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公开(公告)号：KR1020150060034A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020130143938
申请日：2013-11-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78648 , H01L29/42384 , H01L29/78696
Abstract: 이중게이트전극을가진박막트랜지스터가개시된다. 개시된박막트랜지스터는, 기판상의제1 게이트전극과, 상기제1 게이트를덮는제1 게이트절연층과, 상기제1 게이트절연층상의징크나이트라이드채널과, 상기채널의양단과각각연결된소스전극및 드레인전극과, 상기제1 게이트절연층상에서상기채널을덮는제2 게이트절연층과, 상기제2 게이트절연층상의제2 게이트전극을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种包括双栅电极的薄膜晶体管。 所公开的薄膜晶体管包括形成在基板上的第一栅极电极，覆盖第一栅极的第一栅极绝缘层，形成在第一栅极绝缘层上的氮化锌沟道，源电极和漏电极， 分别连接到沟道的两端，覆盖第一栅极绝缘层上的沟道的第二栅极绝缘层和形成在第二栅极绝缘层上的第二栅电极。
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公开(公告)号：KR1020150017040A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：KR1020130092662
申请日：2013-08-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1251 , G02F1/13624 , G02F1/136286 , H01L27/1225 , H01L27/1237 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/4908 , H01L29/78609 , H01L29/7869 , H01L29/4232 , H01L29/76825 , H01L29/7802
Abstract: 트랜지스터, 이러한 트랜지스터의 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자가 개시된다. 개시된 트랜지스터는 직렬 연결된 제1 전계효과 트랜지스터와 제2 전계효과 트랜지스터를 포함하며, 상기 제1 전계효과 트랜지스터의 제1 게이트 절연막과 상기 제2 전계효과 트랜지스터의 제2 게이트 절연막은 누설 전류(leakage current) 또는 게이트 전계(electric field) 특성이 서로 다르게 형성된다.
Abstract translation: 公开了一种晶体管及其制造方法以及包括该晶体管的电子设备。 公开的晶体管包括串联连接的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。 第一场效应晶体管的第一栅极绝缘层的漏电流或电场特性与第二场效应晶体管的第二栅极绝缘层的漏电流或电场特性不同。
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公开(公告)号：KR1020080006202A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：KR1020060065047
申请日：2006-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/13
CPC classification number: G02F1/1309 , G01B11/30
Abstract: A display substrate tester and a method thereof are provided to enhance the accuracy of a visual inspection by automatically producing the height of a protrusion formed on a display substrate. A display substrate tester(100) comprises a light source part(120), an image pickup part(130) and a measuring part(140). The light source part(120) emits light and provides it to a display substrate(200) on which a color filter layer is formed and which reveals a specific color using the light provided from the light source part(120). The image pickup part(130), such as a camera, etc., installed at the upper part of the light source part(120), photographs a protrusion area, where a protrusion is formed on the display substrate(200), and a peripheral area, which encloses the protrusion area, and creates a test image. The measuring part(140) receives the test image from the image pickup part(130), produces the color coordinate value of the protrusion area and the color coordinate value of the peripheral area on the basis of the test image, and obtains the height of the protrusion.
Abstract translation: 提供显示基板测试器及其方法，以通过自动产生形成在显示基板上的突起的高度来提高目视检查的精度。 显示基板测试器（100）包括光源部分（120），图像拾取部分（130）和测量部分（140）。 光源部分（120）发光并将其提供到其上形成滤色器层的显示基板（200），并且使用从光源部分（120）提供的光来显示特定的颜色。 安装在光源部分（120）的上部的诸如相机等的图像拾取部分（130）拍摄在显示基板（200）上形成突起的突起区域，并且 外围区域，其包围突出区域，并且创建测试图像。 测量部分（140）从图像拾取部分（130）接收测试图像，基于测试图像产生突出区域的颜色坐标值和周边区域的颜色坐标值，并且获得 突起。
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公开(公告)号：KR102147849B1
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：KR1020130092667
申请日：2013-08-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020140074742A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：KR1020120143031
申请日：2012-12-10
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성디스플레이 주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/06 , H01L29/66742
Abstract: Disclosed are a transistor, a manufacturing method thereof, and an electronic device including the transistor. The disclosed transistor may include a channel layer containing metal nitroxide and a source electrode and a drain electrode in contact with first and second regions of the channel layer. The first and second regions of the channel layer may have a carrier concentration higher than the remaining region of the channel layer by being treated with plasma. The first and second regions may be regions treated with plasma containing hydrogen. The first and second regions may contain hydrogen. The first and second regions may have an oxygen concentration lower than the remaining region of the channel region. The first and second regions may have a nitrogen concentration higher than the remaining region of the channel layer. The metal nitroxide of the channel layer may include a ZnON-based semiconductor.
Abstract translation: 公开了晶体管及其制造方法以及包括该晶体管的电子器件。 所公开的晶体管可以包括含有金属氮氧化物的沟道层和与沟道层的第一和第二区域接触的源电极和漏电极。 通过用等离子体处理，沟道层的第一和第二区域可以具有高于沟道层的剩余区域的载流子浓度。 第一和第二区域可以是用含有氢的等离子体处理的区域。 第一和第二区域可以含有氢。 第一区域和第二区域的氧浓度可以低于沟道区域的剩余区域。 第一和第二区域的氮浓度可以高于沟道层的剩余区域。 沟道层的金属氮氧化物可以包括ZnON基半导体。
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公开(公告)号：KR1020150025621A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020130103428
申请日：2013-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/1033 , H01L29/66969 , H01L29/78696 , H01L27/1225 , H01L29/06 , H01L29/78606
Abstract: 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자에 관해 개시되어 있다. 개시된 트랜지스터는 다층 구조를 갖는 채널층을 포함할 수 있다. 상기 채널층은 제1 및 제2층을 포함할 수 있고, 상기 제1층이 제2층보다 게이트에 가까이 배치될 수 있다. 상기 제2층은 상기 제1층보다 높은 전기 저항을 가질 수 있다. 상기 제1 및 제2층 중 적어도 하나는 아연(zinc), 산소(oxygen) 및 질소(nitrogen)를 포함하는 반도체 물질을 구비할 수 있다. 또는, 상기 제1 및 제2층 중 적어도 하나는 아연 플루오르나이트라이드(zinc fluoronitride)를 포함하는 반도체 물질을 구비할 수 있다. 상기 제2층의 산소 함유량은 상기 제1층의 산소 함유량보다 높을 수 있다. 상기 제2층의 불소 함유량은 상기 제1층의 불소 함유량보다 높을 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种晶体管及其制造方法，以及包括晶体管的电子器件。 晶体管可以包括具有多层结构的沟道层。 沟道层可以包括第一层和第二层。 第一层可以比第二层更靠近栅极。 与第一层相比，第二层可具有更高的电阻。 第一层和第二层中的至少一层可以包括含有锌，氧和氮的半导体材料。 此外，第一层和第二层中的至少一个可以包括含有氟化氮锌的半导体材料。 第二层的氧含量可以高于第一层的氧含量。 第二层的氟含量可以高于第一层的氟含量。
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公开(公告)号：KR1020150016789A
公开(公告)日：2015-02-13
申请号：KR1020130092667
申请日：2013-08-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66742 , H01L29/78696 , H01L29/66969 , H01L29/78606
Abstract: 개시된 박막 트랜지스터는, 아연(zinc), 질소(nitrogen) 및 산소(oxygen)를 포함하는 채널층; 상기 채널층 상에 마련되며, 불소(fluorine)를 포함하는 식각 정지층; 상기 채널층의 양 측에 각각 접촉된 소스 및 드레인 전극; 상기 채널층에 대응하도록 구비된 게이트 전극; 및 상기 채널층과 상기 게이트 전극 사이에 구비된 게이트 절연층;을 포함한다.
Abstract translation: 所公开的薄膜晶体管包括包含锌，氮和氧的沟道层，蚀刻停止层，其形成在沟道层上并且分别包括与沟道层的两侧接触的氟，源极和漏极 形成为对应于沟道层的栅极电极和形成在沟道层和栅电极之间的栅极绝缘层。
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公开(公告)号：KR1020150016034A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：KR1020130092247
申请日：2013-08-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78696
Abstract: 징크 옥시나이트라이드 계의 다중 채널층을 가진 박막 트랜지스터가 개시된다. 개시된 박막 트랜지스터는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상의 게이트 절연층과, 상기 게이트 절연층 상에 순차적으로 형성된 하부 채널층 및 상부 채널층을 포함하는 징크 옥시나이트라계 채널층과, 상기 복수의 채널층 각각의 양단과 접촉하게 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.
상기 상부 채널층은 상기 하부 채널층 보다 전기적 저항성이 높으며,
상기 상부 채널층은 상기 소스 전극과 접촉하는 제1영역과 상기 드레인 전극과 접촉하는 제2영역과 상기 제1영역 및 상기 제2영역 사이의 중간 영역을 포함하며, 상기 제1영역 및 상기 제2영역은 상기 중간 영역 보다 높은 캐리어 농도를 가진 영역이다.Abstract translation: 公开了具有氮氧化锌多通道层的薄膜晶体管。 薄膜晶体管包括栅电极，栅电极上的栅极绝缘层，在栅极绝缘层上依次形成具有上沟道层和下沟道层的氧氮化锌沟道层，源电极和 分别接触通道层的两端的漏电极。 上通道层与下通道层相比具有较高的电阻。 上沟道层包括接触源极的第一区域，接触漏电极的第二区域和第一区域与第二区域之间的中间区域。 与中部地区相比，第一区域和第二区域的载流子浓度较高。
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