所需的时间，并且最小化沉积气体或反应副产物沉积到固定构件上，用于通过在进行处理室期间平稳地流动处理室内的流体而由涡流流动而固定防沉积构件 提供处理室或清洁处理室的内部。 沉积设备（1）包括：处理室（100），排气管（120）连接到处理室; 设置在所述处理室内以保持基板的保持构件（200）; 用于将处理气体供给到放置在保持部件上的基板上的工艺气体供给部件（300） 当进行防止处理气体被供给到放置在保持构件上的基板的边缘的处理时，位于基板的边缘上的沉积防止构件（500） 以及固定构件（600），其以固定构件围绕防沉积构件以支撑防沉积构件的方式设置，其中所述固定构件具有形成在其上表面上的引导面，使得所述引导 面从引导面的内侧向外侧增加，以防止在固定构件上产生涡流。
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公开(公告)号：KR1020060076262A
公开(公告)日：2006-07-04
申请号：KR1020060053290
申请日：2006-06-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01L21/02271
Abstract: 상변화 메모리 제조 장치 및 이를 이용한 상변화 메모리 장치 제조 방법에 있어서, 화학 기상 증착 공정 또는 원자층 증착 공정을 이용하여 상변화 물질층을 형성할 때 한번에 여러 개의 기판에 대하여 공정을 진행할 수 있는 장치를 이용하여 상변화 물질층을 형성한다. 따라서 한번에 하나의 기판에 대하여 공정을 진행하는 매엽식 설비를 이용하여 수행됨으로 인하여 상변화 물질층의 제조에 요구되는 시간과 비용이 증대되는 단점을 개선할 수 있다. 이에 따라, 상변화 메모리 장치 제조 공정의 생산성이 현저히 증가한다.
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公开(公告)号：KR100365641B1
公开(公告)日：2002-12-26
申请号：KR1020000043961
申请日：2000-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 배선의 기생 용량을 줄일 수 있는 반도체 장치 및 그 형성방법에 관한 것으로, 그 형성방법은 기판에 무기 실리콘 산화막과 저유전율 유기 실리콘 산화막을 차례로 적층하는 단계, 패터닝 과정을 통해 상기 유기 실리콘 산화막에 상기 유기 실리콘 산화막 두께의 일부를 깊이로 하는 부분 트렌치를 형성하는 단계, 상기 부분 트렌치 내벽면에 대한 산소 처리를 하는 단계, 상기 부분 트렌치에 대한 불산 습식 식각을 실시하여 트렌치를 완성하는 단계를 구비하여 이루어진다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990042157A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970062879
申请日：1997-11-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 한재현
IPC: H01L27/06
Abstract: 본 발명은 배리어막의 산화를 최소화하는 고유전체 캐패시터의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 층간절연막을 형성한다. 상기 층간절연막을 식각 하여 콘택홀을 형성한 후, 이를 도전막으로 채워서 콘택 플러그를 형성한다. 상기 콘택 플러그 상에 배리어막 및 캐패시터 하부전극을 차례로 형성하고, 상기 배리어막의 양측벽을 F를 포함하는 케미컬에 의한 건식식각 또는 습식 케미컬을 사용한 습식식각 방법을 사용하여 선택적으로 식각 함으로써, 상기 캐패시터 하부전극에 대해 리세스된 배리어막을 형성한다. 상기 리세스된 배리어막의 양측벽에 절연막으로 스페이서를 형성한다. 이와 같은 반도체 장치의 제조 방법에 의해서, 배리어막을 선택적으로 식각 하여 캐패시터 하부전극에 대해 리세스된 배리어막을 형성 함으로써 배리어막의 산화를 최소화시킬 수 있고, 배리어막 스페이서 형성시 캐패시터 하부전극의 양측 면적의 손실을 방지할 수 있으며, 그 재현성을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR101908181B1
公开(公告)日：2018-10-15
申请号：KR1020160049246
申请日：2016-04-22
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 , 삼성전자주식회사
IPC: C09J7/20 , G02B5/20 , G02B5/30 , C09J133/08 , C09J133/10 , C09J11/06 , B32B7/12 , B32B27/36
Abstract: 두께가 10㎛내지 200㎛이고, 수산기함유 (메트)아크릴계공중합체를포함하고, 식 1의복원력변화량이 10% 이하인것인, 점착필름, 이를포함하는광학부재및 이를포함하는광학표시장치가제공된다.
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