公开(公告)号：KR1020130056011A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：KR1020110121729

申请日：2011-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 최재영 ,  유원종 ,  라창호 ,  심전자

IPC: H01L31/10

CPC classification number: B82Y30/00 ,  G01J1/42

Abstract: 복합투명전극을포함하는그래핀기반포토디텍터와그 제조방법및 포토디텍터를포함하는장치에관해개시되어있아. 일실시예에의한그래핀기반포토디텍터는기판과, 기판상에구비된그래핀층과, 상기그래핀층상에형성되고, 서로이격된제1 및제2 전극을포함하고, 상기제1 및제2 전극은복합투명전극을포함한다. 이러한포토디텍터에서, 상기제1 및제2 전극의복합투명전극은다른구성을가질수 있다.

Abstract translation: 目的：提供一种基于石墨烯的光电检测器，其包括复合透明电极及其制造方法，以及包括该透明电极的制造方法和装置，通过使用柔性基板来灵活地实现光电检测器。 构成：在基板上形成石墨烯层（34）。 衬底包括依次层压的硅层（30）和氧化硅层（32）。 第一电极和第二电极分别形成在石墨烯层上。 第一电极包括依次层压的第一底电极（36）和第一顶电极（38）。 第二电极包括依次层压的第二底部电极（46）和第二顶部电极（48）。

公开(公告)号：KR1020130007062A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020110063127

申请日：2011-06-28

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 유원종 ,  라창호 ,  이대영 ,  이승환

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/792

Abstract: PURPOSE: A nonvolatile memory device using the hysteresis property of graphene, a manufacturing method thereof, and an operating method thereof are provided to improve the operation margin of a memory device by forming a graphene layer with a chemical vapor deposition method. CONSTITUTION: A data storage layer(36) is formed on a substrate. A gate electrode(40) is separated from the data storage layer. An insulation layer is formed between the gate electrode and the data storage layer. A source region and a drain region are formed on both sides of the data storage layer. A channel layer connects the source region to the drain region.

Abstract translation: 目的：提供使用石墨烯的滞后特性的非易失性存储器件及其制造方法及其操作方法，以通过用化学气相沉积法形成石墨烯层来改善存储器件的操作余量。 构成：在基板上形成数据存储层（36）。 栅电极（40）与数据存储层分离。 在栅电极和数据存储层之间形成绝缘层。 源极区域和漏极区域形成在数据存储层的两侧。 沟道层将源极区域连接到漏极区域。

公开(公告)号：KR1020130006873A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020110061804

申请日：2011-06-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 장강 ,  유원종 ,  라창호

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L29/1606 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144

Abstract: 그래핀과상변화물질을포함하는불휘발성메모리소자와그 제조및 동작방법이개시되어있다. 일실시예에의한불휘발성메모리소자는기판과, 소스및 드레인전극과, 상기소스및 드레인전극사이의상기기판상에구비된게이트필터와, 상기게이트필터를통과한광이조사되는그래핀층을포함하고, 상기게이트필터는적층된투명전극및 상변화물질층을포함한다. 상기게이트필터는상기그래핀층의위 또는아래에구비될수 있다. 상기게이트필터는상기상변화물질층과함께적어도하나의투명전극을포함할수 있다.

Abstract translation: 目的：提供包括石墨烯和相变材料的非易失性存储器件，以通过测量在石墨烯层中产生的光电流来读取数据来比PRAM更快地存取数据。 构成：衬底（30）包括第一杂质区（32）和第二杂质区（34）。 在第一和第二杂质区之间的衬底上形成石墨烯层（36）。 第一透明电极（38）形成在石墨烯层上。 在第一透明电极上形成相变材料层（40）。 第二透明电极（42）形成在相变材料层上。