公开(公告)号：KR100670044B1

公开(公告)日：2007-01-16

申请号：KR1019990047566

申请日：1999-10-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송진호

IPC: G02F1/1335

Abstract: 본 발명은 기판 위에 게이트선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선을 형성한 다음, 게이트 절연막과 반도체층, 저항성 접촉층을 차례로 증착하고 접촉층과 반도체층을 식각하여 접촉층 패턴 및 반도체 패턴을 형성한다. 이어, 도전체층을 증착하고 식각하여 데이터선과 소스 및 드레인 전극, 데이터 패드, 그리고 유지 전극선을 형성한다. 다음, 게이트선과 데이터선이 교차하여 정의되는 화소 영역에 색 필터를 형성한다. 색 필터는 적, 녹, 청의 세 가지 색으로 이루어지고 각각의 화소 영역에 하나의 색이 들어가도록 하며 교대로 형성한다. 다음, 색 필터를 덮는 보호막을 형성하고, 그 위의 화소 영역에 해당하는 부분에서는 화소 영역의 가운데에서 데이터선 쪽으로 갈수록 기울기가 높아지는 형태를 가지며 게이트 패드와 데이터 패드, 드레인 전극 및 유지 전극선을 드러내는 접촉구를 가지는 유기 절연막을 형성한다. 유기 절연막 위에 투명 도전 물질로 화소 전극과 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 형성한다. 본 발명에서는 유기 절연막으로 돌기를 형성함으로써 돌기 형성이 원만하게 이루어지며, 색 필터 위에 유기 절연막을 형성하므로 색 필터가 손상되는 것을 막을 수 있다. 또한, 개구율이 높아질 수 있다.
돌기, 광시야각, 색 필터, 유기 절연막, 고개구율

公开(公告)号：KR100645036B1

公开(公告)日：2006-11-13

申请号：KR1019990027136

申请日：1999-07-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송진호 ,  김현재

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명인 액정표시장치의 트랜지스터측 판넬과 그 형성방법에 관한 것이다.
본 발명의 판넬은 판넬 내면에 형성된 탑 게이트 방식 폴리실리콘형 박막트랜지스터에서 컬러필터층이 트랜지스터의 게이트 전극 바로 위에 형성되고 상기 컬러필터층을 통과하면서 이루어지는 콘택을 통해 소오스 드레인 전극이 각각 폴리실리콘층으로 형성된 소오스 드레인 영역과 전기적 접속을 이루는 것을 특징으로 하고, 글래스 기판에 폴리실리콘층 액티브 패턴을 형성하고, 상기 액티브 패턴 위로 게이트 절연막을 적층하고 다시 게이트 메탈층 적층, P형 트랜지스터의 게이트 전극 패터닝, P형 이온주입, 게이트 보조 메탈층 적층, N형 트랜지스터 게이트 전극 언더 컷 구조 패터닝, 고농고 N형 이온주입, 게이트 보조 메탈층 제거 단계를 통해 형성한 박막 트랜지스터 전극 위로 종래의 단순 절연막 대신, 3 단계로 감광성 유기 절연막으로 이루어진 컬러층을 적층하고 콘택을 제외한 해당 화소부와 주변부에 패턴을 형성한 다음, 컬러층 위로 다시 전극층을 적층 패터닝하여 전극을 형성하고, 전극 위로 유기 절연막을 형성하고 드레인 전극 위로 비아 콘택을 형성한 다음 화소전극을 패턴 형성하는 단계가 순차적으로 구비되어 이루어진다.
폴리실리콘, 컬러필터

公开(公告)号：KR100552289B1

公开(公告)日：2006-05-09

申请号：KR1019980029866

申请日：1998-07-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송진호

IPC: G02F1/136

Abstract: 절연 기판 위에 게이트선, 게이트 전극 및 게이트 패드로 이루어진 게이트 배선을 형성한다. 다음, 그 위에 질화 규소로 이루어진 게이트 절연층, 비정질 규소층 및 도핑된 비정질 규소층을 차례로 증착한 후 도핑된 비정질 규소층과 비정질 규소층을 함께 패터닝하여 박막 트랜지스터의 반도체층을 형성한다. 이어, 반사율을 가지는 도전 물질을 증착하고 패터닝하여 데이터선, 소스 및 드레인 전극 및 데이터 패드로 이루어진 데이터 배선과 드레인 전극과 연결되어 있는 반사막을 형성하고, 소스 및 드레인 전극을 마스크로 드러난 도핑된 비정질 규소층을 식각하여 저항 접촉층을 형성한다. 다음, 기판의 상부에 질화 규소 또는 산화 규소로 이루어진 보호막을 적층하고, 게이트 절연층과 함께 패터닝하여 데이터선, 게이트 패드, 데이터 패드 및 반사막을 노출시키는 제1 내지 제4 접촉 구멍을 각각 형성한다. 마지막으로 ITO를 적층하고 패터닝하여, 제1 내지 제4 접촉 구멍을 각각 통하여 데이터선과 연결되는 보조 데이터선, 게이트 패드와 연결되는 게이트 패드용 ITO 전극, 데이터 패드와 연결되는 데이터 패드용 ITO 전극 및 반사막과 연결되는 보조 ITO 반사막을 형성한다.

公开(公告)号：KR100544814B1

公开(公告)日：2006-04-21

申请号：KR1019980039428

申请日：1998-09-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송진호

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1335

Abstract: 본 발명은 반사형 액정표시소자 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 게이트 아이씨 패드를 형성하기 위한 종래의 게이트 라인과 금속막, 예컨대, 반사막과의 콘택공정을 생략한다.
대신에, 패시베이션막의 형성공정이 진행될 때, 패시베이션막의 일부를 오픈시켜 게이트 라인을 외부로 노출시키고, 노출된 게이트 라인과 전기적으로 접촉된 구조의 패드 보호막을 형성시킴으로써, 게이트 아이씨 패드의 형성영역을 정의한다. 이때, 패드 보호막은 예컨대, ITO로 이루어진다.
본 발명이 달성되는 경우, 게이트 아이씨 패드를 형성하기 위한 콘택공정이 생략됨으로써, 소요되는 마스크의 매수는 6개에서 예컨대, 5개로 줄어들 수 있다.
이러한 본 발명의 달성을 통해, 전체적인 재공기간이 단축되는 경우, 제품에 발생될 수 있는 불량 개연성은 종래에 비해 현저히 저감된다.

公开(公告)号：KR1020040092704A

公开(公告)日：2004-11-04

申请号：KR1020030026249

申请日：2003-04-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 주인수 ,  최준후 ,  송진호

IPC: G06K9/00

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14678

Abstract: PURPOSE: A fingerprint recognition device and an LCD having the same are provided to prevent a moire effect repeatedly appearing vertical/horizontal lines by a misalignment between a gate line and a sensing signal output line, and the gate line and the data line of an LCD panel placed to a lower part when the fingerprint recognition device is adhered to the LCD panel. CONSTITUTION: The gate lines(470) are crossed with two adjacent or facing sides among four sides of a transparent substrate(250) by being formed with a predetermined inclination and are arranged by being apart from each other. The sensing signal output lines(450) are perpendicular to the gate lines and are arranged by being apart from each other. A pixel area(510) is formed by two adjacent gate lines and sensing signal output lines from the gate lines and the sensing signal output lines. The fingerprint recognition sensor is formed to the pixel area, senses the fingerprint pattern by receiving a gate on/off signal from the gate line, and outputs the sensed fingerprint pattern signal to the sensing signal output line.

Abstract translation: 目的：提供一种指纹识别装置和具有该指纹识别装置的LCD，以防止由于栅极线和感测信号输出线之间的偏移而重复出现垂直/水平线的莫尔效应，以及LCD的栅极线和数据线 当指纹识别装置粘附在LCD面板上时，面板放置在下部。 构成：通过形成预定的倾斜度并且通过彼此分开地布置，栅极线（470）与透明基板（250）的四个侧面中的两个相邻或相对的侧面交叉。 感测信号输出线（450）垂直于栅极线并且彼此分开布置。 像素区域（510）由两个相邻的栅极线形成，并且从栅极线和感测信号输出线感测信号输出线。 指纹识别传感器形成于像素区域，通过从栅极线接收栅极通/断信号来感测指纹图案，并将检测到的指纹图案信号输出到感测信号输出线。

公开(公告)号：KR1020030049764A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：KR1020010080074

申请日：2001-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송진호 ,  최준후 ,  최범락 ,  강명구 ,  강숙영

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a thin film transistor using polycrystalline silicon is provided to uniformly apply a photoresist layer by crystallizing an amorphous silicon layer and by planarizing the crystallized silicon layer through an etch process using a plasma process. CONSTITUTION: The amorphous silicon layer is formed on an insulated substrate. Laser is irradiated to the amorphous silicon layer and the amorphous silicon layer is crystallized through a lateral solidification process to form a crystalline silicon layer. The crystalline silicon layer is planarized through an etch process using plasma. The crystalline silicon layer is patterned to form a semiconductor layer. The semiconductor layer is covered with a gate insulation layer. A gate electrode is formed on the gate insulation layer of the semiconductor layer. Impurity ions are implanted into the semiconductor layer to form source and drain regions at both sides of the gate electrode. Source and drain electrodes are electrically connected to the source and drain regions, respectively.

Abstract translation: 目的：提供使用多晶硅制造薄膜晶体管的方法，以通过使非晶硅层结晶并通过使用等离子体工艺的蚀刻工艺平坦化结晶硅层来均匀地施加光致抗蚀剂层。 构成：在绝缘基板上形成非晶硅层。 激光被照射到非晶硅层，并且非晶硅层通过侧向固化工艺结晶以形成晶体硅层。 通过使用等离子体的蚀刻工艺对结晶硅层进行平面化处理。 图案化晶体硅层以形成半导体层。 半导体层被栅极绝缘层覆盖。 在半导体层的栅极绝缘层上形成栅电极。 将杂质离子注入到半导体层中以在栅电极的两侧形成源区和漏区。 源极和漏极电极分别电连接到源极和漏极区域。

公开(公告)号：KR1020030016051A

公开(公告)日：2003-02-26

申请号：KR1020010049963

申请日：2001-08-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송진호 ,  정창오

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor substrate for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same are provided to design uniform process conditions and minimize contact resistance at contact parts by forming a low resistance conductive layer, thereby improving the reliability of the contact parts. CONSTITUTION: A method for manufacturing a thin film transistor substrate for a liquid crystal display includes the steps of forming gate wires including gate lines(22) and gate electrodes(26) connected with the gate lines by using a conductive film for gate wires on an insulating substrate; forming a gate insulating film; forming a semiconductor layer(40) on the gate insulating film; forming data wires including data lines(62) crossing the gate lines, source electrodes(65) connected with the data lines and adjacent to the gate electrodes, and drain electrodes(66) opposite to the source electrodes related to the gate electrodes; forming first contact holes(76,78) exposing the drain electrodes by accumulating and patterning a protective layer; forming pixel electrodes(82) electrically connected with the exposed drain electrodes; and forming low resistance conductive films(200,600) including a conductive material for the gate wires or the data wires, and nitrogen on the gate wires or the data wires.

Abstract translation: 目的：提供一种用于液晶显示器的薄膜晶体管基板及其制造方法，以通过形成低电阻导电层来设计均匀的工艺条件并使接触部分的接触电阻最小化，从而提高接触部件的可靠性。 构成：用于制造液晶显示器用薄膜晶体管基板的方法包括以下步骤：通过使用栅极线上的导电膜形成栅极线，该栅极线包括栅极线（22）和与栅极线连接的栅电极（26） 绝缘基板; 形成栅极绝缘膜; 在栅极绝缘膜上形成半导体层（40）; 形成数据线，包括与栅极线交叉的数据线（62），与数据线连接并与栅电极相邻的源电极（65）以及与栅电极相关的源电极相对的漏电极（66） 形成通过累积和图案化保护层来暴露所述漏电极的第一接触孔（76,78） 形成与所述暴露的漏电极电连接的像素电极（82） 以及形成包括用于栅极线或数据线的导电材料的低电阻导电膜（200,600），以及栅极线或数据线上的氮。

公开(公告)号：KR100333984B1

公开(公告)日：2002-04-26

申请号：KR1019990020522

申请日：1999-06-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송진호 ,  나병선 ,  최시원

IPC: G02F1/136

Abstract: 절연기판위에게이트배선을형성하고게이트배선위에게이트절연막, 비정질규소층, 인(P) 등으로고농도로도핑된비정질규소층을차례로증착하고패터닝하여반도체층과접촉층을형성한다음, 크롬을증착하고패터닝하여데이터배선을형성한다. 데이터배선을식각차단층으로하여소스전극과드레인전극사이의접촉층을식각하고질화규소를얇게증착하여보호절연막을형성하고, 컬러필터층을적층하고패터닝하여빨강, 파랑, 초록색의컬러필터를형성한다. 다음유기절연막을적층하고패터닝하여게이트패드, 데이터패드및 드레인전극을노출시키는접촉구를형성하고, ITO를증착하고패터닝하여개구부패턴을가지는화소전극과보조게이트패드및 보조데이터패드를형성하여박막트랜지스터기판을제조한다. 이렇게하면, 데이터배선을내화학성이강한물질로이루어진단일층으로형성할수 있어서공정을단순화할수 있고, 데이터배선을광 차단막으로사용하는대신상판의블랙매트릭스의폭을좁게할 수있어서개구율을증가시킬수 있으며, 이를통해휘도가향상되므로휘도향상을위해사용하는 DBEF(double brightness enhanced film)을생략할수 있다.

公开(公告)号：KR1020010010115A

公开(公告)日：2001-02-05

申请号：KR1019990028821

申请日：1999-07-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송진호 ,  주영길

IPC: G02F1/136

Abstract: PURPOSE: A liquid crystal display is provided to make a slimness of a thickness of an upper substrate by forming a color filter on a lower substrate in which a thin film transistor is formed. CONSTITUTION: The liquid crystal display comprises a thin film transistor which is formed over a lower glass substrate(20). The thin film transistor has gate lines(32), a gate insulating film(40), a semiconductor layer(50), and data lines. Resistive contact layers(51,52) are formed at a plane where the source and drain electrodes(62,63) is contact with the semiconductor layer(50). An organic insulating film(70) having a contact hole(71) is formed over the thin film transistor. An RGB color filter(90) is formed over a reflection film(80) that is formed on the organic insulating film(70).

Abstract translation: 目的：提供一种液晶显示器，通过在形成薄膜晶体管的下基板上形成滤色器，以使上基板的厚度变薄。 构成：液晶显示器包括形成在下玻璃基板（20）上的薄膜晶体管。 薄膜晶体管具有栅极线（32），栅极绝缘膜（40），半导体层（50）和数据线。 电阻接触层（51,52）形成在源极和漏极（62,63）与半导体层（50）接触的平面处。 在薄膜晶体管上形成有具有接触孔（71）的有机绝缘膜（70）。 在形成在有机绝缘膜（70）上的反射膜（80）上形成RGB滤色器（90）。

公开(公告)号：KR1020010009012A

公开(公告)日：2001-02-05

申请号：KR1019990027136

申请日：1999-07-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송진호 ,  김현재

IPC: G02F1/136

Abstract: PURPOSE: A method of making a panel of a thin film transistor side is provided to reduce an etching process by making a color layer function as an insulating film on a transistor electrode. CONSTITUTION: The method of making a panel of a thin film transistor side comprises forming an active pattern of a polysilicon layer at a glass substrate(10), sequentially forming a gate insulating film and a gate metal layer on the active pattern, forming a gate electrode for a p-type transistor by patterning the gate insulating film and the gate metal layer, implanting ions at a p-type transistor region, stacking a gate auxiliary metal layer, forming a gate electrode(172) at an n-type transistor, implanting high-concentration ions at an n-type transistor region, removing the gate auxiliary metal layer, forming a color filter layer(60) at a pixel part and a glass region except for a contact, forming source and drain electrodes(32,22), forming an organic insulating film(70) on the drain electrode(22), forming a via hole and forming a pixel electrode(80).

Abstract translation: 目的：提供一种制造薄膜晶体管侧面板的方法，以通过使彩色层作为晶体管电极上的绝缘膜起作用以减少蚀刻工艺。 构成：制造薄膜晶体管侧面板的方法包括在玻璃基板（10）上形成多晶硅层的有源图案，在有源图案上依次形成栅极绝缘膜和栅极金属层，形成栅极 通过图案化栅极绝缘膜和栅极金属层，在p型晶体管区域注入离子，堆叠栅极辅助金属层，在n型晶体管形成栅电极（172）的p型晶体管的电极， 在n型晶体管区域注入高浓度离子，去除栅极辅助金属层，在除了接触之外的像素部分和玻璃区域形成滤色器层（60），形成源极和漏极（32,22 ），在漏电极（22）上形成有机绝缘膜（70），形成通孔并形成像素电极（80）。