公开(公告)号：KR1020110053012A

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：KR1020090109796

申请日：2009-11-13

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  최재영 ,  한강희 ,  이영희

IPC: B32B9/00 ,  B32B7/12 ,  B32B37/12 ,  C01B31/04

CPC classification number: C01B31/0446 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B15/08 ,  B32B27/28 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B27/40 ,  B32B38/10 ,  C01B32/184 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  G09F3/10 ,  H01L21/683 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/30 ,  Y10T428/31511 ,  Y10T428/31551 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T428/31855 ,  Y10T428/31971 ,  B32B9/007 ,  B32B37/12 ,  B32B2037/1215 ,  C01B32/194 ,  C01B2204/02 ,  C01B2204/04 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing graphene laminate is provided to firmly bind graphene and a substrate and to minimize defect. CONSTITUTION: A graphene laminate contains: a substrate; a binder layer formed on the substrate; and graphene formed on the binder layer. The substrate and graphene are combined by the binder layer. The binder layer is harden from room temperature curable resin, thermosetting resin, hot-melt resin, or pressure sensitive resin. A method for manufacturing the graphene laminate comprises: a step of forming the graphene on a graphite catalyst metal film; a applying a composition for forming the binder layer on one side of the substrate; a step of contacting the substrate and graphite catalyst metal film; a step of hardening the composition to form binder layer; and a step of removing the graphite catalyst metal film.

Abstract translation: 目的：提供用于制造石墨烯层压板的方法，以牢固地结合石墨烯和基底，并使缺陷最小化。 构成：石墨烯层压板包含：基材; 形成在基板上的粘合剂层; 和在粘合剂层上形成的石墨烯。 基底和石墨烯通过粘合剂层组合。 粘合剂层由室温固化树脂，热固性树脂，热熔树脂或压敏树脂硬化。 石墨烯层压体的制造方法包括：在石墨催化剂金属膜上形成石墨烯的工序; 在基材的一面上涂布用于形成粘合剂层的组合物; 使基板和石墨催化剂金属膜接触的工序; 硬化组合物以形成粘合剂层的步骤; 以及去除石墨催化剂金属膜的步骤。

公开(公告)号：KR101347860B1

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：KR1020110078258

申请日：2011-08-05

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  주식회사 엘피나노연구소

Inventor： 이영희 ,  한강희

IPC: C01B31/02 ,  B01J19/08

Abstract: 본 발명은 자외선 노광을 통한 산화 그래핀 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 좀 더 자세하게는, 그래핀을 자외선 노광시켜서 산화 그래핀을 제작하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 자외선 노광을 통해 제작된 산화 그래핀은 기존의 산처리 과정 등의 위험성과, 장시간 처리해야 하는 문제점을 해결하였으며, 그래핀이 산화되면서 세정 효과도 볼 수 있다. 또한, 노광 시간의 변화를 통해 산소의 함유량을 변화시킴으로써 다양한 밴드갭을 가진 흑연 기반의 물질을 제작할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130015921A

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：KR1020110078258

申请日：2011-08-05

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  주식회사 엘피나노연구소

Inventor： 이영희 ,  한강희

IPC: C01B31/02 ,  B01J19/08

CPC classification number: C01B32/23 ,  B01J19/123

Abstract: PURPOSE: A graphene oxide using ultraviolet exposure and a manufacturing method thereof are provided to manufacture materials based on graphite having various band gaps by diversifying contents of oxygen through the change of the exposure time. CONSTITUTION: A manufacturing method of a graphene oxide through ultraviolet exposure comprises the following steps. Graphene is exposed to ultraviolet rays to manufacture oxidized graphene. The ultraviolet exposure process is conducted by using the ultraviolet rays with the wavelength of 160-220 nanometers. The graphene is exposed with the ultraviolet rays for 3-10 minutes.

Abstract translation: 目的：提供使用紫外线照射的石墨烯氧化物及其制造方法，通过曝光时间的变化使氧含量多样化，制造具有各种带隙的石墨的材料。 构成：通过紫外线照射的氧化石墨烯的制造方法包括以下步骤。 石墨烯暴露于紫外线以制造氧化石墨烯。 通过使用波长为160-220纳米的紫外线进行紫外线曝光处理。 石墨烯用紫外线曝光3-10分钟。

公开(公告)号：KR101231182B1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：KR1020070092354

申请日：2007-09-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이해웅 ,  류창길 ,  윤병문 ,  전용명 ,  한강희

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/67757 ,  H01L21/67313

Abstract: 본 발명은 반도체 세정 설비의 웨이퍼 브로큰 방지용 웨이퍼 가이드에 대한 것으로서, 본 발명은 복수의 웨이퍼 즉 배치 단위의 웨이퍼들 하단을 지지하는 복수의 슬롯을 형성한 형성되는 하단 지지부(21)와, 상기 하단 지지부(21)의 상부에서 양측으로 각각 구비되어 상기 웨이퍼들의 측단부를 지지하도록 형성되는 측면 지지부(22)와, 상기 하단 지지부(21)와 상기 측면 지지부(22)의 양단부가 동시에 연결되고, 배쓰의 내부에 고정되도록 하는 고정부(23)와, 로봇 척(10)이 일측의 상기 고정부(23)측으로 치우쳐 로딩되면서 정상적인 정렬 범위를 벗어나면 상기 로봇 척(10)의 홀더부(13)의 클로즈 작동에 오류가 발생되도록 하여 웨이퍼 척킹이 이루어지지 않도록 상기 양측의 고정부(23)에 각각 구비되는 스토퍼(24)로서 이루어지도록 하여 로봇 척(10)의 로딩 과정에서 정상적인 정렬 범위를 벗어나 웨이퍼 가이드(20)에 로딩되면 로봇 척(10)의 클로즈 작동에 오류가 발생되도록 하여 웨이퍼 척킹에 따른 웨이퍼 브로큰을 미연에 방지할 수 있도록 하는 것이다.
반도체 세정, 로봇 척, 웨이퍼 가이드, 웨이퍼 브로큰

公开(公告)号：KR1020080096065A

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：KR1020070040973

申请日：2007-04-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종국 ,  윤병문 ,  류창길 ,  전용명 ,  한강희

IPC: H01L21/304

Abstract: An apparatus and a method for cleaning a substrate are provided to improve the efficiency of cleaning the substrate by preventing the washing solution from being drained out. A wet cleaning apparatus(100) comprises a housing(110), a cleaning liquid supply member(120), a dry gas supply member(130), and a drain line. The housing provides a space therein for a process which includes a cleaning process for cleaning a substrate(W) using a cleaning solution and a dry process for drying the wafer using a dry gas. The cleaning liquid supply member supplies the cleaning solution into the housing and comprises an injecting member(122) and a cleaning liquid supply line(124). The dry gas supply member supplies the dry gas into the housing and comprises an injector and a dry gas supply line(132). The drain line drains the cleaning solution in the housing during a cleaning process and includes a quick drain line(140) and a slow drain line(150).

Abstract translation: 提供一种用于清洁基板的装置和方法，以通过防止洗涤液排出而提高清洁基板的效率。 湿式清洁装置（100）包括壳体（110），清洁液体供应构件（120），干燥气体供应构件（130）和排出管线。 外壳在其中提供了一个空间，其中包括使用清洁溶液清洁基底（W）的清洁方法和使用干燥气体干燥晶片的干燥方法。 清洗液供给部件将清洗液供给到壳体内，并具有喷射部件（122）和清洗液供给管线（124）。 干燥气体供应构件将干燥气体供应到壳体中并且包括喷射器和干燥气体供应管线（132）。 在清洁过程中，排水管线将清洁溶液排出到壳体中，并且包括快速排水管线（140）和缓慢的排水管线（150）。

公开(公告)号：KR1020090027267A

公开(公告)日：2009-03-17

申请号：KR1020070092354

申请日：2007-09-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이해웅 ,  류창길 ,  윤병문 ,  전용명 ,  한강희

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/67757 ,  H01L21/67313

Abstract: A wafer guide for preventing wafer broken of semiconductor cleaning equipment is provided to prevent the damage of wafer by generating the error in the close operation of the robot chuck if the loading location of the robot chuck deviates from over the specified range. The lower supporting part(21) supports the wafer bottom. The lateral support(22) is formed at both sides of the top of the lower supporting part. The lateral supporting part supports the lateral edge of wafers. The fixing unit(23) is connected to the lower supporting part and lateral support. Moreover, the fixing unit is fixed inside the bath. The stopper(24) is equipped in the fixing unit of the both sides. If the robot chuck(10) is out of the normal range, the stopper stops the chucking of wafer by generating the error in the close operation of robot.

Abstract translation: 提供了用于防止半导体清洁设备的晶片断裂的晶片引导件，用于通过在机器人卡盘的装载位置偏离超过指定范围的情况下通过在机器人卡盘的闭合操作中产生误差来防止晶片的损坏。 下支撑部分（21）支撑晶片底部。 侧支撑件（22）形成在下支撑部分的顶部的两侧。 横向支撑部分支撑晶圆的侧边缘。 固定单元（23）连接到下支撑部分和横向支撑件。 此外，固定单元固定在浴槽内。 在两侧的固定单元中配备有止动件（24）。 如果机器人卡盘（10）超出正常范围，则通过在机器人的关闭操作中产生错误，止动器停止夹紧晶片。