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公开(公告)号：KR101152115B1
公开(公告)日：2012-06-15
申请号：KR1020040000547
申请日：2004-01-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명에 따른 결정화용 광마스크는 비정질 규소를 결정화하는 결정화 공정에서 레이저빔을 국부적으로 조사하기 위한 결정화용 마스크로서, 광마스크는 레이저빔이 투과되는 투광 영역을 정의하는 슬릿이 일정하게 배열되어 있는 하나 이상의 슬릿 영역을 포함하고 있으며, 슬릿은 결정화 공정에서 마스크의 이동 방향에 대하여 일정한 각도로 기울어져 형성되어 있으며, 슬릿 영역은 제1 길이를 가지는 제1 부분, 제1 길이보다 긴 제2 길이를 가지는 제2 부분을 포함한다.
박막트랜지스터, 결정화, SLS-
公开(公告)号：KR101136348B1
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：KR1020050062476
申请日：2005-07-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/133
CPC classification number: G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F2201/40 , G09G3/3614 , G09G3/3677
Abstract: 어레이 기판 및 이를 갖는 표시장치에서, 다수의 게이트 라인은 베이스 기판 상에 형성되고, 다수의 데이터 라인은 게이트 라인들과 절연되게 교차하여 베이스 기판 상에 매트릭스 형태의 다수의 화소영역을 정의한다. 화소 매트릭스는 다수의 화소영역에 각각 형성되고, 다수의 화소행과 다수의 화소열을 포함한다. 각 화소행은 인접하는 제1 게이트 라인에 전기적으로 연결된 제1 화소그룹 및 인접하는 제2 게이트 라인에 전기적으로 연결된 제2 화소그룹을 포함하다. 각 화소열은 인접하는 하나의 데이터 라인에 공통적으로 연결된다. 따라서, 표시장치의 소비전력을 절감시키면서, 도트 반전 방식으로 표시장치가 구동될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020080080791A
公开(公告)日：2008-09-05
申请号：KR1020070020967
申请日：2007-03-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 강명구
IPC: G02F1/136 , H01L21/027 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136 , H01L21/2683 , H01L29/78618
Abstract: A mask and a poly silicon substrate manufacturing method using the same are provided to manufacture a poly silicon substrate by forming first and second slits of a wave shape in the mask, thereby forming particle boundary lines of a wave shape on the poly silicon substrate and preventing moire. Plural first slits(410) are formed in a wave shape, and spaced from each other in parallel at predetermined intervals. Plural second slits(420) are formed in an area adjacent to the first slits so as to correspond to a space between the first slits, and formed in the same shape as the first slit. The first and second slits have the same width. The first slit has a sine wave shape.
Abstract translation: 提供一种掩模和使用其的多晶硅基板的制造方法，通过在掩模中形成波形的第一和第二狭缝来制造多晶硅基板，从而在多晶硅基板上形成波形的粒子边界线并防止 云纹。 多个第一狭缝（410）形成为波形，并且以预定间隔彼此间隔开。 多个第二狭缝（420）形成在与第一狭缝相邻的区域中，以对应于第一狭缝之间的空间，并且形成为与第一狭缝相同的形状。 第一和第二狭缝具有相同的宽度。 第一个狭缝具有正弦波形状。
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公开(公告)号：KR1020080078290A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：KR1020070018182
申请日：2007-02-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 강명구
IPC: H01L21/268 , H01L21/266 , H01L21/027 , H01L21/32
CPC classification number: H01L21/268 , H01L21/266 , H01L21/32055
Abstract: A mask for crystallization of poly silicon and a manufacture method of a poly silicon substrate using the same are provided to remove anisotropy by forming a polysilicon layer through a mask including a first exposure unit with first hexagonal transmissive patterns and a second exposure unit with second hexagonal transmissive patterns opposed to the first transmissive patterns. A mask for crystallization of poly silicon comprises a first exposure unit and a second exposure unit. The first exposure unit has first transmissive patterns(412) and a first light blocking pattern(414). The first transmissive patterns are formed like a hexagon and separated from one another. The first light blocking pattern surrounds the first transmissive patterns. Located next to the first exposure unit, the second exposure unit includes second light blocking patterns(422) and a second transmissive pattern(424). The light blocking patterns are opposite to the first transmissive patterns. The second transmissive pattern is opposite to the first light blocking pattern.
Abstract translation: 提供多晶硅结晶用掩模和使用其的多晶硅基板的制造方法，以通过通过包括具有第一六边形透射图案的第一曝光单元的掩模形成多晶硅层和具有第二六边形的第二曝光单元来去除各向异性 与第一透射图案相对的透射图案。 多晶硅结晶用掩模包括第一曝光单元和第二曝光单元。 第一曝光单元具有第一透光图案（412）和第一遮光图案（414）。 第一透射图案形成为六边形并且彼此分离。 第一遮光图案包围第一透射图案。 位于第一曝光单元旁边的第二曝光单元包括第二遮光图案（422）和第二透射图案（424）。 遮光图案与第一透射图案相反。 第二透射图案与第一遮光图案相反。
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公开(公告)号：KR100848098B1
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：KR1020020035356
申请日：2002-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
Abstract: 절연 기판 위에 비정질 규소층을 형성하는 단계, 상기 비정질 규소층을 완전 용융시킬 수 있는 에너지 밀도를 가지며 소정의 빔폭을 가지는 레이저로 스캐닝하여 열처리함으로써 다결정 규소층으로 변환하는 단계, 게이트선을 형성하는 단계, 데이터선을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 다결정 규소층으로 변환하는 단계에서 레이저 스캐닝은 상기 데이터선을 따라 진행하며 상기 소정의 빔폭은 상기 데이터선간의 거리의 정수배에 해당하는 방법을 사용하여 박막 트랜지스터 기판을 제조한다.
박막트랜지스터기판, 다결정규소, 레이저, 결정립-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100831227B1
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：KR1020010080074
申请日：2001-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조 방법에서는, 우선, 절연 기판의 상부에 비정질 규소 박막을 형성하고, 레이저를 조사하여 고상 결정 공정으로 비정질 규소 박막을 결정화하여 다결정 규소 박막을 형성한다. 이어, Cl
2 , SF
6 , Ar 기체가 3:1:2의 비율로 혼합된 혼합 기체를 이용한 플라스마 공정으로 건식 식각을 실시하여 다결정 규소 박막(25)의 표면으로 돌출되어 있는 돌출부를 제거하여 다결정 규소 박막(25)의 표면을 평탄화한 다음, 패터닝하여 반도체층을 형성한다. 이어, 반도체층을 덮는 게이트 절연막을 형성한 다음, 반도체층의 게이트 절연막의 상부에 게이트 전극을 형성한다. 이어, 반도체층에 불순물을 주입하여 게이트 전극을 중심으로 양쪽에 소스 및 드레인 영역을 형성하고, 소스 및 드레인 영역과 각각 전기적으로 연결되는 소스 및 드레인 전극을 각각 형성한다.
다결정, 고상결정, 평탄화, 레이저-
公开(公告)号：KR100796758B1
公开(公告)日：2008-01-22
申请号：KR1020010070661
申请日：2001-11-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L21/2026 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , Y10S260/35
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 다결정 규소용 마스크에는 가로 방향으로 형성되어 있는 슬릿(slit) 패턴이 각각 세로 방향으로 동일한 폭으로 다수 배열되어 있는 제1 내지 제4 슬릿 영역을 가진다. 여기서. 제1 내지 제4 슬릿 영역에 배열되어 있는 슬릿 패턴의 폭은 가로 방향으로 진행할수록 순차적으로 제1 슬릿 영역의 슬릿 패턴 폭(d)의 배수로 증가하는 폭으로 형성되어 있다. 또한, 가로 방향으로 배열되어 있는 슬릿 패턴의 중심선은 동일선상에 위치하며 각각의 영역에 배치되어 있는 각각의 슬릿 패턴은 8*d의 간격으로 배열되어 있다. 여기서는 슬릿 패턴의 폭이 순차적으로 증가하도록 제1 내지 제4 슬릿 영역을 배치하였지만, 반대로 배치할 수도 있으며, 가로 방향으로 배열된 제1 내지 제4 슬릿 영역을 세로 방향으로 배치할 수도 있다.
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公开(公告)号：KR1020010065364A
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：KR1019990065241
申请日：1999-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 강명구
IPC: H04L1/20
CPC classification number: H03M13/6569 , H03M13/09
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for checking parity bits in a data communication system are provided which is able to check the parity of data having the length of 2¬n bits only during n repeated loops to reduce the time required for checking the parity. CONSTITUTION: A parity bit checking apparatus includes the first and second temporary storage registers for storing data to be checked or an exclusive-ORed result, a shifter for shifting the value stored in the first temporary storage register by bits corresponding to half the length of the data to be checked or exclusive-ORed result value, and a logic device for exclusive-ORing the values respectively stored in the first and second temporary storage registers. The apparatus further has a controller that checks the length of the data and determines the number of repetition of a loop to store the exclusive-ORed result in the first and second temporary storage registers, and performs parity checking process for the data according to the final storage values of the temporary storage resisters when exclusive-ORing processes as many as the number of repetition of the loop is finished.
Abstract translation: 目的：提供一种用于检查数据通信系统中的奇偶校验位的装置和方法，其能够仅在n个重复循环期间检查具有2n位长度的数据的奇偶校验，以减少校验奇偶校验所需的时间。 构成：奇偶校验位检查装置包括用于存储要检查的数据或异或结果的第一和第二临时存储寄存器，用于将存储在第一临时存储寄存器中的值移位到与第一临时存储寄存器的一半长度相对应的位的移位器 要检查的数据或异或结果值，以及用于对分别存储在第一和第二临时存储寄存器中的值进行异或运算的逻辑装置。 该装置还具有一个控制器，该控制器检查数据的长度并确定循环的重复次数以将异或结果存储在第一和第二临时存储寄存器中，并且根据最终的数据执行数据的奇偶校验处理 完成与循环重复次数相同的异或处理时临时存储寄存器的存储值。
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公开(公告)号：KR2019990023459U
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR2019970035839
申请日：1997-12-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 강명구
Abstract: 본 고안은 김치저장고에 관한 것으로, 김치저장고의 수용부에 김치통을 용이하게 꺼내거나 수납할 수 있어 사용이 편리하도록 된 것이다.
본 고안은, 김치통을 수용할 수 있도록 수용부(11)를 갖춘 몸체(10)와, 이 몸체(10)의 상부 후면에 힌지(30)를 매개로 회동가능하게 설치됨과 더불어 상기 수용부(11)의 내부를 미폐시킬 수 있도록 된 도어(20)로 이루어진 김치저장고에 있어서, 상기 수용부(11)의 측면상부에서 중앙부까지는 하부로 수직안내홈(12)이 형성됨과 더불어 이 위치에서는 수직안내홈(12)에 직교하도록 형성된 수평안내홈(13)이 형성되는 한편, 상기 수직/수평안내홈(12,13)에 김치통을 수용한 상태로 안내되어 최하부에 적재된 김치통(A,B,C)의 상부에 선택적으로 적재할 수 있도록 된 저장용기(100)가 갖춰진 구조로 되어 있다.
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