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公开(公告)号：KR101497665B1
公开(公告)日：2015-03-03
申请号：KR1020090015440
申请日：2009-02-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H02S40/22 , H01L35/32 , H01L31/0735 , H01L31/054
Abstract: 분리형 집광 태양전지 시스템에 관하여 개시된다. 개시된 분리형 집광 태양전지 시스템은, 태양광을 수광하는 집광부; 상기 집광부로부터의 광을 받아서 출력되는 광량을 조절하는 광량제어수단; 상기 집광부로부터 상기 광량제어수단으로 광을 이송하는 광케이블; 및 상기 광량제어수단으로부터의 광이 조사되어 전기를 생성하는 태양전지 모듈;을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020100096529A
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：KR1020090015440
申请日：2009-02-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H02S40/22 , H01L35/32 , H01L31/0735 , H01L31/054
Abstract: PURPOSE: A split type light concentration solar battery system is provided to improve the photoelectric efficiency of a solar cell module by controlling the amount of solar light with a light control part. CONSTITUTION: A light concentration part concentrates sunlight. A light control part(130) controls the quantity of light which is outputted after receiving light from the light concentration part. An optical cable guides light from the light concentration part to the light control part. A solar cell module generates electricity by irradiating light from the light control part. A body(131) comprises a connection groove in which a plurality of optical cables are connected. A beam splitter(133) partitions light from the connection groove.
Abstract translation: 目的：提供一种分体型太阳能集中太阳能电池系统，通过用光控制部件控制太阳光的量来提高太阳能电池模块的光电效率。 规定：浓度较低的部件集中阳光。 光控制部分（130）控制从光聚集部分接收光之后输出的光量。 光缆将来自光集中部的光引导到光控制部。 太阳能电池模块通过照射来自光控制部的光来发电。 主体（131）包括连接多个光缆的连接槽。 分束器（133）分隔来自连接槽的光。
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公开(公告)号：KR101532313B1
公开(公告)日：2015-06-29
申请号：KR1020110061804
申请日：2011-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 그래핀과상변화물질을포함하는불휘발성메모리소자와그 제조및 동작방법이개시되어있다. 일실시예에의한불휘발성메모리소자는기판과, 소스및 드레인전극과, 상기소스및 드레인전극사이의상기기판상에구비된게이트필터와, 상기게이트필터를통과한광이조사되는그래핀층을포함하고, 상기게이트필터는적층된투명전극및 상변화물질층을포함한다. 상기게이트필터는상기그래핀층의위 또는아래에구비될수 있다. 상기게이트필터는상기상변화물질층과함께적어도하나의투명전극을포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130006873A
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020110061804
申请日：2011-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L29/1606 , H01L45/1233 , H01L45/144
Abstract: 그래핀과상변화물질을포함하는불휘발성메모리소자와그 제조및 동작방법이개시되어있다. 일실시예에의한불휘발성메모리소자는기판과, 소스및 드레인전극과, 상기소스및 드레인전극사이의상기기판상에구비된게이트필터와, 상기게이트필터를통과한광이조사되는그래핀층을포함하고, 상기게이트필터는적층된투명전극및 상변화물질층을포함한다. 상기게이트필터는상기그래핀층의위 또는아래에구비될수 있다. 상기게이트필터는상기상변화물질층과함께적어도하나의투명전극을포함할수 있다.
Abstract translation: 目的：提供包括石墨烯和相变材料的非易失性存储器件，以通过测量在石墨烯层中产生的光电流来读取数据来比PRAM更快地存取数据。 构成：衬底（30）包括第一杂质区（32）和第二杂质区（34）。 在第一和第二杂质区之间的衬底上形成石墨烯层（36）。 第一透明电极（38）形成在石墨烯层上。 在第一透明电极上形成相变材料层（40）。 第二透明电极（42）形成在相变材料层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130077405A
公开(公告)日：2013-07-09
申请号：KR1020110146099
申请日：2011-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L29/792 , H01L29/4234 , H01L29/66833
Abstract: PURPOSE: A memory device consisting of one graphene transistor and a method for manufacturing and operating the same are provided to perform a high speed operation by using a graphene channel. CONSTITUTION: A first, a second, and a third electrode are separated from each other. A graphene layer (34) is in contact with the second and the third electrode. The graphene layer is insulated from the first electrode. The graphene layer is a memory layer. The graphene layer has the density of charge trap sites.
Abstract translation: 目的：提供由一个石墨烯晶体管组成的存储器件及其制造和操作方法，以通过使用石墨烯通道来执行高速操作。 构成：第一，第二和第三电极彼此分离。 石墨烯层（34）与第二和第三电极接触。 石墨烯层与第一电极绝缘。 石墨烯层是记忆层。 石墨烯层具有电荷陷阱位置的密度。
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公开(公告)号：KR102150251B1
公开(公告)日：2020-09-02
申请号：KR1020140119294
申请日：2014-09-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
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公开(公告)号：KR1020160029981A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：KR1020140119294
申请日：2014-09-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L29/78642 , H01L29/78696
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체장치는, 기판상에제1 방향으로서로이격되어분리영역을사이에두고배치되는게이트적층물들, 게이트적층물들을관통하며, 각각의게이트적층물내에배치되는채널영역들, 및분리영역에인접하게배치되며게이트적층물들의적어도일부를관통하고, 분리영역을향하여구부러진벤딩부를갖는가이드영역을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的具有改进的可靠性的半导体包括栅极层压体，其在基板上沿第一方向彼此分离并且被分离区域分隔，穿过栅极层压板的沟道区域被布置在 栅极层叠体和与分离区域相邻的引导区域贯通至少部分栅极层叠体，并具有向分离区域弯曲的弯曲部。
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公开(公告)号：KR1020140106173A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：KR1020130020381
申请日：2013-02-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/792 , H01L27/1052 , H01L27/11575 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L27/2481 , H01L29/66833 , H01L29/7827 , H01L29/7926 , H01L21/76877 , H01L21/823487
Abstract: A vertical memory device comprises a plurality of channel columns, a charge storage film structure, and a plurality of gate electrodes. Each of the channel columns includes a plurality of channels which is extended on a substrate along a first direction perpendicular to an upper surface of the substrate and is arranged along a third direction parallel with the upper surface of the substrate. The charge storage film structure includes a tunnel insulation film pattern, a charge storage film pattern, and a blocking film pattern, which encloses the charge storage film patterns formed on sidewalls of the channels included in the respective channel columns, which are sequentially stacked on the sidewalls of the respective channels. The gate electrodes are arranged to be apart from each other in the first direction on the sidewall of the respective charge storage film structure. Each of the charge storage film patterns can include two charge storage positions which are apart from each other in the second direction around each channel.
Abstract translation: 垂直存储器件包括多个通道列，电荷存储膜结构和多个栅电极。 每个通道列包括多个通道，其沿着垂直于衬底的上表面的第一方向在衬底上延伸并且沿着与衬底的上表面平行的第三方向布置。 电荷存储膜结构包括隧道绝缘膜图案，电荷存储膜图案和阻挡膜图案，其包围形成在各个通道列中包括的通道的侧壁上的电荷存储膜图案，其依次堆叠在 各个通道的侧壁。 栅电极被布置为在相应的电荷存储膜结构的侧壁上沿第一方向彼此分开。 每个电荷存储膜图案可以包括在每个通道周围的第二方向上彼此分开的两个电荷存储位置。
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公开(公告)号：KR102054181B1
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：KR1020130020381
申请日：2013-02-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
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