公开(公告)号：KR1020080017124A

公开(公告)日：2008-02-26

申请号：KR1020060078535

申请日：2006-08-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정수 ,  허노현 ,  김명진 ,  황완구 ,  이현욱

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B25/14 ,  C30B29/32

Abstract: A method and an apparatus for evaporating a precursor, and a method for forming a dielectric layer using the method are provided to evaporate easily a precursor having low steam pressure by using an electrostatic spray method. An electrification process is performed to electrify a precursor of a liquid state(S330). A micro liquid droplet forming process is performed to form micro liquid droplets by spraying the electrified precursor(S340). An evaporation process is performed to evaporate solvent from the micro liquid droplets. The electrification process includes a process for applying an electric potential difference to the precursor of the liquid state. The evaporation process includes a process for transmitting the micro liquid droplets to a heating block. The evaporation process further includes a process for supplying high-temperature carrier gas to the micro liquid droplets.

Abstract translation: 提供一种用于蒸发前体的方法和装置，以及使用该方法形成介电层的方法，通过使用静电喷涂方法容易地蒸发具有低蒸汽压力的前体。 进行通电处理以使液态的前体通电（S330）。 进行微液滴形成处理，通过喷雾带电前驱体形成微液滴（S340）。 进行蒸发处理以从微液滴中蒸发溶剂。 带电过程包括将电位差施加到液态的前体的方法。 蒸发过程包括将微液滴传输到加热块的方法。 蒸发过程还包括向微液滴供应高温载气的方法。

公开(公告)号：KR1020080015169A

公开(公告)日：2008-02-19

申请号：KR1020060076526

申请日：2006-08-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재경 ,  이원순 ,  박영규 ,  허노현 ,  박용호

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32192

Abstract: A method and apparatus for ashing an object is provided to maintain the electrical reliability of a semiconductor device by removing a hardened photoresist pattern while not removing a polysilicon layer almost. A first reaction gas is converted into plasma(S230), and then the plasma is reacted with a second reaction gas to generate radicals(S250). An object is ashed using the radicals and the plasma(S260). The first reaction gas is converted into the plasma using a microwave, and the step of converting the first reaction gas into the plasma includes converting a nitrogen gas into nitrogen plasma. The second reaction gas includes at least one of a trifluoromethane gas, a chlorine gas, a nitrogen trifluoride gas and a hydrogen bromide gas.

Abstract translation: 提供了用于灰化物体的方法和装置，以通过去除硬化的光致抗蚀剂图案而保持半导体器件的电可靠性，同时几乎不去除多晶硅层。 将第一反应气体转化为等离子体（S230），然后使等离子体与第二反应气体反应以产生自由基（S250）。 使用自由基和等离子体对物体进行灰化（S260）。 使用微波将第一反应气体转化为等离子体，将第一反应气体转换成等离子体的步骤包括将氮气转化为氮气等离子体。 第二反应气体包括三氟甲烷气体，氯气，三氟化氮气体和溴化氢气体中的至少一种。

公开(公告)号：KR1020070080534A

公开(公告)日：2007-08-10

申请号：KR1020060032500

申请日：2006-04-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김일경 ,  이광명 ,  허노현 ,  황완구 ,  윤기영

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/67098

Abstract: A semiconductor device manufacturing apparatus is provided to measure exactly each inner portion of a chamber in a short time by preventing the influence of a chamber wall on a temperature measurement and reducing the deposition of byproducts using a temperature measuring unit spaced apart from the chamber wall. A semiconductor device manufacturing apparatus includes a chamber, a wafer loading unit, a heating unit and a temperature measuring unit. The chamber(200) supplies a predetermined space capable of performing a predetermined process on a wafer. The wafer loading unit(260) loads the wafer. The wafer loading unit is capable of moving between inner and outer portions of the chamber. The heating unit is installed at one side of a wall of the chamber. The temperature measuring unit(220) is installed at a portion between the chamber wall and the wafer loading unit. The temperature measuring unit is spaced apart from the chamber wall.

Abstract translation: 提供一种半导体器件制造装置，用于通过防止室壁对温度测量的影响并且使用与室壁间隔开的温度测量单元减少副产物的沉积，在短时间内精确地测量腔室的每个内部部分。 一种半导体器件制造装置，包括室，晶片加载单元，加热单元和温度测量单元。 室（200）提供能够在晶片上执行预定处理的预定空间。 晶片加载单元（260）装载晶片。 晶片装载单元能够在室的内部和外部之间移动。 加热单元安装在室壁的一侧。 温度测量单元（220）安装在室壁和晶片加载单元之间的部分。 温度测量单元与室壁间隔开。

公开(公告)号：KR100725108B1

公开(公告)日：2007-06-04

申请号：KR1020050097979

申请日：2005-10-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김우석 ,  한재현 ,  홍주표 ,  허노현

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45508 ,  C23C16/4558

Abstract: 가스 공급 장치 및 이를 갖는 기판 가공 장치는 챔버 내부에 수평으로 배치된 기판의 주위로부터 기판을 향해 공정 가스를 분사하기 위한 노즐을 갖는 제1 가스 링 및 제1 가스 링과 연결되며 공정 가스를 공급하기 위한 공급 라인으로부터 제공되는 공정 가스를 제1 가스 링으로 제공하기 위한 제2 가스 링을 포함한다. 공정 가스는 제2 가스 링에서 버퍼링된 후 제1 가스 링을 통하여 기판 상으로 공급된다. 기판 상에 공정 가스를 균일한 상태로 공급할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070042268A

公开(公告)日：2007-04-23

申请号：KR1020050097979

申请日：2005-10-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김우석 ,  한재현 ,  홍주표 ,  허노현

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45508 ,  C23C16/4558

Abstract: 가스 공급 장치 및 이를 갖는 기판 가공 장치는 챔버 내부에 수평으로 배치된 기판의 주위로부터 기판을 향해 공정 가스를 분사하기 위한 노즐을 갖는 제1 가스 링 및 제1 가스 링과 연결되며 공정 가스를 공급하기 위한 공급 라인으로부터 제공되는 공정 가스를 제1 가스 링으로 제공하기 위한 제2 가스 링을 포함한다. 공정 가스는 제2 가스 링에서 버퍼링된 후 제1 가스 링을 통하여 기판 상으로 공급된다. 기판 상에 공정 가스를 균일한 상태로 공급할 수 있다.

公开(公告)号：KR100635786B1

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：KR1020050093301

申请日：2005-10-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 금경수 ,  허지현 ,  원제형 ,  허노현 ,  오재준

IPC: H01L21/265

Abstract: A plasma doping method and a plasma doping apparatus for performing the same are provided to rapidly and completely remove ions accumulated on a semiconductor substrate by using a power supplying unit being operated in a dual mode. A doping gas is supplied to a plasma doping chamber(110). A first electrode(120) is arranged within the doping chamber. A second electrode(130) is separately arranged from the first electrode to support a substrate(W). A power supplying unit is operated in a first mode and a second mode. The first mode forms electric field between the first electrode and the second electrode to excite the doping gas in plasma state. The second mode reverses the direction of the electric field between the first electrode and the second electrode to dope the substrate with the plasma ions.

Abstract translation: 提供一种等离子体掺杂方法和用于执行该等离子体掺杂方法的等离子体掺杂装置，以通过使用以双模式操作的供电单元来快速且完全地去除积聚在半导体基板上的离子。 掺杂气体被供应到等离子体掺杂室（110）。 第一电极（120）布置在掺杂室内。 第二电极（130）与第一电极分开布置以支撑衬底（W）。 供电单元以第一模式和第二模式操作。 第一模式在第一电极和第二电极之间形成电场以激发处于等离子体状态的掺杂气体。 第二模式反转第一电极与第二电极之间的电场方向以用等离子体离子掺杂衬底。

公开(公告)号：KR1020030025616A

公开(公告)日：2003-03-29

申请号：KR1020010058747

申请日：2001-09-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황정현 ,  허노현 ,  최창원 ,  최병욱 ,  이두원

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32963

Abstract: PURPOSE: A detection window for detecting an etch end point and an etch apparatus using the same are provided to minimize the generation of particles in an etch process by using the detection window formed with aluminum or aluminum alloy and capping quartz glass on a light transmission part. CONSTITUTION: A detection window(10) for detecting an etch end point is formed with a main body(12) and a capping portion(14). The main body(12) is formed with aluminum or aluminum alloy. An anodizing treatment is performed to form an aluminum oxide layer on a surface of the main body(12) in order to improve corrosion resistance, abrasion resistance, and electrical resistibility. A through-hole(12a) is formed on the main body(12). The first grooves(12b) are formed on a side portion of the main body(12) in order to combine the main body(12) with one side of a process chamber. The capping portion(14) is combined with a bottom portion of the through-hole(12a).

Abstract translation: 目的：提供用于检测蚀刻终点的检测窗口和使用该检测窗口的蚀刻装置，以通过在光透射部分上使用由铝或铝合金形成的检测窗口和封盖石英玻璃来最小化蚀刻工艺中的颗粒的产生 。 构成：用于检测蚀刻终点的检测窗（10）形成有主体（12）和封盖部分（14）。 主体（12）由铝或铝合金形成。 进行阳极氧化处理以在主体（12）的表面上形成氧化铝层，以提高耐腐蚀性，耐磨性和电阻率。 在主体（12）上形成有通孔（12a）。 第一凹槽（12b）形成在主体（12）的侧部上，以将主体（12）与处理室的一侧组合。 封盖部分（14）与通孔（12a）的底部组合。

公开(公告)号：KR100252207B1

公开(公告)日：2000-04-15

申请号：KR1019960055409

申请日：1996-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허노현 ,  이두원 ,  오영묵

IPC: H01L21/306

Abstract: PURPOSE: A lower electrode plate is provided to allow a uniform etching process by preventing an arcing phenomenon affecting a wafer and extend the life of a lower electrode plate. CONSTITUTION: A lower electrode plate(30) includes an upper portion(32) of a circular plate projected upwardly and to which a wafer(26) is closely adhered, and an edge(34) fixed to etch equipment. A seat groove(40) of an arc shape having a given depth is formed from the circumference of the upper portion exposed by a flat zone(38) formed in the wafer(26) to a given portion of the edge(34). A through hole(42) of a given size is formed at a central portion of the seat groove(40). A projection(46) paring with the through hole(42) is formed at a given position below an insertion member(44) corresponding to the through hole(42). The through hole(42) and the projection(46) are coupled.

Abstract translation: 目的：提供下电极板，以通过防止影响晶片的电弧现象并延长下电极板的使用寿命来实现均匀的蚀刻工艺。 构造：下电极板（30）包括向上突出的圆形板的上部（32），并且晶片（26）紧密地附着在其上，以及固定到蚀刻设备的边缘（34）。 从形成在晶片（26）的平坦区（38）暴露的上部的周边到边缘（34）的给定部分，形成具有给定深度的弧形的座形槽（40）。 在座槽（40）的中央部形成有规定尺寸的通孔（42）。 与通孔（42）对应的突起（46）形成在对应于通孔（42）的插入构件（44）下方的给定位置处。 通孔（42）和突起（46）联接。

公开(公告)号：KR1020000014178A

公开(公告)日：2000-03-06

申请号：KR1019980033433

申请日：1998-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허노현

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: During the manufacturing process of a semiconductor, a contact hole or a trench tends to be formed with multi layers according to the current high integration and a leveling is operated in the parallel with the formation of multi layers in the contact hole. But the slurries generated during the leveling procedure remain within the contact hole and obstruct the leveling of an upper layer. CONSTITUTION: The pattern of a contact hole is formed on a dielectric layer (22) like a IMD (inter metal dielectric) and a metal layer (24) like tungsten is formed on the dielectric layer with the formed pattern and in the contact hole. After a PR (photoresist)(26) is charged in the contact hole where the metal layer (24) is formed, the metal layer (24) is leveled through the methods like CMP. Then a upper layer is formed after the remove of the photoresist (26). Because the slurries are also removed during the removing process of the photoresist (26), the leveling is not obstructed.

Abstract translation: 目的：在半导体的制造过程中，根据目前的高集成度，接触孔或沟槽倾向于形成多层，并且与接触孔中形成多层平行地进行调平。 但是，在调平过程中产生的浆料仍然在接触孔内并妨碍上层的调平。 构成：接触孔的图案形成在像IMD（金属间电介质）这样的电介质层（22）上，并且在形成图案的电介质层和接触孔中形成像钨的金属层（24）。 在形成金属层（24）的接触孔中填充PR（光致抗蚀剂）（26）之后，通过CMP等方法对金属层（24）进行调平。 然后在去除光致抗蚀剂（26）之后形成上层。 因为在光致抗蚀剂（26）的去除过程中浆料也被去除，所以流平不被阻碍。

公开(公告)号：KR100238943B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019970000131

申请日：1997-01-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이두원 ,  허노현

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명은 고주파의 균일한 적용을 가능하게 하면서도 식각되지 않는 포커스링이 구비된 반도체 제조용 식각챔버의 스테이지에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 제조용 식각챔버의 스테이지는, 웨이퍼(3)의 플랫부분과 동일 또는 유사한 형상을 갖는 스테이지(1)의 가장자리에 상기 스테이지(1)의 표면과 동일한 수평면을 따라 연장된 원형의 받침리브(7)를 일체로 형성시키고, 상기 웨이퍼(3)의 플랫부분과 동일 또는 유사한 형상의 내홈을 갖는 포커스링(8)을 상기 스테이지(1)의 받침리브(7)에 얹히도록 하여 상기 스테이지(1)에 삽입시켜 이루어진다.
따라서, 스테이지(1) 및 그에 일체로 형성된 받침리브(7) 모두의 침식을 방지하고, 그에 의하여 침식으로 인한 아크의 발생, 식각의 불균일성 및 식각속도의 불량 등 식각에 있어서 여러가지 불량의 발생을 원천적으로 예방하고, 반도체 장치의 생산성을 향상시키는 효과가 있다.