公开(公告)号：KR102232755B1

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020150049075A

申请日：2015-04-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 라창호 ,  유원종 ,  파이살 아흐메드 ,  양정 ,  유효지 ,  박성준 ,  이재호

IPC: H01L27/04 ,  C01B19/04

CPC classification number: H01L29/772 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78681 ,  C01B19/04 ,  H01L21/467 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66409 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696

Abstract: 2차원 물질을 이용한 전자소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 전자소자는 밴드갭을 갖는 2차원 물질층을 포함할 수 있다. 여기서, 2차원 물질층은 2개의 다층 2차원 물질 영역과 그 사이에 배치된 채널 영역을 포함할 수 있다. 전자소자의 전극은 다층 2차원 물질 영역에 전기적으로 접촉할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130077405A

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：KR1020110146099

申请日：2011-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 유원종 ,  이대영 ,  장강 ,  라창호 ,  임영대 ,  정현종 ,  최재영

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66833

Abstract: PURPOSE: A memory device consisting of one graphene transistor and a method for manufacturing and operating the same are provided to perform a high speed operation by using a graphene channel. CONSTITUTION: A first, a second, and a third electrode are separated from each other. A graphene layer (34) is in contact with the second and the third electrode. The graphene layer is insulated from the first electrode. The graphene layer is a memory layer. The graphene layer has the density of charge trap sites.

Abstract translation: 目的：提供由一个石墨烯晶体管组成的存储器件及其制造和操作方法，以通过使用石墨烯通道来执行高速操作。 构成：第一，第二和第三电极彼此分离。 石墨烯层（34）与第二和第三电极接触。 石墨烯层与第一电极绝缘。 石墨烯层是记忆层。 石墨烯层具有电荷陷阱位置的密度。

公开(公告)号：KR1020130085329A

公开(公告)日：2013-07-29

申请号：KR1020120006412

申请日：2012-01-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 유원종 ,  라창호 ,  이대영 ,  이성주

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H03K19/20 ,  H01L29/1606 ,  H03K19/215

Abstract: 그래핀을이용한논리소자와그 제조및 동작방법에관해개시되어있다. 본발명의일 실시예에의한논리소자는그래핀을채널로구비하는그래핀트랜지스터와, 상기그래핀을사이에두고상기그래핀트랜지스터의게이트전극과마주하는광 밸브층를포함한다. 상기그래핀트랜지스터는게이트전극이상기채널위에있는탑(top) 구조이거나상기게이트전극이상기채널아래에있는바텀(bottom) 구조일수 있다. 상기광 밸브층은상기그래핀층상에형성된상변화층과, 상기상변화층상에형성된투광성게이트전극을포함할수 있다.

Abstract translation: 目的：使用图形的逻辑器件及其制造和操作方法使用石墨烯作为通道并且可以高速操作。 构成：逻辑器件包括石墨烯晶体管（26）和光阀层。 光阀包括石墨烯作为通道。 光阀层面对具有石墨烯位于中间的石墨烯晶体管的栅电极。 光阀层包括相变层（32）和透光栅电极（34）。 相变层形成在石墨烯层上。 透光栅极形成在相变层上。

公开(公告)号：KR1020160120057A

公开(公告)日：2016-10-17

申请号：KR1020150049075

申请日：2015-04-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 라창호 ,  유원종 ,  아흐메드파이살 ,  양정 ,  유효지 ,  박성준 ,  이재호

IPC: H01L27/04 ,  C01B19/04

CPC classification number: H01L29/78681 ,  H01L21/467 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78696

Abstract: 2차원물질을이용한전자소자및 그제조방법이개시된다. 개시된전자소자는밴드갭을갖는 2차원물질층을포함할수 있다. 여기서, 2차원물질층은 2개의다층 2차원물질영역과그 사이에배치된채널영역을포함할수 있다. 전자소자의전극은다층 2차원물질영역에전기적으로접촉할수 있다.

Abstract translation: 电子设备包括具有带隙的2D材料层。 2D材料层包括两个多层2D材料区域和它们之间的沟道区域。 第一电极电接触所述多层2D材料区域中的一个，并且第二电极与所述多层2D材料区域中的另一个电接触。

公开(公告)号：KR102232755B1

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020150049075

申请日：2015-04-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 라창호 ,  유원종 ,  아흐메드파이살 ,  양정 ,  유효지 ,  박성준 ,  이재호

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 2차원물질을이용한전자소자및 그제조방법이개시된다. 개시된전자소자는밴드갭을갖는 2차원물질층을포함할수 있다. 여기서, 2차원물질층은 2개의다층 2차원물질영역과그 사이에배치된채널영역을포함할수 있다. 전자소자의전극은다층 2차원물질영역에전기적으로접촉할수 있다.

公开(公告)号：KR102216542B1

公开(公告)日：2021-02-17

申请号：KR1020140061167

申请日：2014-05-21

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 최민섭 ,  유원종 ,  곡덕순 ,  라창호 ,  유효지 ,  이승환 ,  이지아

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/8605 ,  H01L21/761 ,  H01L21/31

Abstract: 2차원물질을이용한수평형다이오드를포함하는전자소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된전자소자제조방법은기판상에절연막을형성하는단계, 상기절연막상에 2차원물질층을형성하는단계및 상기 2차원물질층을 N형영역과 P형영역으로구분하는단계를포함하고, 상기 N형영역과상기 P형영역은동일한두께로형성한다. 상기 2차원물질층을 N형영역과 P형영역으로구분하는단계는상기 2차원물질층상에이격된제1 및제2 전극을형성하는단계및 상기제1 및제2 전극사이의상기 2차원물질층의일부를상기 P형영역으로변화시키는단계를포함한다. 상기 2차원물질층의일부를상기 P형영역으로변화시키는단계는상기 2차원물질층의상기 N형영역에대응하는영역을마스크층으로덮는단계및 상기 2차원물질층의상기 P형영역에대응하는영역을졸-겔층으로덮는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020150134166A

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：KR1020140061167

申请日：2014-05-21

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 최민섭 ,  유원종 ,  곡덕순 ,  라창호 ,  유효지 ,  이승환 ,  이지아

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/8605 ,  H01L21/761 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/032 ,  H01L31/054 ,  Y02E10/52

Abstract: 2차원물질을이용한수평형다이오드를포함하는전자소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된전자소자는 P형영역과 N형영역을포함하는 TMDC층(반도체특성을나타내는 2차원물질)을기판상에구비하고, 상기 TMDC층의상기 P형영역상에는광전효율을높이는미립자가분포되어있다. 개시된전자소자의제조방법은기판상에절연막을형성하는과정과, 상기절연막상에 2차원물질층을형성하는과정과, 상기 2차원물질층을 N형영역과 P형영역으로구분하는과정을포함한다.

Abstract translation: 公开了一种电子设备，其包括使用二维材料的水平二极管及其制造方法。 所公开的电子器件具有在基板上包括p型区域和n型区域的TMDC层（表示半导体特性的二维材料），并且增加光电效率的粒子分布在TMDC的p型区域中 层。 所公开的电子器件的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成绝缘层; 在绝缘层上形成二维材料层; 并将二维材料层分成n型区域和p型区域。

公开(公告)号：KR101539671B1

公开(公告)日：2015-07-27

申请号：KR1020110121729

申请日：2011-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 최재영 ,  유원종 ,  라창호 ,  심전자

IPC: H01L31/10

CPC classification number: B82Y30/00 ,  G01J1/42

Abstract: 복합투명전극을포함하는그래핀기반포토디텍터와그 제조방법및 포토디텍터를포함하는장치에관해개시되어있아. 일실시예에의한그래핀기반포토디텍터는기판과, 기판상에구비된그래핀층과, 상기그래핀층상에형성되고, 서로이격된제1 및제2 전극을포함하고, 상기제1 및제2 전극은복합투명전극을포함한다. 이러한포토디텍터에서, 상기제1 및제2 전극의복합투명전극은다른구성을가질수 있다.

公开(公告)号：KR101532313B1

公开(公告)日：2015-06-29

申请号：KR1020110061804

申请日：2011-06-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 장강 ,  유원종 ,  라창호

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 그래핀과상변화물질을포함하는불휘발성메모리소자와그 제조및 동작방법이개시되어있다. 일실시예에의한불휘발성메모리소자는기판과, 소스및 드레인전극과, 상기소스및 드레인전극사이의상기기판상에구비된게이트필터와, 상기게이트필터를통과한광이조사되는그래핀층을포함하고, 상기게이트필터는적층된투명전극및 상변화물질층을포함한다. 상기게이트필터는상기그래핀층의위 또는아래에구비될수 있다. 상기게이트필터는상기상변화물질층과함께적어도하나의투명전극을포함할수 있다.

公开(公告)号：KR101532312B1

公开(公告)日：2015-06-29

申请号：KR1020120006412

申请日：2012-01-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 유원종 ,  라창호 ,  이대영 ,  이성주

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 그래핀을이용한논리소자와그 제조및 동작방법에관해개시되어있다. 본발명의일 실시예에의한논리소자는그래핀을채널로구비하는그래핀트랜지스터와, 상기그래핀을사이에두고상기그래핀트랜지스터의게이트전극과마주하는광 밸브층를포함한다. 상기그래핀트랜지스터는게이트전극이상기채널위에있는탑(top) 구조이거나상기게이트전극이상기채널아래에있는바텀(bottom) 구조일수 있다. 상기광 밸브층은상기그래핀층상에형성된상변화층과, 상기상변화층상에형성된투광성게이트전극을포함할수 있다.