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公开(公告)号：KR1020150016789A
公开(公告)日：2015-02-13
申请号：KR1020130092667
申请日：2013-08-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66742 , H01L29/78696 , H01L29/66969 , H01L29/78606
Abstract: 개시된 박막 트랜지스터는, 아연(zinc), 질소(nitrogen) 및 산소(oxygen)를 포함하는 채널층; 상기 채널층 상에 마련되며, 불소(fluorine)를 포함하는 식각 정지층; 상기 채널층의 양 측에 각각 접촉된 소스 및 드레인 전극; 상기 채널층에 대응하도록 구비된 게이트 전극; 및 상기 채널층과 상기 게이트 전극 사이에 구비된 게이트 절연층;을 포함한다.
Abstract translation: 所公开的薄膜晶体管包括包含锌，氮和氧的沟道层，蚀刻停止层，其形成在沟道层上并且分别包括与沟道层的两侧接触的氟，源极和漏极 形成为对应于沟道层的栅极电极和形成在沟道层和栅电极之间的栅极绝缘层。
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公开(公告)号：KR1020150016034A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：KR1020130092247
申请日：2013-08-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78696
Abstract: 징크 옥시나이트라이드 계의 다중 채널층을 가진 박막 트랜지스터가 개시된다. 개시된 박막 트랜지스터는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상의 게이트 절연층과, 상기 게이트 절연층 상에 순차적으로 형성된 하부 채널층 및 상부 채널층을 포함하는 징크 옥시나이트라계 채널층과, 상기 복수의 채널층 각각의 양단과 접촉하게 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.
상기 상부 채널층은 상기 하부 채널층 보다 전기적 저항성이 높으며,
상기 상부 채널층은 상기 소스 전극과 접촉하는 제1영역과 상기 드레인 전극과 접촉하는 제2영역과 상기 제1영역 및 상기 제2영역 사이의 중간 영역을 포함하며, 상기 제1영역 및 상기 제2영역은 상기 중간 영역 보다 높은 캐리어 농도를 가진 영역이다.Abstract translation: 公开了具有氮氧化锌多通道层的薄膜晶体管。 薄膜晶体管包括栅电极，栅电极上的栅极绝缘层，在栅极绝缘层上依次形成具有上沟道层和下沟道层的氧氮化锌沟道层，源电极和 分别接触通道层的两端的漏电极。 上通道层与下通道层相比具有较高的电阻。 上沟道层包括接触源极的第一区域，接触漏电极的第二区域和第一区域与第二区域之间的中间区域。 与中部地区相比，第一区域和第二区域的载流子浓度较高。
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公开(公告)号：KR101980196B1
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：KR1020120143031
申请日：2012-12-10
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성디스플레이 주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
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公开(公告)号：KR1020150068746A
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：KR1020130154775
申请日：2013-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/127 , H01L27/1288
Abstract: 박막트랜지스터제조방법및 이에의해제조되는박막트랜지스터, 이를구비하는디스플레이가개시된다. 개시된박막트랜지스터제조방법에따르면, 게이트절연층, 채널층, 제1식각정지층을순차로증착하는단계와, 제1식각정지층상에제1식각정지층의일부영역이노출되도록제1부분과이보다작은크기의제2부분의이중구조로된 포토레지스트층을형성하는단계와, 포토레지스트층을마스크로하여제1식각정지층의노출부분을일차로건식식각하는단계와, 습식식각에의해채널층을측면으로부터식각하고, 포토레지스트애싱공정으로포토레지스트층의일부두께를제거하는단계와, 포토레지스트층을마스크로하여포토레지스트층일부두께를제거하여노출된제1식각정지층부분을이차로건식식각하여, 제1식각정지층이채널층에대해단차지도록형성한다.
Abstract translation: 公开了制造薄膜晶体管的方法，由其制造的薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示器。 根据制造薄膜晶体管的方法，该方法包括：依次沉积栅极绝缘层，沟道层和第一蚀刻停止层的步骤; 形成具有比第一部分小的第一部分和第二部分的双重结构的光致抗蚀剂层的步骤，以暴露第一蚀刻停止层上的第一蚀刻停止层的一部分; 首先通过使用光致抗蚀剂层作为掩模对第一蚀刻停止层的暴露部分进行干蚀刻工艺; 从侧面湿蚀刻沟道层并通过光致抗蚀剂灰化处理部分去除光致抗蚀剂层的厚度的步骤; 以及通过使用光致抗蚀剂层作为掩模来部分去除光致抗蚀剂层的厚度的步骤，对暴露的第一蚀刻停止层进行二次干法蚀刻，并允许第一蚀刻停止层被阶梯化到沟道层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140070344A
公开(公告)日：2014-06-10
申请号：KR1020130097345
申请日：2013-08-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성디스플레이 주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/26 , H01L27/1225 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: A semiconductor material, a transistor including semiconductor material, and an electronic device including a transistor are provided. The disclosed semiconductor material may include zinc, nitrogen, and fluorine. The semiconductor material may further include oxygen. The semiconductor material may further include a compound, such as, zinc fluorooxynitride, zinc oxynitride containing fluorine, and zinc fluoronitride. The semiconductor material can be used for the channel material of a thin film transistor.
Abstract translation: 提供半导体材料，包括半导体材料的晶体管和包括晶体管的电子器件。 所公开的半导体材料可以包括锌，氮和氟。 半导体材料还可以包括氧。 半导体材料还可以包括化合物，例如氟氧氮化锌，含氟的氮氧化锌和氟氮化锌。 半导体材料可用于薄膜晶体管的沟道材料。
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公开(公告)号：KR1020080038536A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：KR1020060105524
申请日：2006-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: An apparatus and a method for inspecting an alignment film of a liquid crystal display are provided to improve detection performance of alignment film defects by increasing dispersion of light. An apparatus for inspecting an alignment film of a liquid crystal display includes an illumination apparatus(10), a charge coupled device(20), an image processor(40), and a transfer device(30). The illumination apparatus is spaced apart from a substrate(100) on which an alignment film(11) is formed. The charge coupled device is spaced apart from the illumination apparatus. The image processor is connected to the charge coupled device. The transfer device mounts the substrate thereon to convey the substrate. The image processor checks defects of the alignment film using an image generated by the charge coupled device.
Abstract translation: 提供了用于检查液晶显示器的取向膜的装置和方法，以通过增加光的分散度来改善取向膜缺陷的检测性能。 用于检查液晶显示器的取向膜的装置包括照明装置（10），电荷耦合装置（20），图像处理器（40）和转印装置（30）。 照明装置与其上形成有取向膜（11）的基板（100）间隔开。 电荷耦合器件与照明设备间隔开。 图像处理器连接到电荷耦合器件。 转移装置将基板安装在其上以输送基板。 图像处理器使用由电荷耦合器件产生的图像来检查取向膜的缺陷。
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公开(公告)号：KR1020080022348A
公开(公告)日：2008-03-11
申请号：KR1020060085692
申请日：2006-09-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김선재
IPC: G02F1/13 , G02F1/1345
CPC classification number: G02F1/1309 , G01N21/88 , G01N29/0609 , G08B21/18
Abstract: An apparatus for manufacturing a liquid crystal display device is provided to control an alarm part and to output an alarm signal through a control part when an impurity existing signal is detected from an impurity sensing part for preventing a liquid crystal display panel from being damaged, thereby reducing a defect of the product. An apparatus for manufacturing a liquid crystal display device comprises a backup stage(110), and an impurity sensing part(130). A liquid crystal display panel is mounted on the backup stage. The impurity sensing part detects impurities on the backup stage and outputs an impurity existing signal. An alarm part outputs an alarm signal. A control part controls the alarm part to output the alarm signal when the impurity existing signal is generated from the impurity sensing part. The alarm signal is outputted when the size of the sensed impurity exceeds 0.25mm. The impurity sensing part is one of an optical sensor and an ultrasonic sensor. The liquid crystal display panel is prevented from being damaged.
Abstract translation: 提供了一种用于制造液晶显示装置的装置，用于当从杂质检测部分检测到杂质存在信号以防止液晶显示面板损坏时，通过控制部分控制报警部件并输出报警信号，从而 减少产品的缺陷。 一种用于制造液晶显示装置的装置，包括备用级（110）和杂质感测部分（130）。 液晶显示面板安装在备用台上。 杂质检测部分检测备用载台上的杂质，并输出杂质存在信号。 报警部分输出报警信号。 当从杂质检测部产生杂质存在信号时，控制部分控制报警部分输出报警信号。 当感测到的杂质的尺寸超过0.25mm时，输出报警信号。 杂质感测部分是光学传感器和超声波传感器之一。 防止液晶显示面板被损坏。
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公开(公告)号：KR1020030021269A
公开(公告)日：2003-03-15
申请号：KR1020010048000
申请日：2001-08-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김선재
CPC classification number: H04B10/80 , H04B10/501
Abstract: PURPOSE: A tributary's shelf unit for a 10Gbps optical transmission equipment is provided to reduce the use of a shelf composed as the tributary's shelf unit and the use of a rack composed as the shelf by using the tributary's shelf unit applying a multi-channel in the 10Gbps optical transmission equipment. CONSTITUTION: A main board(400) has a plurality of sub-nodes(2000) for converting an optical signal transmitted from an other optical transmission equipment into an electric signal, and performing various overhead and pointer processing. The main board(400) has an interface block(3000) for converting data outputted from a plurality of sub-nodes(2000) so that the data are transmitted to a high speed shelf unit.
Abstract translation: 目的：提供10Gbps光传输设备的支流搁架单元，以减少组成作为支流货架单元的货架的使用，以及使用构成货架的货架，通过使用支流货架单元应用多通道 10Gbps光传输设备。 构成：主板（400）具有多个子节点（2000），用于将从其他光传输设备发送的光信号转换为电信号，并执行各种开销和指针处理。 主板（400）具有用于转换从多个子节点（2000）输出的数据的接口块（3000），使得数据被发送到高速货架单元。
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公开(公告)号：KR102144992B1
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：KR1020130097345
申请日：2013-08-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성디스플레이 주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
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