公开(公告)号：KR101878730B1

公开(公告)日：2018-07-16

申请号：KR1020110029848

申请日：2011-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  최재영 ,  박지훈 ,  안종렬

IPC: C01B31/02 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/02587 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/188 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1606

Abstract: 3차원그래핀구조체, 그의제조방법및 전사방법이제공된다. 3차원형태의기판상에서 3차원그래핀구조체를형성한후, 이를가스삽입후 분리하여원하는다른절연성필름상에손상없이전사할수 있는방법이제공된다.

公开(公告)号：KR1020130006869A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020110061796

申请日：2011-06-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  최재영 ,  안종렬 ,  서정탁

IPC: C01B31/02 ,  B32B18/00 ,  H01B1/04 ,  H01L21/331

CPC classification number: B32B9/04 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02656 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/778 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884 ,  H01M4/96 ,  H01M8/0234 ,  H01M8/086 ,  H01M8/1007 ,  H01M8/1011 ,  H01M8/103 ,  H01M8/1041 ,  Y02E10/50 ,  Y02E60/523 ,  Y02P70/56 ,  C01B32/184

Abstract: PURPOSE: A graphene layered structure, a manufacturing method thereof and a transparent electrode and transistor comprising the same are provided to not need separate transcription process and to prevent damages of graphene by directly growing the graphene on an insulator. CONSTITUTION: A manufacturing method of a graphene layered structure comprises: a step of injecting at least one kind of gas ions selected from a nitrogen ion(2) and an oxygen ion, into the surface of a silicon carbide thin film(1) to forming an ion injection layer inside the silicon carbide thin film; a step of heat-treating the silicon carbide thin film for graphenization of the carbide thin film surface layer. The ion injection layer is a nitride silicon layer. The thickness of the ion injection layer is 230 nm or less. The heat-treatment is conducted at 1,000-2,000°C for 0.001-10 hours.

Abstract translation: 目的：提供石墨烯层状结构，其制造方法以及包含该石墨烯层状结构的透明电极和晶体管，以便不需要单独的转录过程，并且通过在绝缘体上直接生长石墨烯来防止石墨烯损坏。 构成：石墨烯层状结构的制造方法包括：将从氮离子（2）和氧离子中选择的至少一种气体离子注入碳化硅薄膜（1）的表面的步骤，以形成 碳化硅薄膜内的离子注入层; 对用于碳化物薄膜表面层的石墨化的碳化硅薄膜进行热处理的步骤。 离子注入层是氮化硅层。 离子注入层的厚度为230nm以下。 热处理在1000〜2000℃进行0.001-10小时。

公开(公告)号：KR101931217B1

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：KR1020170029984

申请日：2017-03-09

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종렬 ,  안성준 ,  김현우

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/20

Abstract: 기판 상에 다각형 결정 구조를 포함하는 제 1물질층을 형성하는 단계; 상기 제 1물질층을 열처리하여 상기 다각형 결정 구조와 동일한 결정 구조를 포함하는 제 2물질층으로 변환시키는 단계; 및 상기 기판 상에서 상기 다각형 결정구조와 동일한 결정구조를 포함하는 제 3물질층을 성장시키는 단계;를 포함하고, 상기 제 2물질층의 다각형 결정구조와 상기 제 3물질층의 다각형 결정구조가 서로 상이한 방향성을 가지고 엇갈려서 적층된 것인, 2차원 준결정 구조체의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR102062124B1

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：KR1020170160112

申请日：2017-11-28

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종렬 ,  김은혜

IPC: H01L29/16 ,  H01L21/768 ,  H01L21/324 ,  H01L21/027

公开(公告)号：KR1020180103278A

公开(公告)日：2018-09-19

申请号：KR1020170029984

申请日：2017-03-09

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종렬 ,  안성준 ,  김현우

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/20

Abstract: 기판상에다각형결정구조를포함하는제 1물질층을형성하는단계; 상기제 1물질층을열처리하여상기다각형결정구조와동일한결정구조를포함하는제 2물질층으로변환시키는단계; 및상기기판상에서상기다각형결정구조와동일한결정구조를포함하는제 3물질층을성장시키는단계;를포함하고, 상기제 2물질층의다각형결정구조와상기제 3물질층의다각형결정구조가서로상이한방향성을가지고엇갈려서적층된것인, 2차원준결정구조체의제조방법에관한것이다.