반도체 제조공정용 식각장치의 웨이퍼받침대
    11.
    发明公开
    반도체 제조공정용 식각장치의 웨이퍼받침대 无效
    用于半导体制造工艺的蚀刻设备的晶圆支架

    公开(公告)号:KR1019980016563A

    公开(公告)日:1998-06-05

    申请号:KR1019960036164

    申请日:1996-08-28

    Inventor: 한상진 한준호

    Abstract: 본 발명은 웨이퍼받침대와 웨이퍼 사이에서의 불일치부분을 제거하여 식각 도중에 웨이퍼가 충분히 웨이퍼받침대에 의하여 냉각될 수 있도록 한 반도체 제조공정용 식각장치의 웨이퍼받침대에 관한 것이다.
    본 발명에 따른 반도체 제조공정용 식각장치의 웨이퍼받침대는, 웨이퍼받침대(1)의 웨이퍼 가장자리와의 접촉부분을 웨이퍼와 동일한 형상으로 형성하여 서로 밀착되도록 이루어진다.
    따라서, 본 발명에 의하면 식각공정 중의 웨이퍼가 충분히 냉각되도록 하여 포토레지스트의 연소나 모서리부분의 침식 또는 모서리부분에서의 패턴의 미형성 등과 같은 아크성 불량을 예방하며, 그에 따라, 전체 반도체 장치의 생산수율을 증대시키는 효과가 있다.

    반도체 소자의 게이트 형성방법
    12.
    发明公开
    반도체 소자의 게이트 형성방법 无效
    用于形成半导体器件栅极的方法

    公开(公告)号:KR1020020085228A

    公开(公告)日:2002-11-16

    申请号:KR1020010024631

    申请日:2001-05-07

    Inventor: 한준호 남성진

    Abstract: PURPOSE: A gate formation method of semiconductor devices is provided to prevent failure due to a hump by ashing using mixed gases of O2 and N2. CONSTITUTION: A conductive layer(51) and a metal silicide film(52) are sequentially formed on a semiconductor substrate(50). A photoresist pattern is coated on the metal silicide film(52). The metal silicide film(52) and the conductive layer(51) are selectively etched by using the photoresist pattern. Then, the photoresist pattern is removed by ashing using O2 gas and N2 gas. At this time, a thin film(54) including nitrogen is formed on the metal silicide(52) and the conductive layer(51) during the ashing process. The thin film(54) including nitrogen is used to restrain oxidation of the metal silicide film(52).

    Abstract translation: 目的:提供半导体器件的栅极形成方法,以防止由于通过使用O 2和N 2的混合气体的灰化而产生的隆起造成的故障。 构成:在半导体衬底(50)上依次形成导电层(51)和金属硅化物膜(52)。 光致抗蚀剂图案涂覆在金属硅化物膜(52)上。 通过使用光致抗蚀剂图案选择性地蚀刻金属硅化物膜(52)和导电层(51)。 然后,通过使用O 2气体和N 2气体的灰化除去光致抗蚀剂图案。 此时,在灰化过程中,在金属硅化物(52)和导电层(51)上形成包括氮的薄膜(54)。 使用包含氮的薄膜(54)来抑制金属硅化物膜(52)的氧化。

    반도체 소자의 콘택홀 형성방법
    13.
    发明公开
    반도체 소자의 콘택홀 형성방법 无效
    形成半导体器件接触孔的方法

    公开(公告)号:KR1020020085227A

    公开(公告)日:2002-11-16

    申请号:KR1020010024630

    申请日:2001-05-07

    Abstract: PURPOSE: A contact hole formation method of semiconductor devices is provided to simplify manufacturing processes by performing silicon treatment processing and in-situ ashing processing. CONSTITUTION: An insulating layer(21) is formed on a semiconductor substrate(20). A photoresist pattern(22) is formed so as to expose portions of the insulating layer(21). A contact hole(23) is formed to expose the semiconductor substrate(20) by selectively etching the insulating layer(21) using the photoresist pattern(22) as a mask. A silicon treatment process is performed on the exposed substrate(20), and an ashing process using O2 plasma is carried out so as to remove portions of the photoresist pattern(22). The silicon treatment and the ashing processes are performed in the same dry-etching equipment by in-situ. Then, the remaining photoresist pattern(22) is entirely removed.

    Abstract translation: 目的:提供半导体器件的接触孔形成方法,以通过进行硅处理和原位灰化处理来简化制造工艺。 构成:在半导体衬底(20)上形成绝缘层(21)。 形成光致抗蚀剂图案(22)以暴露绝缘层(21)的部分。 通过使用光致抗蚀剂图案(22)作为掩模选择性地蚀刻绝缘层(21),形成接触孔(23)以暴露半导体衬底(20)。 在曝光的基板(20)上进行硅处理工艺,并且使用O 2等离子体进行灰化处理,以去除光致抗蚀剂图案(22)的部分。 硅处理和灰化处理通过原位在相同的干蚀刻设备中进行。 然后,剩余的光致抗蚀剂图案(22)被完全去除。

    파워 오프 상태에서의 시.디.롬 드라이브 구동장치 및 그 방버뵤
    14.
    发明公开
    파워 오프 상태에서의 시.디.롬 드라이브 구동장치 및 그 방버뵤 无效
    关闭状态下驱动CD-ROM的设备及其方法

    公开(公告)号:KR1020000026004A

    公开(公告)日:2000-05-06

    申请号:KR1019980043355

    申请日:1998-10-16

    Inventor: 한준호

    Abstract: PURPOSE: An apparatus for driving a CD-ROM in OFF state is provided to have a high value-added additional function and to reduce an unnecessary loss of power by driving a CD-ROM without a full drive of a computer. CONSTITUTION: A key input matrix(310) is connected to plural input keys requiring an operation of a CD-ROM. And the key input matrix generates an interrupt if the input keys are pressed. A microcomputer(320) generates an ON signal in response to the interrupt and outputs an output signal of a predetermined voltage level. Another microcomputer(334) in the CD-ROM drive is reset according to the ON signal and operates the CD-ROM drive through a detection of the output signal. A power supply is provided for supplying power source.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于驱动处于OFF状态的CD-ROM的装置,以具有高附加值的附加功能,并且通过在没有计算机的全盘驱动的情况下驱动CD-ROM来减少不必要的电力损失。 构成:键输入矩阵(310)连接到需要CD-ROM操作的多个输入键。 如果按下输入键,键输入矩阵将产生一个中断。 微计算机(320)响应于中断产生ON信号并输出​​预定电压电平的输出信号。 CD-ROM驱动器中的另一个微计算机(334)根据ON信号复位,并通过检测输出信号来操作CD-ROM驱动器。 提供用于供电的电源。

    스플릿 커넥터장치
    15.
    实用新型
    스플릿 커넥터장치 无效
    拆分连接器设备

    公开(公告)号:KR2019990036005U

    公开(公告)日:1999-09-15

    申请号:KR2019980001735

    申请日:1998-02-12

    Inventor: 한준호

    Abstract: 본 고안은 커넥터 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 컴퓨터의 PS/2 포트에 편리하게 고정 및 분리 할 수 있는 스플릿 커넥터 장치에 관한 것으로, 스플릿 커넥터장치는 하우징과, 하우징의 일면에 설치되고, 컴퓨터의 PS/2 포트에 접속되는 PS/2 커넥터와, 하우징의 다른 일면에 설치되고, 키보드와 포인팅장치에 연결된 케이블의 플러그와의 접속을 위한 잭들과, PS/2 커넥터에 돌설되어 PS/2 포트에 PS/2 커넥터가 올바르게 끼워지도록 가이드 해주는 가이드부와, PS/2 커넥터가 설치된 하우징의 일면으로부터 돌설되어 PS/2 포트에 삽입된 PS/2 커넥터를 안정되게 지지시켜주는 지지부 및 하우징에 설치되고, PS/2 포트에 접속된 PS/2 커넥터가 임의로 분리되는 것을 방지하기 위한 착탈부재로 이루어진다.
    이와 같은 장치에 의해 일체형으로 되어 있어 작은 공간에서도 사용할 수 있고, 가이드부에 의해 컴퓨터의 PS/2 포트에 삽입하는 작업이 편리하고, 사용도중 발생되는 충격이나 흔들림은 지지부에 의해 감소되어 PS/2 포트에 접속된 PS/2 커넥터 핀들의 접촉불량 등의 문제를 방지할 수 있다. 또한, 착탈부재가 설치되어 있어 그 결합 및 분리작업이 매우 간단하게 이루어진다. 즉, 안정성이나 편리성 면에서 매우 효과적이다.

    컴퓨터의 도난방지장치
    16.
    实用新型
    컴퓨터의 도난방지장치 无效
    电脑防盗装置

    公开(公告)号:KR2019990000690U

    公开(公告)日:1999-01-15

    申请号:KR2019970014033

    申请日:1997-06-12

    Inventor: 한준호

    Abstract: 이 고안은 컴퓨터의 도난방지장치에 관한 것으로, 수평 상태에서 일정각도 이상 기울어지면, 인터럽트신호를 출력하는 센서부(7)와; 사용자로부터 도난방지 모드 상태나 정상 모드로 전환하도록 키를 입력받고, 패스워드를 입력받는 입력부(6)와; 상기 입력부(6)로부터의 신호를 입력받아, 도난방지 모드시에 상기 센서부(7)를 인에이블시키고, 상기 센서부(7)로부터 인터럽트신호가 입력되면, 경고음을 발생하도록 제어신호를 출력하는 제어부(4)와; 상기 제어부(4)의 제어신호를 입력받고, 경고음을 발생하는 경고부(1 ,2, 3)를 포함하여 구성되어, 노트북 컴퓨터가 약간의 진동 또는 수평이 흐트러질 때를 감지하여 경보를 울리도록 하는 컴퓨터의 도난방지장치에 관한 것이다.

    반도체 포토레지스트 애싱방법
    17.
    发明公开
    반도체 포토레지스트 애싱방법 无效
    半导体光刻胶灰化法

    公开(公告)号:KR1019970067658A

    公开(公告)日:1997-10-13

    申请号:KR1019960007071

    申请日:1996-03-15

    Abstract: 반도체 웨이퍼 가공의 애싱방법 가운데 특히 더미 웨이퍼의 사용에 관한 것이다.
    본 발명의 애싱방법은 식각공정을 마친 웨이퍼의 잔여 포토레지스트를 산소 플라즈마 분위기에서 제거하는 애싱방법에 있어서, 일단의 적재된 웨이퍼들의 가장자리에 더미 웨이퍼를 설치하고 애싱공정을 마친 공정웨이퍼를 교체하는 일정 회수마다 더미 웨이퍼도 교체하는 것을 특징으로 한다.
    본 발명에 따르면 애싱공정에서 더미 웨이퍼 사용에 의한 식각물질 누적으로 인하여 애싱공정중 웨이퍼가 과도하게 부식되어 훼손되는 현상을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.

    반도체소자의 제조방법
    18.
    发明公开
    반도체소자의 제조방법 失效
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:KR1020020001113A

    公开(公告)日:2002-01-09

    申请号:KR1020000035236

    申请日:2000-06-26

    Inventor: 한준호

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor device fabricating method is provided to minimize micro loading effects, secure a satisfactory etching profile of a deep contact hole, and minimize an etching stop phenomenon by substantially removing polymers on the bottom of the deep contact hole. CONSTITUTION: A planarized film is formed on a silicon substrate(S1). A photo-resist pattern is formed on the planarized film for forming a deep contact hole(S3). A portion of the planarized film is dry etched to form the deep contact hole with the photo-resist pattern as a mask and in a gas condition for removing polymers to be formed on the bottom of the deep contact hole(S5). Preferably, the gas condition uses CHF3 gas as a main processing gas and O2 gas as an additive gas.

    Abstract translation: 目的:提供半导体器件制造方法以最小化微负载效应,确保深接触孔的令人满意的蚀刻轮廓,并且通过基本上去除深接触孔的底部上的聚合物来最小化蚀刻停止现象。 构成:在硅衬底上形成平坦化膜(S1)。 在用于形成深接触孔的平坦化膜上形成光刻胶图案(S3)。 平版化膜的一部分被干蚀刻以形成与光致抗蚀剂图案作为掩模的深接触孔,并且在用于除去形成在深接触孔的底部的聚合物的气体条件下(S5)。 优选地,气体条件使用CHF 3气体作为主要处理气体,使用O 2气体作为添加气体。

    분리 가능한 디스플레이 패널을 구비한 휴대용 컴퓨터 및 그의제어방법
    19.
    发明公开
    분리 가능한 디스플레이 패널을 구비한 휴대용 컴퓨터 및 그의제어방법 无效
    包含可分离显示面板的便携式计算机及其控制方法

    公开(公告)号:KR1020000074394A

    公开(公告)日:2000-12-15

    申请号:KR1019990018303

    申请日:1999-05-20

    Inventor: 한준호

    Abstract: PURPOSE: A portable computer comprising a separative display panel and a method for controlling a portable computer having a separative liquid crystal display panel and a method for controlling the portable computer. CONSTITUTION: A system main body(100) of a portable computer is comprised of a basic input/output system(110). a CPU(120), a video controller(130), a power management unit(140), a micro controller(150), a DC-DC converter(160) and a female connector(170). The female connector(170) is provided so that the system main body(100) can be connected with an LCD panel(200) electrically. The LCD panel(200) comprises an LCD driver(210), an LCD(220), a cold cathode fluorescent lamp(230), a DC-DC inverter(240) and a male connector(250). The male connector(250) is provided so that the LCD panel(200) can be connected with the system main body(100) electrically. The micro controller(150), of which an input terminal is connected to the female connector(170) through a pull up resister(180) to sense that the male connector(250) is connected or disconnected with the female connector, informs the power management unit(140) of a sensed result. In response to the sense signal provided from the micro controller(150), the power management unit(140) controls the DC-DC converter(160) and informs the CPU of a result.

    Abstract translation: 目的:一种便携式计算机,包括分离显示面板和用于控制具有分离式液晶显示面板的便携式计算机的方法和用于控制便携式计算机的方法。 构成:便携式计算机的系统主体(100)由基本输入/输出系统(110)组成。 CPU(120),视频控制器(130),电源管理单元(140),微控制器(150),DC-DC转换器(160)和阴连接器(170)。 阴连接器(170)设置成使得系统主体(100)能够与LCD面板(200)电连接。 LCD面板(200)包括LCD驱动器(210),LCD(220),冷阴极荧光灯(230),DC-DC逆变器(240)和阳连接器(250)。 阳连接器(250)设置成使得LCD面板(200)能够与系统主体(100)电连接。 微控制器(150),其输入端通过上拉电阻器(180)连接到阴连接器(170),以感测阳连接器(250)与母连接器连接或断开,通知电源 管理单元(140)。 响应于从微控制器(150)提供的感测信号,功率管理单元(140)控制DC-DC转换器(160)并通知CPU结果。

    반도체장치의 소자분리영역 형성방법

    公开(公告)号:KR1019990074150A

    公开(公告)日:1999-10-05

    申请号:KR1019980007555

    申请日:1998-03-06

    Inventor: 한준호

    Abstract: 다결정 실리콘막 식각시 자기장을 부가하는 공정조건을 이용하여 새부리 효과에 의한 누설전류를 감소시키는 반도체장치의 소자분리영역 형성방법에 관한 것이다.
    본 발명은, (1) 반도체기판 상에 산화막, 다결정 실리콘막 및 질화막을 순차적으로 형성하는 단계; (2) 사진식각공정을 통해 질화막의 소정 영역을 선택적으로 제거하여 상기 다결정 실리콘막을 노출시키는 단계; (3) 상기 노출된 다결정 실리콘막을 에지부분이 중앙부분보다 더 깊고, 등방성 식각이 수행되도록 소정 깊이로 건식식각시키는 단계; (4) 상기 건식식각된 다결정 실리콘막 영역을 선택적으로 산화시키는 단계; 및 (5) 상기 다결정 실리콘막의 산화부분 이외의 잔존하는 산화막, 다결정 실리콘막 및 질화막을 제거하는 단계를 구비하여 이루어진다.
    따라서, 소자분리영역을 형성하는 다결정 실리콘막 식각시 자기장을 가하여 소자분리영역 에지 부위에 형성되는 새부리의 길이를 단축하고, 두께를 얇게하여 누설전류를 감소시키는 효과가 있다.

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